본 논문은 아시아에서 돈육 생산과 소비의 강국인 중국, 일본, 한국 3개국의 과거와 현재 돈육 산업을 조사하고 향후 돈육 생산과 소비를 예측하는 것을 목적으로 한다. 중국은 경제 시스템 변화와 가속화된 경제 성장으로 돈육의 생산과 소비에서 높은 순위를 차지할 수 있었고, 양돈 산업은 계속 발전할 것이며, 생산과 소비는 계속 증가할 것으로 예상된다. 일본의 돈육 생산량은 오랫동안 꾸준히 감소해 왔다. 일본은 돈육 수입량이 많아 순위가 높지만 수입량에 비해 소비가 크지 않아 수입량은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 한국은 양돈산업의 발달과 대규모 농장 운영의 확대로 돈육 생산이 발달했고, 이를 통해 양돈 생산 분야에서 높은 순위를 차지하고 있다. 돈육의 소비도 지속적으로 증가하고 있다. 농업 부문의 경제적 측면에서는 돈육 생산과 소비의 비율이 계속 증가하고 있다. 중국, 일본, 한국의 돈육 생산과 소비는 농업부문뿐만 아니라 세계 경제에도 상당한 영향을 미칠 것이다.

식량 생산량은 지난 반세기 동안 세 배로 증가했다. 세계의 인구는 30억에서 70억으로 증가했고, 기대수명은 46세에서 65세로 증가했다. 전 세계 가축 생산량이 56% 증가한 것은 가축 개량 덕분이다. 2050년에 세계 인구는 98억 명으로 추정되므로, 생산량은 현재 두 배 이상 증가해야 한다. 경제 동물의 수가 증가하고 생산자의 수가 감소함에 따라, 생산자는 농장을 관리하고 통제해야 할 동물이 더 많아졌다. 농장의 사육밀도가 높으면 개체 간 질병 발생과 성장 능력 저하를 가속화할 수 있으며, 이는 제품의 질을 해칠 뿐만 아니라 동물 복지에 대한 심각한 우려를 불러일으킬 수 있다. 1980년대 후반에 기술을 통해 토양 사용을 극대화하는 동시에 환경 영향을 줄이기 위해 작물 시스템에 정밀 농업(PA)이 도입되었다. 이해해야 할 중요한 것은 PA가 효율성을 극대화하고 환경 피해를 최소화한다는 목표와 함께 동물 산업과 같은 모든 농업 생산 시스템에 적용된다는 것이다. 동물 산업에서 PA의 예로는 생산과 동물 관리의 효율성을 향상시키고, 동물 복지 및 건강에 대한 우려를 해결하며, 환경 손상과 자원 사용을 최소화하는 데 전념하는 정밀 축산 농업이 있다. 특히 널리 보급된 것은 이미지 분석, 동물 실시간 모니터링, 센서, 이미지 및 기록으로부터의 데이터 수집과 같은 고급 기술의 사용이다. 본 연구의 목적은 농장의 생산성과 관리를 향상시키면서, 동물 육종 시스템에 적용가능한 신기술을 살펴보는 것이다.

곡류에서 오염되는 곰팡이독소인 아플라톡신과 데옥시 니발레놀을 경기도 내 유통 곡류 및 그 가공품 205개 시료에서 분석하였다. 총아플라톡신은 16개 시료(8%)에서 0.01~27.88 μg/kg 농도로 검출되었고, 데옥시니발레놀은 56 개 시료(27%)에서 2.2~754.4 μg/kg 농도로 검출되었으며, 8개 시료는 아플라톡신과 데옥시니발레놀이 동시에 검출 되었다. 아플라톡신의 검출빈도는 건조옥수수와 부침가루 각각 33%, 튀김가루 25%, 수수 18%, 밀과 기장에서 각각 13%로 나타났고, 데옥시니발레놀의 검출빈도는 율무 85%, 밀 75%, 팝콘용옥수수가공품 60%, 수수 55%, 보리 44%와 건조옥수수 33%로 나타났다. 본 연구 결과를 기초로 한 곡류의 총아플라톡신과 데옥시니발레놀의 성인 1일 인체노출량은 0.80 (×) 10−3 μg/kg b.w./day과 0.18 μg/kg b.w./day 이었으며, 데옥시니발레놀의 성인 1일 인체노출량은 JECFA에서 제정된 PMTDI 1 μg/kg b.w./day 대비 18.5%에 해당하는 농도로 곡류 섭취를 통한 건강상의 위해 가능성은 미약한 것으로 평가되었다. 그러나 총아플라톡신이 가장 높게 검출된 건조옥수수 (27.88 μg/kg)와 데옥시니발레놀이 가장 높게 검출된 율무 (754.4 μg/kg)의 경우 총아플라톡신은 국내·외 규제 최고 농도를 초과한 수준이었으며, 데옥시니발레놀은 일부 국외 규제 최고농도를 초과한 수준이었다. 따라서 지구온난화로 우리나라의 기후조건이 곰팡이가 생육하기 좋은 환경으로 변해가므로 곡류제품이 원산지로 부터 소비에 이르기까지 생산·유통과정 중 어느 시점에서 곰팡이독소가 오염되는지에 대한 연구·관리가 더욱 활발히 수행되어야 할 것으로 판단된다.

본 연구에서는 석영을 기판으로 사용하여 텅스텐 실리사이드 게이트를 고온에서 결정화시키고, 이? 발생되는 crack 에 대한 생성원인을 조사하였다. 증착된 텅스텐실리사이드의 실리콘 조성과 실리콘 완층충의 두께가 증가함에 따라 열응력이 감소하는 경향이 관찰되었으며, 과잉의 실리콘 조성을 가진 실리사이드를 열처리한 경우에는 crack에 대한 저항이 증가함을 알 수 있었다. 그러나 실리콘 완충층을 사용한 경우는 두께가 증가함에 따라 열응력이 감소하는 경향이 있으나, crack이 보다 쉽게 발생되는 결과를 얻었다. 이는 실리사이드 반응에 의하여 거칠어진 계면에 응력이 집중되어 crack생성을 쉽게하는 것으로 여겨진다. 결과적으로 석영과 텅스텐실리사이드의 열?창계수차이에 의하여 생성되는 열응력이 crack생성의 주원인으로 작용하고, 실리콘 완층층을 사용한 구조하에서는 계면에서 일어나는 실리사이드반응이 crack생성에 큰 영향을 미치는 것으로 생각된다.