목적 : 디지털 시기능 훈련용 게이밍 프로그램을 사용하여 대상자의 시기능 훈련 후 양안시기능의 변화를 조사 하였다. 방법 : 본 연구는 전신질환, 안과적 질환, 과거 수술력이 없고 사시 진단을 받지 않은 신체 건강한 성인 25명(남 자 14명, 여자 11명)을 대상으로 하였다. 언리얼 엔진을 기반으로 한 게이밍 프로그램은 시기능을 강화 및 훈련하 기 위한 목적으로 개발되었다. 모든 피검자에게 디지털 시기능 훈련용 프로그램을 한달 동안 일주일 2회, 30분간 시행하여 훈련을 진행하였다. 결과 : 디지털 시기능 훈련 전과 후의 조절근점은 13.08±2.26 cm에서 10.15±3.41 cm으로 향상되었다. 조절 용이성은 12.05±1.20회에서 9.78±1.32회로 개선되어 선명하게 초점을 맺는데 시간이 단축되었다(p<0.050). 버 전스용이성(Vergence facillity)은 12.89±2.34 회에서 9.14±1.75 회로 통계적으로 유의하게 향상되었다(p< 0.050). 외사위도는 –2.48±2.56 Δ(exo.)에서 -1.07±1.23 Δ(exo.)으로 외사위량이 통계학적으로 유의하게 감소 하였고(p<0.050) 양성융합버전스 분리점은 21.99±4.26 Δ에서 24.55±2.89 Δ으로 개선되었고 음성융합버전스 분리점은 평균 17.57±2.12 Δ에서 18.69±1.60 Δ으로 약 0.1 Δ이 소폭 증가하였다. 결론 : 디지털 시기능 훈련으로 연구 대상자들의 외사위도가 감소하였고 조절력, 조절 및 버전스 용이성과 안구 운동성 능력이 개선되는 것을 알 수 있었다. 디지털 시기능 훈련은 안구 운동성 기능과 양안시기능이 중요한 직군 의 사람들에게 도움을 줄 수 있고 다양하게 활용될 수 있는 활용가치 및 잠재력을 가지고 있다.

Semiconductors, optimized for artificial intelligence (AI) applications, are efficiently handling large-scale data processing and complex computations with high speed and low power consumption. They accelerate AI model training and inference in data centers, cloud services, autonomous vehicles, and mobile devices. As demand for high-speed data transmission and extensive data processing grows, global companies are developing proprietary AI semiconductors, and subsequently, high-density packaging technologies are needed to interconnect multiple processor chips. To achieve this, an interposer is required. An interposer is a layer used in packaging technology for combining multiple chips, which includes wiring that is inserted to electrically connect a semiconductor chip with a substrate that has a significant pitch difference. Among the materials employed as substrates or interposers, organic, silicon and glass are being considered. While silicon interposers are usually used to connect the main substrate and multiple chips, producing very thin silicon wafers and controlling warpage is challenging, and so they suffer from poor yield and integration. Also, organic substrates have difficulty achieving fine pitch because of their uneven surface and warpage. On the other hand, glass substrates and interposers have good electrical and thermal properties. For this reason, this study investigated AI semiconductor packaging trends and through glass via (TGV) technology, emphasizing the importance of suitable glass material selection, reliable glass-metal bonding and application to solder bumping on TGV. Advances in AI and TGV technologies are expected to drive next-generation AI semiconductor packaging development.

It is well known that the Cu-Cr alloys are very difficult to be made by conventional sintering methods. This difficulty originates both from limited solubility of Cr in the Cu matrix and from limited sintering temperature due to high vapor pressures of Cr and Cu components at the high temperature. Densification of Cu-50%Cr Powder compacts by conventional Powder metallurgy Process has been studied. Three kinds of sintering methods were tested in order to obtain high-density sintered compacts. Completely densified Cu-Cr compacts could be obtained neither by solid state sintering method nor by liquid phase sintering method. Both low degree of shrinkage and evolution of large pores in the Cu matrix during the solid state sintering are attributed to the anchoring effect of large Cr particles, which inhibits homogeneous densification of Cu matrix and induces pore generation in the Cu matrix. In addition, the effect of undiffusible gas coming from the reduction of Cu-oxide and Cr-oxide was observed during liquid phase sintering. A two-step sintering method, solid state sintering followed by liquid phase sintering, was proved to have beneficial effect on the fabrication of high-dendsity Cu-Cr sintered compacts. The sintered compacts have properties similar to those of commercial products.

본 연구에서는 Al-10wt%Ti-4wt%Fe 복합재료를 in-situ공정으로 제조할 수 있는 가능성 및 2 원계 Al-10wt%Ti 복합재료의 낮은 기계적 성질(탄성계수, 상온 고온강도, 내마모특성 등)을 PM SiC/2124 복합재료 수준 흑은 그 이상으로 향상시킬 수 있는 가능성을 조사하였다. 제조된 Al-10wt%Ti-4wt%Fe 합금은 불연속 SiC 강화상으로 보강된 Al-기지 복합재료(SiCw/2124)와 유사한 미세구조를 보여주었으며, 탄성계수 및 인장강도, 내마모성질 등의 기계적 특성이 2원계 Al-10%Ti 합금각 비교해 현저하게 향상되었음이 관찰되었다. 위의 결과는 초정 Al3Ti상 외에도 Fe 원소의 첨가를 통한 추가적인 AlxFe의 분산강화 효과에 기인한 것으로 해석된다.

Cu-P계, 4종의 Cu-P-Pn계 및 3종의 Cu-P-Sn-Ag계 용가재를 사용해 Ar분위기 하에서 1003 및 1033K로 1.2Ks동안 노브레이징한 ST304, STS430 및 저탄소강과 동 접합체들을 전단시험 및 조직시험하였다. 계면에서의 미세조직은 제 종류 즉 첫째,균열을 포함하는 반응층 둘째, 분산층 세째, 균열을 포함하는 반응층과 분산층으로 분류된다. 분산층만이 존재할때 40-60MPa 이상의 상대적으로 높은 전단강도가 얻어지며, 동모재파단을 일으킨다. 이 반응층이 형성되었을때는 반드시 균열이 형성되며, 낮은 전단강도를 나타내고 접합부파단을일으킨다. 이 반응층은 Fe-P계의 화합물이다. 이러한 미소조직 및 강도 경향은 용가재내 Sn의 존재 및 모재내 Ni(또한 Cr)의 존재 유무에 따라 변화한다.