Graphene was grown on molybdenum (Mo) foil by a chemical vapor deposition method at different growth temperatures (1000°C, 1100°C, and 1200°C). The properties of graphene were investigated by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy, and Raman spectroscopy. The results showed that the quality of the deposited graphene layer was affected by the growth temperature. XRD results showed the presence of a carbide phase on the Mo surface; the presence of carbide was more intense at 1200°C. Additionally, a higher I2D/IG ratio (0.418) was observed at 1200°C, which implies that there are fewer graphene layers at this temperature. The lowest ID/IG ratio (0.908) for the graphene layers was obtained at 1200°C, suggesting that graphene had fewer defects at this temperature. The size of the graphene domains was also calculated. We found that by increasing the growth temperature, the graphene domain size also increased.

참외 발효과 발생에 영향을 미치는 증산과 관련된 몇 가지 요인을 검토한 결과는 다음과 같다. 참외의 증산율은 지온이 높고 토양수분 함량이 많을수록 높았으며, 광도가 약하여 온도가 낮을 경우 증산율과 기공 전도도가 낮아졌고, 저온 다습한 기상조건에 의한 증산의 억제는 식물체와 대기사이의 증기압기울기가 낮아지는 것으로 생각된다. 발효과 발생은 과실의 비대가 느린 착색기 이후에 토양수분이 -10 kPa로 많고, 저온 다습하여 참외와 대기 사이에 증기압기울기가 낮게 형성되어 증산이 억제될 때 발생하였다. 따라서 참외의 발효과 발생은 착색기 이후 참외의 과실 비대가 지연되는 반면 지온이 높아 뿌리로부터 지상부로 수분의 공급이 원활하고, 저온 다습한 기상조건하에 수분의 증산이 억제되어 수분이 태좌부로 유입되면 발효과가 발생되는 것으로 생각된다.