목 적 : 슬릿 램프용 450nm~500nm 대역 투과필터를 제작하고, 이에 관한 특성 연구를 하였다. 방 법 : 대역 투과필터 설계 시 장파장 투과필터와 단파장 투과필터를 설계한 후 합성하였다. 설계 데이 터를 기반으로 전자 빔 증착 장치를 사용하여 장파장 투과필터와 단파장 투과필터와 슬릿 램프용 450nm~500nm 대역 투과필터를 제작하였다. 제작한 필터의 단면을 보기 위하여 SEM사진을 찍었고, 필터 의 광투과율을 측정하기 위해 분광광도계를 사용하였다. 결 과 : 제작한 단파장 투과필터는 설계치와 비슷하나 파장 490nm 근처와 350nm~400nm에서 차이가 난다. 이는 층 수 가 커짐에 따라 박막의 균일도가 안 좋아져서 필터의 굴절률에 약간 변화를 주어 투과율 스펙트럼의 경사도가 큰 부분에서 차이가 나는 것으로 여겨진다. 제작된 장파장 투과필터는 설계치의 비슷 하며 실험치가 전체적으로 오른쪽으로 약간 이동됨을 알 수 있다. 그러므로 제작한 450nm~500nm 대역 투 과필터는 450nm에서는 장파장 투과필터의 오른쪽 이동으로 인해 설계된 대역 투과필터 안쪽으로 들어가고 500nm에서는 투과율이 약 20% 떨어지는 것을 알 수 있었다. 또한 제작한 필터의 단면은 SEM사진으로부터 단파장 투과필터와 장파장 투과필터의 두께를 알 수 있었다. 결 론 : BK7 유리 한 면에는 단파장 투과필터를 제작하고 다른 한 면에는 장파장 투과필터를 제작하여 450nm~500nm 대역 투과필터를 만들었고, 이 필터를 사용하여 눈의 건조 상태나 콘택트렌즈와 각막 틈새 를 파악할 때 관찰고자 하는 부위의 명도대비를 높이고자 한다.

목 적: 중심파장이 656.3nm에서 반치폭이 약 8nm이고 투과율이 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 설계·제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하고자 한다. 방 법: 전자빔 증착기를 이용하여 Ti3O5/SiO2 다층박막으로 656.3nm 대역투과필터와 Hb600 적외선 차단필터를 만든 후, 분광광도계로 투과율과 대역폭을 확인하였다. SEM사진을 이용하여 적외선차단필터 단면을 관찰하였고, XRD 데이터로부터 박막의 구조를 알 수 있었으며, XPS 분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결 과: 협대역 H- imaging 필터에서 대역투과필터의 최적조건은 30층, 반사방지막 코팅층은 6층, 적외선차단필터는 32층으로 설계·제작되었다. 제작된 H- imaging 필터의 최대파장피크가 이론치에 비교했을 때 약 0.7nm로 공차가 거의 없는 것을 알 수 있었다. XRD 분석으로 대역투과 필터와 반사방지막 코팅층은 비정질로, 적외선 차단 필터는 결정질으로 코팅되는 것을 확인하였다. SEM 사진에 의해 적외선 차단필터의 코팅 층을 확인하였고, XPS 분석에 의해 대역필터의 가장 바깥층이 SiO2층임을 확인할 수 있었다. 결 론: Ti3O5/SiO2 다층박막을 이용하여 30층의 대역투과 필터와 32층의 적외선차단필터를 제작하여 657nm 중심파장에서 8nm 반치폭을 가지며 투과율은 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 제작하였으며, 제작된 필터는 설계치와 거의 비슷한 투과율과 반치폭을 가짐을 알 수 있었다.

목적: Al2O3 기판위에 Ge/ZnS 다층박막을 이용하여 중심파장 3450nm에서 반치폭이 약 150nm이고 투과율이 약 95%인 중 적외선 투과필터를 제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하였다. 방법: 설계에 있어 기판의 한 면은 장파장 투과 필터로,다른 면은 단파장 투과 필터로 코팅한 후 한개의 기판을 중심으로 전면에는 장파장 투과 필터를 후면에는 단파장 투과 필터를 합성하여 중적외선 대역투과 필터를 설계하였다.또한 전자빔 증착장비를 이용하여Ge/ZnS 다층박막 중적외선 대역 투과 필터를 제작한 후, FTIR을 이용하여 투과율을 측정하였고, XRD 데이타로부터 박막의 구조를 분석하였으며, XPS분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결과: 장파장 투과 필터는 기준파장 2700nm에서 [air/0.490H 0.904L 0.952H 1.086L 1.747H 0.489L (HL)9 H 0.350L 1.616H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 이때 고굴절률(H)과 저굴절률(L) 물질은 각각 Ge과 ZnS이였다. 또한 단파장 투과필터는 기준파장 4200nm에서 [air/1.261H (LH)7 0.921L 1.306H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 장파장 투과필터와 동일하였다. 설계를 바탕으로 제작한 적외선 투과 필터의 최대파장피크가 제작조건의 변화에 의거하여 이론치에 비해 약 30nm 오른쪽 이동되어 있는 것을 확인하였다. 제작된 필터의 ZnS층이 cubic (111) 결정구조를 가지고 있는 것을 XRD분석으로 확인하였으며, XPS분석에 의해 Ge층이 맨 위층이며 ZnS층과 교번인 다층막으로 형성돼 있다는 것을 확인할 수 있었다. 결론: Al2O3 기판위에 Ge와 ZnS를 교번으로, 한 면은 27층의 장파장 투과필터로 구성되고, 다른 면은 17층의 단파장 투과 필터의 다층박막을 제작하여, 3450nm 중심파장에서 150nm 반치폭을 갖으며 투과율은 약 95%인 중적외선 대역 투과 필터를 제작하였다.

