알루미나 매트릭스 복합재료를 AIZnMg(7075)-합금의 직접적인 용융산화를 통하여 제조하였다. 충전재료는 17μm 크기의 모서리가 둥근 연마재용 SiC 입자를 사용하였다. 산화촉진재 SiO2를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우를 비교하였다. 매트릭스 형성 매카니즘과 반응거동을 온도와 SiO2사용량을 중심으로 연구하였으며, 얻어진 AI2O3/SiC/금속 복합재료의 미세구조를 관찰하였다.

세라믹 전구체로서 PCS와 PMS 두 종류의 실린콘 고분자를 합성하여 7, 15, 33 wt.%의 Mo분말, Mo(CO)6 금속화합물과 혼합한 뒤 1300˚C이상 가열하면 탄화물과 규화물의 다양한 세라믹복합재로 전이되었다. 특히 PMS용액에 7, 15 wt.% Mo분말을 분산하여 초음파 처리하면 열분해 수율이 60%까지 개선되고 전도성 소재인 SiC/MoSi2 복합조성의 세라믹스가 합성되었다. 그러나 풍부한 유기 반응기를 가진 PCS와 카보닐기가 탄소공급원으로 작용하는 Mo(CO)6를 반응물로 사용하였을 때는 SiC와 Mo2C와 같은 탄화물과 미향의 MoSi2 그리고 미확인상을 포함한 세라믹 복합상들이 얻어졌다.

초미립 SiC분말과 SiC platelet을 2차성으로 Si3N4에 첨가하여 SiC/Si3N4 하이브리드 복합체를 가압소결로 제조한 후 2차상의 영향을 조사한 결과핫프레스법을 이용한 경우 SiC platelet은 Si3N4 기지 복합채의 치밀화를 저해하지 않고 초미립의 SiC 첨가는 Si3N4의 입성장을 효과적으로 억제하여 미세한 β-Si3N4의 grain을 형성함을 관찰하였다. 초미립 SiC첨가를 통한 복합체의 강도 증진은 상대적으로 β-Si3N4입자의 미세화에 의한 인성의 저하를 유도하나 SiC platelet을 첨가하여 급격한 강도 저하 없이 높은 인성을 갖는 하이브리드 복합체를 제조할 수 있었으며 SiC/Si3N4 하이브리드 복합체의 인성증진은 elongated β-Si3N4와 platelet SiC의 debonding에 의한 grain pull-out 영향임을 알 수 있었다.

초미립 SiC 분말을 2차상으로 Si3N4에 첨가하여 SiC/Si3N4 나노 복합체를 핫프레스법과 가스압소결고 제조하였다. 2차상으로 첨가한 SiC의 입자 크기가 β-Si3N4 나노 복합체를 제조할 수 있었다. 사온에서 800˚C까지는 강도의 1000˚C이상에서는 강도는 급격한 감소를 보였으며 이는 소결조제로 첨가한 AI2O3, Y2O3와 SiO2가 β-Si3N4의 입계에 유리상을 형성하였기 때문에 해석된다.

Silicon carbide powder was prepared from mixtures of Sangdong silica sand and carbon black by SHS (Self propagating High temperature Synthesis) method which utilizes magnesiothermic reduction of silica. In the powder preparation process, the reacted powder was leached by chloric acid to remove the magnesium oxide and was subsequently roasted to remove free carbon. The impurities were mostly eliminated by hot acid treatment. The resultant SiC powder showed the mean particle size of 0.22 and the specific surface area of . The SiC powder was mixed with 1 wt% of boron and of carbon to increase densification rate. The mixed powder was pressed and sintered pressurelessly at for 30 min in argon gas. The sintered body showed the hardness of and the fracture toughness, KIC of .

The effect of SiC addition on sintering behaviors and microstructures of TiB2 ceramics were studied. The sintering of TiB2 was limited due to the surface diffusion and rapid grain growth at high temperature. However the addition of SiC to TiB2 ceramics improved the densification to above 99% of the theoretical density. The sintering of TiB2-SiC composite starts at 120 with the melting of the oxides in particle surface as impurities. After the reduction of the oxide by additional cabon at above 140, the grain boundary diffusion through the interface of TiB2-SiC play an important role. TEM observation showed neither chemical reactions nor other phases formed at the TiB2-SiC interfaces but the microcracks were observed due to the mismatch of thermal expansion between TiB2-SiC.

최근 선진국에서 강화되고 있는 CAFE(Corporate Average Fuel Economy :기업평균연비) 규제를 극복하기 위해서는 차량의 경량화가 필수적이며 이를 위해 기존의 금속재료에 비하여 비강도, 탄성계수, 인성등이 우수한 기계적 성질을 가지면서 고분자 기지의 복합재료에 비해서 고온강도, 전기 및 열전도도와 내마모성이 우수한 금속기지 복합재료의 개발은 필수적이고도 중요한 위치를 차지한다. 따라서 본 연구에서는 자동차용 부품재 및 일반산업용 재료로 사용되고 있는 AC4A Al합금에 SiCwprefohm을 용탕 단조법으로 강화하여 복합재료를 제조란 후 matrix와 함계 기계적성질, 마멸특성, 조직실험을 행한 결과 용탕 단조법에 의한 AC4A/SiCw 복합재료의 최적 제조조건은 용탕온도 800˚C, 금형은도 400˚C, preform은도 750-800˚C, 가압압력 75MPa이었으며 SiCw강화재가 I/M재에 비하여 경도값은 두배이상으로 상승하였고 SiCw 20v/o에서는 가압에 의한 큰 효과는 없었다.

Microwave pyrolysis of SF6 on alumina-based catalyst doped with cerium sulfate was investigated. Silicon Carbide (SiC) used as a microwave susceptor. The catalysts were characterized by X-ray diffraction (XRD) and the destruction and removal efficiency (DRE) of SF6 was evaluated by GC-TCD. We found that the optimal cerium content was 20wt% at microwave pyrolysis of SF6. The catalysts modified by cerium showed higher DRE at lower reaction temperature compared with original catalysts. The highest DRE of SF6 on CeA (20) was 80% at 600oC reaction temperature and the DRE was up to 95% when the reaction temperature over 700oC. It showed the alumina-based with cerium promotes the removal efficiency of SF6 at a mild reaction temperature. From XRD results, modified catalysts could be higher stability because of no transformation of the crystal phase after reaction.

Tetrafluoromethane(CF4) have been widely used as etching and chemical vapor deposition gases for semiconductor manufacturing processes. CF4 decomposition efficiency using microwave system was carried out as a function of the microwave power, the reaction temperature, and the quantity of Al2O3 addition. High reaction temperature and addition of Al2O3 increased the CF4 removal efficiencies and the CO2/CF4 ratio. When the SA30 (SiC+30wt%Al2O3) and SA50 (SiC+50wt%Al2O3) were used, complete CF4 removal was achieved at 1000℃. The CF4 was reacted with Al2O3 and by-products such as CO2 and AlF3 were produced. Significant amount of by-product such as AlF3 was identified by X-ray powder diffraction analysis. It also showed that the γ-Al2O3 was transformed to α-Al2O3 after microwave thermal reaction.