CMP(Chemical Mechanical Polishing) Processes have been used to improve the planarization of the wafers in the semiconductor manufacturing industry. Polishing performance of CMP Process is determined by the chemical reaction of the liquid sol containing abrasive, pressure of the head portion and rotational speed of the polishing pad. However, frictional heat generated during the CMP process causes agglomeration of the particles and the liquidity degradation, resulting in a non-uniform of surface roughness and surface scratch. To overcome this chronic problem, herein, we introduced NaCl salt as an additive into silica sol for elimination the generation of frictional heat. The added NaCl reduced the zata potential of silica sol and increased the contact surface of silica particles onto the sapphire wafer, resulting in increase of the removal rate up to 17 %. Additionally, it seems that the silica particles adsorbed on the polishing pad decreased the contact area between the sapphire water and polishing pad, which suppressed the generation of frictional heat.

본 연구는 직접메탄을 연료전지(Direct Methanol Fuel Cell)에 적용가능한 양이온교환막 개발에 관한 것으로 poly(vinyl alcohol) (PVA)에 가교제로 poly(acrylic acid-co-maleic acid) (PAM)와 hydroquinonesulfonic acid (HQSA)를 이용하여 가교제의 함량을 변화시키면서 막을 제조하였다. 제조한 막은 가교제의 함량 변화에 따라 메탄을 투과도, 이온전도도를 측정하였으며 기본적인 이온교환막의 특성인 함수율, 이온교환용량 그리고 고정이온농도 등을 측정하였다. PAM 함량이 증가함에 따라 메탄을 투과도와 이온전도도 및 함수율이 조금 증가하는 추세를 보이다 9 wt%부터 감소하는 경향을 보였는데 이는 PAM의 친수성기보다는 가교효과의 영향이라 사료되며 HQSA 함량을 변화시켰을 때는 이온전도도, 함수율 그리고 이온교환용량이 전반적으로 증가하였는데 그 증가폭은 미비하였다.