The purpose of flow analysis is to develop a simple CFD analysis model to develop a heat transfer analysis model including transient heat transfer characteristics, especially phase change, of thin film evaporators. The simple analytical model focuses on the evaporation phase change. To reduce the computational cost, the shape was simplified to two dimensions, and the simulation time was set short with a focus on simulating the phase change phenomenon. In the future, based on this analysis model, we will develop an analysis model for simulating not only vaporization but also liquefaction, that is, transient distillation phenomenon, according to the shape of the thin film distillation device.

스테아르산과 인지질혼합물의 농도변화에 띠르는 유기초박막에 대한 안정성을 조사하였다. 스 테아르산과 인지질 혼합물 유기초박막은 ITO glass에 LB법을 사용하여 제막하였다. 전기화학적 특성은 NaClO4 용액에서 3 전극 시스템으로 순환전압전류법을 사용하여 초기 1650 mV에서 최종 퍼텐셜 -1350 mV 까지 측정하였다. 그 결과 스테아르산과 인지질의 혼합물 유기초막은 순환전압전류도표로부 터 산화전류로 인한 비가역공정으로 나타났다. 스테아르산과 인지질혼합물 LB막(몰비 1:1, 1:2, 1:3)에 서 확산계수(D)는 0.01 N NaClO4에서 각각 1.4x10-3, 1.7x10-3 및 1.6x10-3 (cm2/s)로 산출되었다.

Ultra-thin liquid films on solid substrates in contact with the saturated vapor are studied by using molecular dynamics simulation. The properties of evaporation and condensation of the films of various adsorptive strengths and thicknesses are obtained during the quasi-steady film evolution. Net condensations occur when the ultra-thin films on the high energy surface come into contact with the saturated vapor phase because the normal film pressure stays lower than the saturated vapor pressure. The net condensation rate is higher for the material combination of higher adsorptive strength. It becomes more so when the film thickness is of a lesser size. On the other hand, that of lower adsorptive strength has lower net condensation rate and depends less on the film thickness. Therefore, the size effect of the condensation phenomenon is more significant for the system of a higher adsorptive strength. This properties come from the state of ultra-thin film, which can be quantified by using disjoining pressure in the quasi-steady processes. These results have implications in practical problems concerning the moving contact line when the precursor film formation is critica

Ultra-thin aluminum (Al) and tin (Sn) films were grown by dc magnetron sputtering on a glass substrate. The electrical resistance R of films was measured in-situ method during the film growth. Also transmission electron microscopy (TEM) study was carried out to observe the microstructure of the films. In the ultra-thin film study, an exact determination of a coalescence thickness and a continuous film thickness is very important. Therefore, we tried to measure the minimum thickness for continuous film (dmin) by means of a graphical method using a number of different y-values as a function of film thickness. The raw date obtained in this study provides a graph of in-situ resistance of metal film as a function of film thickness. For the Al film, there occurs a maximum value in a graph of in-situ electrical resistance versus film thickness. Using the results in this study, we could define clearly the minimum thickness for continuous film where the position of minimum values in the graph when we put the value of Rd3 to y-axis and the film thickness to x-axis. The measured values for the minimum thickness for continuous film are 21 nm and 16 nm for sputtered Al and Sn films, respectively. The new method for defining the minimum thickness for continuous film in this study can be utilized in a basic data when we design an ultra-thin film for the metallization application in nano-scale devices.

Reactive DC magnetron sputtering 법으로 AISI 304 스테인레스강 기판 위에 TiN 극박막을 50nm∼700nm 두께로 증착한 후, 경화된 AISI 52100 강과 알루미나를 마모 상대재로 하여 박막의 미끄럼마모 시험을 상온 대기 중에서 행하고, 마모 상대재에 따른 TiN 극박막의 마찰과 마모 거동을 연구하였다. AISI 52100 강구를 마모 상대재로 한 경우, TiN 박막은 200g 이하의 마모 하중과 0.035m/sec의 낮은 미끄럼 속도 조건에서 500nm 내외의 극박으로도 마찰계수가 0.1 내외로 유지되는 우수한 내마모성을 보였다. 이같이 우수한 내마모성은 AISI 52100 강으로부터 천이된 Fe가 산화되어 TiN 박막 표면에 Fe 산화층을 형성한 때문으로 설명되었다. 그러나, 마모 상대재를 알루미나 볼로 한 경우에는 TiN 박막 위에 산화층이 형성되지 않고, 마모가 거의 되지 않는 알루미나 볼과 박막층 사이에 국부적 응력집중 등이 발생하여 시험된 전 조건 하에서 박막층의 박리 현상이 관찰되었고 높은 마찰계수가 측정되었다. 또한 기판의 평균 표면조도, Ra가 박막의 두께와 유사할 때 마찰계수가 급격히 상승하는 현상이 관찰되었다.

Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 CoSi2에 As+을 이온주입한 후, 500~1000˚C에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 n+ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. 500˚C에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 CoSi2Si의 계면이 균일하였기 때문이다.

Polyamic acid alkylamine (N, N-dimethylhexadecylamine)(PAAS)염을 합성하여 그 합성여부를 확인하였으며 PAAS염의 Langmuir막의 π-A 등온선 및 표면 전위 특성 등을 조사 하였다. Langmuir-Blodgett법에 의하여 PAAS염의 LB막을 여러종류의 기관에 누적하였으며 누적여부를 자외선 흡수 스펙트럼 및 적외선 투과 스펙트럼을 이용하여 조사하였다. 그리고 PAAS LB막을 열처리에 의하여 이미드(imide)화시켜 폴리이미드 LB막을 제조하였으며 그 이미드화 여부를 자외선 및 적외선 스펙트럼을 이용하여 조사하였다.