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검색결과 2건

1994.04 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료

직접 접합된 Si-Si, Si-SiO2/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구

Study on the Bonding Interface in Directly Bonded Si-Si and Si-SiO2 Si Wafer Pairs

주병권, 방준호, 이윤희, 차균현, 오명환

한국재료학회지 제4권 제2호 pp.127-135 한국재료학회

직접 접합된 Si 기판들의 접합계면에 관하여 연구하였다. 경사 연마 및 결함묘사, 계면의 비등방성 식각, TEM 및 HR-TEM 등의 방법들을 이용하여 접합계면에 발생하는 계면결함과 과도영역, 여러형태의 void 들, 계면 산화막의 형성 및 안정화 과정등을 조사하였다. 또한 접합된 Si-Sio2계면과 일반적인 Si-Sio2계면의 형상등을 비교 검토하였다.

4,000원

1992.10 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료

(100) 실리콘의 깊은 이등망성 식각시 석각면의 가장자리에 존재하는 불균일성의 짤막한 고찰

Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges in Deep Anisotropic Etching of(100) Silicon

주병권, 하병주, 김철주, 오명환, 차균현

한국재료학회지 제2권 제5호 pp.383-386 한국재료학회

(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다.

3,000원