일반적으로 SWRO의 경우 에너지 소비량은 3.5 kWh/m³ 이상의 에너지를 소비한다. 그중 RO트레인은 2.5～3.0 kWh/m³를 소모해 전체 에너지 소비량의 70% 이상을 소비하고 있으며, 전체 시스템 에너지 절감을 위해서는 RO트레인의 최적 설계가 중요하다. 따라서 당사는 다양한 RO트레인의 설계를 최적화 하여 소모되는 에너지의 양을 10% 절감하고자 한다. 1) ISDInternally Staged Desing)을 적용한 1st Pass의 설계최적화, 2) SPSP(Split Partial Sencond Pass) 적용을 통한 2nd 용량 최적화 설계, 3) 초고성능 막을 적용한 Single Pass 설계방법의 최적 조합을 통해 저에너지 역삼투막 시스템 설계 기술을 개발하고자 한다.

We report plasma-assisted molecular beam epitaxy of InXGa1-XN films on c-plane sapphire substrates. Prior to thegrowth of InXGa1-XN films, GaN film was grown on the nitride c-plane sapphire substrate by two-dimensional (2D) growthmode. For the growth of GaN, Ga flux of 3.7×10−8 torr as a beam equivalent pressure (BEP) and a plasma power of 150W with a nitrogen flow rate of 0.76 sccm were fixed. The growth of 2D GaN growth was confirmed by in-situ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) by observing a streaky RHEED pattern with a strong specular spot. InN films showedlower growth rates even with the same growth conditions (same growth temperature, same plasma condition, and same BEPvalue of III element) than those of GaN films. It was observed that the growth rate of GaN is 1.7 times higher than that ofInN, which is probably caused by the higher vapor pressure of In. For the growth of InxGa1-xN films with different Incompositions, total III-element flux (Ga plus In BEPs) was set to 3.7×10−8 torr, which was the BEP value for the 2D growthof GaN. The In compositions of the InxGa1-xN films were determined to be 28, 41, 45, and 53% based on the peak positionof (0002) reflection in x-ray θ-2θ measurements. The growth of InxGa1-xN films did not show a streaky RHEED pattern butshowed spotty patterns with weak streaky lines. This means that the net sticking coefficients of In and Ga, considered basedon the growth rates of GaN and InN, are not the only factor governing the growth mode; another factor such as migrationvelocity should be considered. The sample with an In composition of 41% showed the lowest full width at half maximum valueof 0.20 degree from the x-ray (0002) omega rocking curve measurements and the lowest root mean square roughness valueof 0.71nm.

We report growth of epitaxial AlN thin films on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. To achieve two-dimensional growth the substrates were nitrided by nitrogen plasma prior to the AlN growth, which resulted in the formation of a two-dimensional single crystalline AlN layer. The formation of the two-dimensional AlN layer by the nitridation process was confirmed by the observation of streaky reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns. The growth of AlN thin films was performed on the nitrided AlN layer by changing the Al beam flux with the fixed nitrogen flux at 860˚C. The growth mode of AlN films was also affected by the beam flux. By increasing the Al beam flux, two-dimensional growth of AlN films was favored, and a very flat surface with a root mean square roughness of 0.196 nm (for the 2 μm × 2 μm area) was obtained. Interestingly, additional diffraction lines were observed for the two-dimensionally grown AlN films, which were probably caused by the Al adlayer, which was similar to a report of Ga adlayer in the two-dimensional growth of GaN. Al droplets were observed in the sample grown with a higher Al beam flux after cooling to room temperature, which resulted from the excessive Al flux.

We report the structural characterization of BixZn1-xO thin films grown on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. By increasing the Bi flux during the growth process, BixZn1-xO thin films with various Bi contents (x = 0~13.17 atomic %) were prepared. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed the formation of Bi-oxide phase in (Bi)ZnO after increasing the Bi content. However, it was impossible to determine whether the formed Bi-oxide phase was the monoclinic structure α-Bi2O3 or the tetragonal structure β-Bi2O3 by means of XRD θ-2θ measurements, as the observed diffraction peaks of the 2θ value at ~28 were very close to reflection of the (012) plane for the monoclinic structure α-Bi2O3 at 28.064 and the reflection of the (201) plane for the tetragonal structure β-Bi2O3 at 27.946. By means of transmission electron microscopy (TEM) using a diffraction pattern analysis and a high-resolution lattice image, it was finally determined as the monoclinic structure α-Bi2O3 phase. To investigate the distribution of the Bi and Bi-oxide phases in BiZnO films, elemental mapping using energy dispersive spectroscopy equipped with TEM was performed. Considering both the XRD and the elemental mapping results, it was concluded that hexagonal-structure wurtzite BixZn1-xO thin films were grown at a low Bi content (x = ~2.37 atomic %) without the formation of α-Bi2O3. However, the increased Bi content (x = 4.63~13.17 atomic %) resulted in the formation of the α-Bi2O3 phase in the wurtzite (Bi)ZnO matrix.

