본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 NH3가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry O2 oxidation)및 NH3산화(NH3 added in dry O2oxidation)를 택하였고 N2및 NH3N2분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, NH3산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 NH3산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 NH3산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% NH3N2분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. NH3산화방식에서 7.5%NH3N3분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다.

(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다.