교류형 플라즈마 디스플레이의 기입기간 중에 공통전극에서의 파형 변화에 따른 광특성을 조사하고 방전특성을 향상시킬 수 있는 최적의 조건을 조사하였다. ACPDP에서구동방식에서 각 서브프레임은 초기화, 기입, 유지기간으로 나누어지는데, 초기화기간 이후 상판의 두 전극에는 음전하가 쌓이게 되고 하판의 기입전극에는 양전하가 쌓인다. 기입기간에 종래의 구동방법에서는 주사 및 기입펄스에 의해 초기화 기간에 쌓인 벽전하를 이용하여 기입방전을 발생시키는데, 본 연구에서는 기입기간 중 공통전극에도 펄스를 인가하여 펄스의 높이 및 인가시각에 따른 기입광파형을 각각 측정하였고그 결과 최적의 조건하에서 기입방전 시간을 종래의 방법보다 약 200ns 단축시켰다.

본 연구는 저온처리기간, 온도 및 광의 유무가 초롱꽃 4 종의 생장과 개화에 미치는 영향을 조사하였다. 모주로 사용된 고성종인 자주초롱꽃, 왜성종인 애기초롱꽃 2 품종과 이들의 교잡 육성된 ‘직녀’, ‘견우’ F1 2 품종의 조직배양묘를 식물재료로 사용하였다. 조직배양묘는 광 도가 약 75 μmol·m2·s−1이고 온도가 25oC인 기내에서 5주 동안 발근시켰다. 광의 유무는 알루미늄 호일로 포장한 암처리와 명처리(약 10 μmol·m2·s−1 PPFD)를 사 용하였고, 저온처리기간은 3, 6, 또는 9주로 하여 4와 25oC 온도에서 저장하였다. 저온처리 후 식물을 10 cm 화분에 상토를 채워 이식하여 생장조절챔버에서 순화시 켜 온실로 옮겨 재배하였다. 4종 중 자주초롱꽃에서 생존 율이 가장 높았다. 생존율은 암처리보다 명처리에서 더 높았다. 기내에서 6주 이상 저장된 처리구는 생존율이 감소하였다. 4종을 실험한 결과 개화를 한 품종은 ‘직 녀’로 저장기간 3주, 명처리, 25oC에서 62.8%의 높은 개화율을 보였다. 개화는 온도, 저장기간, 그리고 광의 유무에 따라 영향이 있었다. 저장기간 3주, 암조건, 4oC 에서 저장한 처리에서 현저하게 개화소요일수가 단축되 고 개화특성도 좋았다. 이 결과는 개화를 위해 저온을 요구하는 것은 질적인 것보다 양적임을 암시한다. 이 실험은 조직배양묘를 사용하여 저온처리를 하고 순화 하는 과정에서 많이 고사하였으므로, 식물의 개체수를 더 늘려서 이 결론을 확인할 필요가 있다.

감광성 수도품종 BPI-76을 공시하여 단일기간의 암기중 광간섭이 출수에 미치는 영향을 검토하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 공시품종의 최소단일처리회수인 12일의 단일기간중 간에 실시한 1분정도의 광간섭에 의해서도 단일효과의 집적은 방해를 받았고 10분이상의 광처리를 하면 단일효과가 크게 억제되었다. 2. 12회의 단일기간중 암기중간에 1∼15분간의 광처리를 7일이상 그리고 30분간의 광간섭을 4일이상 계속 받으면 전공시개체가 출수를 하지않아 광간섭의 누적효과를 보여 주었다. 3. 단일기간의 암기중간에 5분 또는 30분간의 광처리를 1회 실시하여서는 2∼10일간 집적된 단일효과를 크게 소거시키지 못했으나 1일1회씩 3일간 계속 광간섭을 하면 2∼8일간 집적된 단일효과를 크게 소거시켰다. 4. 13일간의 단일기간중 4∼8일간의 단일처리후 1회 또는 3회의 광간섭을 받은경우에 출수유제현상이 심하게 나타났다. 5. 13일간의 단일기간중에 실시한 1일간의 장일처이는 2일간의 단일처리효과를 완전히 소거시켰으나 4∼8일간의 단일처리효과는 완전히 소거시키지 못했으며 2일간의 장일처리는 4일간의 단일처리효과를 그리고 2∼4일간의 장일처리는 6∼8일간의 단일처리효과를 크게 소거시켰다. 6. 13일간의 단일기간중 8일간의 단일처리후 장일처리를 받았을 때 출수억제현상이 가장 심하게 나타났다. 7. 10회의 단일처리후 장일상태가 계속되면 분화된 유수는 퇴화되었고 15회의 단일처리를 한경우에도 그후의 장일에 의해서 유수의 발육속도가 늦어져 단일상태가 게속된 경우보다 출수가 지연되었다.