최근 햄버거 병을 시작으로 살충제 계란파동, E형간염 소시지까지, 급증한 식품안전 사고는 국민식품소비를 위축시키고 막연한 공포감 조성으로 올바른 식품섭취를 유지할 수 없도록 한다. 국민소득 증가와 더불어 식품의 안전성에 대한 소비자의 관심이 높아지고 있으며, 소비자는 보다 안전한 먹거리를 공급해줄 것을 요구하고 있다. 이에 대한 대응책을 마련하고자 정부와 식품업계, 학계 등은 고심하고 있다. 본 연구는 4차산업혁명에 발맞추어 식품안전분야에 ICT기술을 활용한 생산에서 소비자까지의 식품 공급망의 안전관리를 체계화하는 FSMS(Food Safety Management System)을 구성해보고 그를 통한 식품의 안전도를 시험분석을 통해 효과를 검증하는 것이 목적이다. 본 연구는 FSMS의 기술요소인 빅데이터, 온습도IoT센서 등을 Pilot Test하고 FSMS 도입전과 도입후의 검체를 체품하여 공인식품시험검사기관에서 검체의 미생물수 분석을 통해 최종적으로 FSMS의 도입효과와 모형도를 제시하였다.

본 논문은 부산항의 부가가치를 제고할 수 있는 방향성을 정립하는 것을 목적으로 하여 문헌 분석과 실증 분석을 실시하였다. 문헌 분석의 경우 로테르담 항만 및 앤트워프 항만과 부산항의 기능을 비교 분석하여 부산항의 한계와 방향성을 모색하였다. 로테르담 항만과 앤트워프 항만의 경우 컨테이너화물, 일반화물, 액체화물을 처리하는 종합항만으로서의 기능을 수행하는 데 비하여 부산항의 경우 컨테이너 화물 비중이 88%를 상회하며, 액체화물 및 일반화물은 인근 울산항, 마산항 및 진해항에서 처리하여 그 기능이 분산되어 있다. 따라서 부산항의 경우 인접 항만과 기능이 중복되지 않는 범위에서 항만 기능을 다각화하여 부가가치를 높일 수 있는 방안 모색이 필요한 것으로 정리하였다. 지역 항만 전문가를 대상으로 한 실증분석의 경우 그 결과가 문헌 검토 결과와 유사하게 나타났다. 거시적 관점의 경우 컨테이너 중심 특화, 일반화물 처리 기능 강화 등의 중요도가 높게 나타났으며, 미시적 관점의 경우 컨테이너부두 배후물류단지, 유류공급기지 등의 순으로 중요도가 평가되었다.

물류환경의 급격한 변화와 함께 항만을 둘러싼 환경도 빠르게 변화하고 있다. 이와 같은 항만환경의 급격한 변화는 동북아지역을 중심으로 한 전 세계 컨테이너 물동량의 급속한 증가, 정기선사의 경영전략 변화, 부두운영업의 글로벌화, 물류중심화 선점을 위한 경쟁 격화, 선박기술의 혁신 등으로 나타나고 있다. 항만의 운영 관리 책임자들은 이러한 변화를 예측하고 이에 신속히 대응하여 항만경쟁력을 확보하기 위하여 노력을 경주하고 있다. 국내외를 연결하는 항만 간 경쟁은 국제적인 것이 일반적이어서 우리나라 항만뿐만 아니라 이웃나라 항만과의 경쟁에서도 우위를 확보해야만 한다. 특히 우리나라 항만은 전 세계적으로 항만 간 경쟁이 가장 치열한 동북아 지역에 위치하고 있어 더욱 강력한 경쟁력을 확보하지 못한다면 항만 간 경쟁에서 뒤처져 국제무대에서 사라질 수밖에 없다. 이에 본 논문에서는 일반적인 항만을 중심으로 이루어진 항만선택결정요인에 대한 기존 연구들을 살펴보고 이를 재고찰하여 중소형 항만에 적용시킬 수 있는 요인을 도출하여 향후 이들 항만의 경쟁력 확보 방안을 제시하고자 한다.