Cr thin films with O added are deposited on sapphire substrate by DC sputtering and are nitrided in NH3 atmosphere between 300 and 900 oC for various times. X-ray diffraction results show that nitridation begins at 500 oC, forming CrN and Cr2N. Cr oxides of Cr2O3 are formed at 600 oC. And, at temperatures higher than 900 oC, the intermediate materials of Cr2N and Cr2O3 disappear and CrN is dominant. The atomic concentration ratios of Cr and O are 77% and 23%, respectively, over the entire thickness of as-deposited Cr thin film. In the sample nitrided at 600 oC, a CrN layer in which O is substituted with N is formed from the surface to 90 nm, and the concentrations of Cr and N in the layer are 60% and 40%, respectively. For this reason, CrN and Cr2N are distributed in the CrN region, where O is substituted with N by nitridation, and Cr oxynitrides are formed in the region below this. The nitridation process is controlled by inter-diffusion of O and N and the parabolic growth law, with activation energy of 0.69 eV.

페로브스카이트 태양전지는 빠른 속도로 효율 개선이 이루어지며 차세대 친환경 에너지원으로 각광받고 있다. 가공 매개변수의 영향을 강하게 받는 유-무기 혼합 페로브스카이트 태양전지에서 고품질의 광 활성층을 제조하는 것은 매우 중요하다. 본 연구에서는 Methylammonium Lead Iodide(MAPbI3) 광 활성층 제작 시, 결정화가 이루어지는 열처리 과정에서 압력을 가함으로써 용매가 증발하는 속도를 조절할 수 있는 가압열처리 공정방법(pressure assisted annealing process, PA method)을 개발하였다. 본 연구에서 개발한 광 활성층 제조방법은 보다 오래 용매를 활성층 내에 머물게 할 수 있어서 MAPbI3의 중간단계에서 그레인의 성장을 극대화 할 수 있으며, 이를 통해 고품질 페로브스카이트 광 활성층의 제조를 가능하게 한다. 또한 본 가압열처리 방법으로 형성시킨 페로브스카이트 광 활성층을 도입하여 태양전지를 제조하였을 경우, 소자의 최고 성능은 기존의 방법으로 제조된 소자와 비교하여 24.4 mA cm-2의 높은 단락 전류밀도, 0.96 V의 개방전압, 0.75의 필 팩터를 나타내며 17.3 %의 에너지 전환효율을 나타내었다.

ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and O2 mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and roomtemperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when O2 is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ± 3 V of the reverse and forward bias voltage is about 5.8 × 103, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.

본 연구의 목적은 코로나19가 확산하기 이전 시합에 정상적으로 참여했을 때와 코로나19 확산으로 인해 장 기간 시합에 참여하지 못했을 때 학생선수와 실업선수의 선수 정체성 변화양상을 알아보는 것이다. 방법: 연구대 상은 코로나19 확산 전 대부분의 대회에 참가한 경험이 있는 고등학교 여자탁구선수 65명과 실업탁구선수 35명 이었다. 설문지를 활용하여 선수 정체성을 측정하였으며, 수집된 자료에 대하여 빈도분석, 대응표본 t-test. 반복측 정 이원분산분석(two-way ANOVA)을 실시하였다. 결과: 코로나 19로 인한 장기간 시합 미참가는 학생 탁구선수 와 실업 탁구선수의 선수 정체성을 감소시켰는데, 학생선수에 비해 실업선수의 선수 정체성이 더 현저하게 위축 되었다. 또한, 경기력 수준(상비군 경험 유무)에 따라 학생선수와 실업선수의 선수 정체성의 변화가 다르게 나타 났다. 선수 정체성의 하위 요인인 긍정적 정서의 경우 상비군 경험이 있는 학생선수들이 상비군 경험이 없는 선 수들에 비해 더 급격하게 감소되었다. 결론: 장기간 시합 미참가는 학생과 실업 여자 탁구선수의 선수 정체성이 위축되는데 학생보다 실업 선수가 더 부정적으로 영향을 받았다. 선수 정체성의 침체를 막기 위해서는 무관중 경 기 등으로라도 시합 참가 기회가 꾸준하게 마련되어야 한다.