This study demonstrates a different approach method to fabricate antimony selenide (Sb2Se3) thin-films for the solar cell applications. As-deposited Sb2Se3 thin-films are fabricated via electrodeposition route and, subsequently, annealed in the temperature range of 230 ~ 310oC. Cyclic voltammetry is performed to investigate the electrochemical behavior of the Sb and Se ions. The deposition potential of the Sb2Se3 thin films is determined to be -0.6 V vs. Ag/AgCl (in 1 M KCl), where the stoichiometric composition of Sb2Se3 appeared. It is found that the crystal orientations of Sb2Se3 thin-films are largely dependent on the annealing temperature. At an annealing temperature of 250 oC, the Sb2Se3 thin-film grew most along the c-axis [(211) and/or (221)] direction, which resulted in the smooth movement of carriers, thereby increasing the carrier collection probability. Therefore, the solar cell using Sb2Se3 thin-film annealed at 250 oC exhibited significant enhancement in JSC of 10.03 mA/cm2 and a highest conversion efficiency of 0.821 % because of the preferred orientation of the Sb2Se3 thin film.

We have demonstrated the production of thin films containing multilayer graphene-coated copper nanoparticles (MGCNs) by a commercial electrodeposition method. The MGCNs were produced by electrical wire explosion, an easily applied technique for creating hybrid metal nanoparticles. The nanoparticles had average diameters of 10–120 nm and quasi-spherical morphologies. We made a complex-electrodeposited copper thin film (CETF) with a thickness of 4.8 μm by adding 300 ppm MGCNs to the electrolyte solution and performing electrodeposition. We measured the electric properties and performed corrosion testing of the CETF. Raman spectroscopy was used to measure the bonding characteristics and estimate the number of layers in the graphene films. The resistivity of the bare-electrodeposited copper thin film (BETF) was 2.092 × 10–6 Ω·cm, and the resistivity of the CETF after the addition of 300 ppm MGCNs was decreased by 2% to ~2.049 × 10–6 Ω·cm. The corrosion resistance of the BETF was 9.306 Ω, while that of the CETF was increased to 20.04 Ω. Therefore, the CETF with MGCNs can be used in interconnection circuits for printed circuit boards or semiconductor devices on the basis of its low resistivity and high corrosion resistance.

황산구리 전해욕에 분산제인 콜로이달 실리카(SiO2현탁액)를 첨가시키는 분산도금의 방법과 Au pre-coating을 이용하여 음극에 석출하는 전해 석출물의 결정구조, 표면형상, 결정방향 등의 변화를 검토하였다. 실리카 분산 및 Au pre-coating에 의하여 전해 석출피막의 결정입자가 미세화 되고, 균일하게 성장됨은 물론, 결정 수가 증가하였다. 콜로이달 실리카의 분산 효과에 의해서 전해 석출피막의 경도가 대략 15%까지 상승하였다. 또한 콜로이달 실리카를 분산시킨 구리 전착층의 X-선 회절패턴이 (111)면, (200)면과 (311)면이 거의 소멸되어 우선 방위가 (111)에서 (110)면으로 변화되었다.

황산구리 전해욕에 분산제인 콜리이달 실리카(SiO2현탁액)를 첨가시키는 분산도금의 방법을 이용하여 음극에 석출하는 전해 석출물의 결정구조, 표면형상, 결정방향 등의 변화를 검토하였고 내식성, 물리적 특성 또한 조사하였다. 콜로이달 실리카를 분산시킨 구리 전해욕의 석출피막의 특성에 대해서 조사한 결과, 다음과 같은 결론을 얻었다. 전해 석출피막의 결정입자가 미세화 되고, 균일하게 성장됨은 물론, 결정 수가 증가하였으며, 콜로이달 실리카의 분산 효과에 의해서 전해 석출피막의 경도가 대략 16%까지 상승하였다. 또한 콜로이달 실리카를 분산시킨 극리 전착층의 X-선 회절패턴이 (111)면, (200)면과 (311)면이 거의 소멸되어 우선 방위가 (111)에서 (110)면으로 변화되었다. 부식전위의 측면에서도 콜로이달 실리카의 흡착 효과에 의해서 구리 전착층의 전위가 귀하게 이동하는 효과를 얻을 수 있었다.