A miniaturized CMOS bandpass filter for a single RF transceiver system is presented, using diagonally end-shorted coupled lines and lumped capacitors. In contrast to conventional miniaturized coupled line filters, it is proven that the effective permittivity variation of the coupled transmission line has no effect on shifting the center frequency when the bandpass filter is highly miniaturized. A bandpass filter at a center frequency of 2 GHz was fabricated by 0.18μm CMOS technology. The insertion loss with the die area of 1500μm×1000μm is -5.14 dB. Simulated results are well agreed with the easurements. It also verify the center frequency stability in the compact size bandpass filter.

In this letter, the effect of quality factor on center frequency deviation in miniaturized coupled line bandpass filter (BPF) with diagonally end-shorted at their opposite sides and lumped capacitors is theoretically analyzed. The miniaturized BPF of a two-stage structure with two types of quality factors in standard CMOS process was designed and manufactured at 5.5 GHz. The die area of BPF was 1.44×0.41 mm2. The measured center frequency of BPF with a quality factor of 4.9 was deviated from 5.5 GHz to 4.7 GHz. The one with 14.8 was shifted to 5GHz. The theoretical and measured results validate that quality factor influences the center frequency shift of BPF.

선박용 무선 LAN은 설비의 용이성, 원가절감, 다양한 기능성으로 각광받고 있다. 본 논문에서는 스텝 스터브를 부가하여 2.4 GHz대역과 5.2 GHz대역에서 동작하는 이중 대역통과 필터를 설계하는 방법을 제안한다. 스텝 스터브를 부가한 새로운 형태의 이중 대역통과 필터는 개방 스터브를 부가한 이중 대역통과 필터보다 10 dB 이상 성능이 개선되었고, 기존의 대역통과 필터보다 설계치와 측정치의 오차가 감소됨에 따라 실제 사용할 경우의 성능이 향상되는 효과를 확인하였다. 제작된 이중 대역통과 필터의 설계결과와 측정결과가 거의 일치함을 보임으로써, 본 논문에서 제안한 설계 방법이 타당함을 확인하였다.

A novel miniaturized CMOS C-Band bandpass filter based on diagonally end-shorted coupled lines and interdigital capacitors is proposed. The utilized coupled lines structure reduced the configuration in size, as small as a few degrees. Moreover, the characteristic of interdigital capacitor, relatively high Q and good capacitance tolerance, accounts for the satisfied performance of this new filter. A two-stage bandpass filter was designed and fabricated with chip surface area only 1.02×1.4 mm2.

본 논문에서는 새로운 구조의 사각 링과 깍지 낀 용량성 급전구조를 이용한 마이크로스트립 패치 대역통과필터를 설계 및 제작하였다. 필터의 크기를 줄이고 IEEE 802. 11에 부합하는 Wireless LAM영역(2.45GHz and 5.2GHz)에서 동작할 수 있도록 하기 위해서 패치 구조에 서 변형된 사각 링과 깍지 낀 용량성 급전구조를 적용하였다. 그 결과 설계와 제작이 간단하여 RF(Radio Frequency) 필터로 많이 사용되고 있는 병렬 끝단 결합 마이크로스트립 대역통과필터(Parallel Edge-coupled Microstrip Bandpass Filter)의 최소 단수로 계산되어진 회로에 비하여 60%이상의 크기 감소 효과를 가져왔다. 제작된 필터의 측정 결과, 중심주파수는 2.408GHz와 5.075GHz로 약간씩 하향되었으며, 입력 반사계수는 2.408GHz에서 -39.169dB, 5.075GHz에서 -40.922dB를 나타내었으며, 삽입손실은 2.408GHz에서 -0.437dB, 5.075GHz에서 -1.669dB로 매우 좋은 특성을 얻었다.