실리콘 산화막을 N2O 분위기에서 RTP로 제조하여 그 성장 기구를 고찰 했다. 산화막과 기판 실리콘 계면 사이에 질소성분이 포함된 oxynitride층이 존재한다. N2O 기체를 이용한 산화막 성장은 삼화제 확산에 의해 성장이 지배되는 포물선 성장론을 따르고 산화제 확산 억제작용은 실리콘 산화막과 실리콘 기판사이에 존재하는 oxynitride막에서 일어난다. 확산이 산화막 성장을 결정하는 구간에서 포물선 성장율 상수 B의 활성화 에너지는 약 1.5 eV이고 산화막 두께 증가에 따라 증가한다.

Si(100) 웨이퍼를 사용하여 RTP 장비에서 O2와 N2O 분위기에서 8nm의 oxynitride를 제조 하였다. 기존의 로(furnace) 열산화막과 비교해서 oxynitride는 I-V, TDDB 특성이 우수하였고, flat-band voltage shift도 적었으며 BF2이온 주입에 의한 붕소 투과 억제 특성도 우수하다. 유전상수는 oxynitride가 열산화막에 비해서 크다. Oxynitride는 순수한 SiO2유사하게 V 〉Φ0 구간에서 Fowler-Nordheim 터널링 특성을 나타낸다. SIMS, AES, 그리고 XPS 분석 결과 질소 pile-up이 SiO2/Si 계면에서 나타나고, 이것은 oxynitride 산화막 특성 향상과 깊은 관련이 있다.

This paper estimated the Arrhenius parameters as well as the pyrolysis reaction model for epoxy printed circuit boards (e-PCB) by analyzing isothermal kinetic data. This paper introduces the use of thermobalance that is capable of monitoring a weight decrease with time under pure static condition. Three isothermal kinetic experiments were performed at 270, 275 and 280oC, that were chosen within a temperature range where main decompositions were observed from nonisothermal kinetic results. Comparing experimental reduced-time-plot (RTP) with theoretical ones, the pyrolysis reaction model of e-PCB fitted best to the Avrami-Erofeev (A2) Model. Consequently, the activation energy and pre-exponential factor were then estimated to be 141 kJ⋅mol−1and 29.9 (lnA, A : min−1), respectively.