교류구동형 플라즈마 표시소자의 보호막으로 사용되는 MgO의 특성향상을 위하여 기존의 MgO에 양이온이 등전적으로 치환될 수 있는 ZnO를 소량 첨가하여 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mg1-xZ nxO박막을 성장시키고 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 Mg1-xZ nxO 박막을 보호막으로 갖는 PDP 테스트 판넬을 제작하고 ZnO의 첨가가 소자의 방전전압과 메모리 이득에 미치는 영향을 살펴보았다. ZnO농도가 0at%, 0.5 at%, 1at%인 Mg1-xZ nxO 박막의 광투과율은 ZnO 첨가에 따라 변화를 보이지 않으나 유전상수는 다소 증가하는 경향을 보였다. ZnO의 농도가 0.5 at%인 Mg1-xZ nxO 박막을 보호막으로 갖는 PDP 소자의 방전개시전압과 방전유지 전압이 MgO 박막을 보호막으로 갖는 소자에 비해 20V까지 낮아졌고, 결과적으로 메모리계수는 다소 증가하였다. ZnO농도가 0.5 at%, 1at%인 Mg1-xZ nxO 박막을 보호막으로 갖는 소자에서 ZHO의 첨가에 비례하여 방전세기 (플라즈마 밀도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.도)가 증가하였다.

분무건조법으로 용사용 원적외선 세라믹/알루미늄 복합분말을 제조하여 플라즈마 용사법으로 알루미늄 모재에 용사한 후, 미세구조, 결정상, 열충격저항성 그리고 분광복사율을 조사하였다. 분무건조된 복합분말의 입형은 구형으로 34~105μm . 영역에서 높은 복사율을 보였다. 그러나 알루미늄 첨가량이 증가할수록 원적외선 방사특성은 감소하였다. 결과적으로 용사법으로 원적외선 방사특성의 큰 손실 없이 방사체를 제조하기 위해서는 20~30%wt%Al를 첨가하여 복합분말을 제조하는 것이 가장 효율적이라고 판단된다.

고추장을 직립성 용기에 담아 숙성보관시 곱이 발생하는 것을 방지하기 위하여 햇빛을 쪼여 표면을 관리하는 것이 일반적이나 이 경우 표면층 고추장이 건조되고, 적색이 흑변되고, 유동성이 상실되며, 과염도 및 이물질 오염 등으로 인하여 많은 양이 비가식화되는 문제가 있어 왔다. 숙성 보관중 표층 고추장의 악변에 의한 손실을 최소화할 수 있는 숙성 조건을 조사하기 위하여 표면을 3가지 방법(무처리, 소금뿌림, PE-film덮기)으로 처리한 후 각각 햇빛을 쪼이면서 숙성한 경우(A, B, C)와 A, B, C와 같이 처리한 후 뚜껑을 덮어 숙성(A', B', C')시키면서 15일 간격으로 수분, 염도, pH, 점도, 퍼짐성(찍음성), 색도, 곱의 발생유무를 조사 비교하였다. 2일에 1회 햇빛을 쪼이면서 120일간 숙성시킨 경우(A, B, C)곱은 발생되지 않았으나 수분함량 감소(59%→21-29%), 적색도 감소 내지는 흑색화(21→0-1), 퍼짐성 감소, 굳기 증가(20 g→380 g) 및 과염도화(8-18%→18-30%) 등으로 많은 양이 비가식화되는 문제가 발생하였다. 반면 뚜껑을 덮어 숙성시킨 경우 적색도, 염도, 퍼짐성, 굳기는 양호하게 유지되었으나 PE-film을 사용한 경우를 제외하고 곱이 많이 발생되어 PE-film을 덮어 숙성시키는 것이 고추장 표면을 건전하게 관리하는데 효과적인 방법으로 확인되었다.