There has been an increase of using Bosch Process to fabricate MEMS Device, TSV, Power chip for straight etching profile. Essentially, the interest of TSV technology is rapidly floated, accordingly the demand of Bosch Process is able to hold the prominent position for straight etching of Si or another wafers. Recently, the process to prevent under etching or over etching using EPD equipment is widely used for improvement of mechanical, electrical properties of devices. As an EPD device, the OES is widely used to find accurate end point of etching. However, it is difficult to maintain the light source from view port of chamber because of contamination caused by ion conflict and byproducts in the chamber. In this study, we adapted the SPOES to avoid lose of signal and detect less open ratio under 1 %. We use 12inch Si wafer and execute the through etching 500um of thickness. Furthermore, to get the clear EPD data, we developed an algorithm to only receive the etching part without deposition part. The results showed possible to find End Point of under 1 % of open ratio etching process.

그라비어 오프셋 인쇄법의 장점을 보완하기 위해서 폴리머 다이렉트 그라비어 인쇄법을 이용하여 터치패널용 미세 전극 패턴형성에 대해서 검토하였다. 분자량이 서로 다른 2종류의 epoxy binder와 3종류의 silver powder 및 carbon powder를 이용하여 Ag paste를 제조하여 전극패턴 형성 및 이에 물성을 검토하였다. 그 결과 flake/spherical hybrid 및 고분자량의 epoxy binder로 제조한 Ag paste가 접착력과 전도성이 더 우수함을 알 수 있었다. 30/30㎛을 구현하기 위해서는 TI치가 3.6정도가 적합함을 알 수 있었다. 결론적으로 롤투롤 인쇄법인 폴리머 다이렉트 그라비어 인쇄법으로 30/30㎛ 전극패턴 형성이 가능함을 알 수 있었다.

본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 0.2μm 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다.