LED와 LD의 수명과 효율은 결정에 존재하는 결함의 밀도에 반비례하며, 이러한 결함의 밀도는 적당한 기판을 사용하거나, 기판의 표면을 적절하게 제어함으로써 줄일 수 있다. GaN성장시 원자 단위의 매끄러운 표면은 완충충 성장이나 질화처리를 함으로써 얻어질 수 있다. 이렇게 얻어진 원자 단위의 매끄러운 표면에 의해 기판과 박막상이의 계면 자유에너지가 감소하기 때문에 2D성장이 촉진된다. 사파이어(AI2O3(0001))기판을 사용한 GaN 왕충충성장과 진화처리에 대한 최적조건은 AFM(Atomic Force Microscope)측정 결과에 의해 결정되었다. AFM에 의해 얻어진 표면 평활도의 개념은 사파이어 기판을 사용한 GaN박막성장의 최적조건을 결정하는 데 있어서 높은 신뢰도를 가질 수 있다.

HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 1000˚C에서 1100˚C로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60μm/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 1100˚C에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 930˚C에서 770˚C로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 770˚C의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15μm/hr에서 60μm/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.

HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법을 이용하여 C(0001)면의 사파이어 기판위에 GaN 박막을 성장하였다. 1100˚C의 온도에서 박막의 성장률은 120μm/hr이었고, 사파이어 기판과 GaN사이의 격자상수와 열팽창계수차로 인하여 많은 크랙이 존재하였다. 두께가 20μm인 GaN의 (0002)면에 대한 X-선 회절피크의 반치폭은 576초 이었다. 10K의 온도에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼에서는 강한 강도의 속박여기자에 의한 피크(I2)와 약한 강도의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합에 의한 피크가 나타났으며, 깊은 준위로부터의 발광은 검출되지 않았다. GaN 박막의 전기전도형은 n형 이었고, 전자이동도와 캐리어농도는 각각 72cm2/V-sec와 6x1018cm-3이었다.

AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/cm2에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의 온도에서 각각 89kW/cm2와 44kW/cm2이었다.

The image-to-image translation is one of the deep learning applications using image data. In this paper, we aim at improving the performance of object transfiguration which transforms a specific object in an image into another specific object. For object transfiguration, it is required to transform only the target object and maintain background images. In the existing results, however, it is observed that other parts in the image are also transformed. In this paper, we have focused on the structure of artificial neural networks that are frequently used in the existing methods and have improved the performance by adding constraints to the exiting structure. We also propose the advanced structure that combines the existing structures to maintain their advantages and complement their drawbacks. The effectiveness of the proposed methods are shown in experimental results.

Background: Traditional plant drugs, are less toxic and free from side effects compared to general synthetic drugs. They have been used for the treatment of diabetes and associated renal damage. In this study, we evaluated effect of Hachimi-jio-gan against diabetic renal damage in a rat model of type 1 diabetic nephropathy induced by subtotal nephrectomy plus streptozotocin (STZ) injection, and in Otsuka Long-Evans Tokushima Fatty (OLETF) rats and db/db mice as a model of human type 2 diabetes, and its associated complications. To explore the active components of Hachimi-jio-gan, the antidiabetic effect of corni fructus, a consituent of Hachimi-jio-gan, and 7-O-galloyl-D-sedoheptulose, a phenolic compound isolated from corni fructus, were investigated. Methods and Results: We conducted an extensive literature search, and all required data were collected and systematically organized. The findings were reviewed and categorized based on relevance to the topic. A summary of all the therapeutic effects were reported as figures and tables. Conclusions: Hachimi-jio-gan serves as a potential therapeutic agent to against the development of type 1 and type 2 diabetic nephropathy. From the results of characterization active components of corni fructus, 7-O-galloyl-D-sedoheptulose is considered to play an important role in preventing and/or delaying the onset of diabetic renal damage. 7-O-Galloyl-D-sedoheptulose is expected to serve as a novel therapeutic agent against the development of diabetic nephropathy.