Simple and high efficiency green phosphorescent devices using an intermixed double host of 4, 4', 4"-tris(N-carbazolyl) triphenylamine [TCTA], 1, 3, 5-tris (N-phenylbenzimiazole-2-yl) benzene [TPBI], phosphorescent dye of tris(2-phenylpyridine)iridium(III) [Ir(ppy)3], and selective doping in the TPBI region were fabricated, and their electro luminescent characteristics were evaluated. In the device fabrication, layers of 70Å-TCTA/90Å-TCTA[0.5TPBI0.5/90Å-TPBI doped with Ir(ppy)3 of 8% and an undoped layer of 50Å-TPBI were successively deposited to form an emission region, and SFC137 [proprietary electron transporting material] with three different thicknesses of 300Å, 500Å, and 700Å were used as an electron transport layer. The device with 500Å-SFC137 showed the luminance of 48,300 cd/m2 at an applied voltage of 10 V, and a maximum current efficiency of 57 cd/A under a luminance of 230 cd/m2. The peak wavelength in the electroluminescent spectral and color coordinates on the Commission Internationale de I'Eclairage [CIE] chart were 512 nm and (0.31, 0.62), respectively.

We have fabricated and evaluated newNew high high-efficiency green green-light light-emitting phosphorescent devices with an emission layer of [TCTA/TCTA1/3TAZ2/3/TAZ] : Ir(ppy)3 were fabricated and evaluated, and compared the electroluminescence characteristics of these devices were compared with the conventional phosphorescent devices with emission layers of (TCTA1/3TAZ2/3) : Ir(ppy)3 and (TCTA/TAZ) : Ir(ppy)3. The current density, luminance, and current efficiency of the a device with an emission layer of (80Å-TCTA/90˚Å-TCTA1/3TAZ2/3/130Å-TAZ) : 10%-Ir(ppy)3 were 95 mA/cm2, 25000 cd/m2, and 27 cd/A at an applied voltage of 10 V, respectively. The maximum current efficiency was 52 cd/A under the a luminance value of 400 cd/m2. The peak wavelength and FWHM (FWHM (full width at half maximum) in the electroluminescence spectral were 513 nm and 65 nm, respectively. The color coordinate was (0.30, 0.62) on the CIE (Commission Internationale de I'Eclairage) chart. Under the a luminance of 15000 cd/m2, the current efficiency of the a device with an emission layer of (80Å-TCTA/90Å-TCTA1/3TAZ2/3/130Å-TAZ) : 10%-Ir(ppy)3 was 34 cd/A, which has beenshowed an improvement of improved 1.7 and 1.4 times compared to those of the devices with emission layers of (300Å-TCTA1/3TAZ2/3) : 10%-Ir(ppy)3 and (100Å-TCTA/200Å-TAZ) : 10%-Ir(ppy)3, respectively.

광이 입사되는 수광면에 그물망(web)모양의 얕은 P+ -diffusion 영역을 갖는 새로운 구조의 적색광 검출 Si pin photodiode를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 전기.광학적 특성을 -5V의 동작전압에서 측정한 결과, 접합 커패시턴스와 암전류는 각각 4pF와 235pA로 나타났으며 670nm의 중심파장을 갖는 1.6㎼의 입사광 전력 아래에서 광신호 전류와 감도특성은 각각 0.48μA와 0.30A/W로 나타났다. 제작된 소자는 종래의 circular type photodiode에 비해 개선된 감도 특성을 나타내었으며 670~700nm의 파장영역에서 최대 spectral response를 보였다. 본 연구에서의 web-patterned Si photodiode는 red light optics 응용에서 디지털 신호처리시 우수한 신호분리 능력을 나타낼 것으로 기대된다.

DC마그네트론 스퍼터링 방식으로 Ti/SiO2/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O2(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 500˚C로 유지하여 Pt박막을 증착하고 600˚C에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 30~40μΩ.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을 나타내었으며 600˚C의 고온에서 장시간 열처리를 실시하여도 전기저항율이나 우선 배향성의 변화, 박막내 미세 결함 및 열적응집현상 등이 발생되지 않았다.

보른이 고농도 도핑된 p+-Si 영역상에서 비저항이 낮고 열적 안정성이 우수한 Co/Ti 이중막 실리사이드의 형성을 연구하였다. 본 연구에서는 Co/Ti 이중막 실리사이드는 청결한 p+-Si 기판상에 Co(150Å)/Ti(50Å) 박막을 E-beam 기술로 진공증착하고 질소분위기(10-1atm)에서 2단계 RTA 공정(1차열처리:650˚C/20sec, 2차열처리:800˚C/20sec)을 수행하여 제작된다. 실험에서 얻어진 Co/Ti 이중막 실리사이드는 약 500Å의 균일한 두께를 갖고 18μΩ-cm의 낮은 비저항 특성을 나타내었으며, 1000˚C에 이르기까지 장시간 후속 열처리를 실시하여도 면저항 변화나 열응집 현상이 발생되지 않았다.

적외선 센서의 재료로 활용되고 있는 PLT박막 (두께:8000Å-9000Å)을 Pt/Ti/SiO2/Si와 Pt/M?의 하부 구조상에 500˚C, 550˚C 및 600˚C에서 스퍼터링 증착하여 결정성 및 전기적 특성을 조사하였다. 600˚C로 in-situ 성장된 PLT박막은 Si기판을 이용한 경우 randomly oriented perovskite 결정구조를 나타내었으며, Pt/MgO 구조위에서는 c-축(00ι)방향으로 배향 성장되었다. 600˚C에서 in-situ 성장된 PLT박막의 비유전상수(εr)와 유전정접(tan δ)을 10kHz-100kHz의 주파수에서 측정한 결과 Pt/Ti/SiO2/Si 구조상에 증착된 박막은εr=90과 tan δ=0.02의 값을 Pt/MgO 구조상에 증착된 박막은 εe=35와 tanδ=0.01의 값을 나타내었다. 잔류분극량(2Pr)과 초전계수(γ)는 상온부근에서 Si 기판을 이용한 경우 각각 0.6μC/cm2.。C과 0.5x10-8C/cm2.。C정도로 매우 작게 나타났으나 PLT/Pt/MgO 구조에서는 2Pr=5μC/cm2, r=4x10-8C/cm2.。C로 비교적 양호한 초전박막의 전기적 특성을 나타내었다.

nptype Si(100)웨이퍼를 precleaning하고 HF 용액에 dip etching한 후 E-beam dvaporator에 장착하여 Co 단일막(170Å, 340Å)과 Co/Ti 이중막(200Å/ (50-100)Å)을 성장시켰다. 시편의 RTA 과정에서는 N2분위기에서 direct annealing 방식으로 열처리 온도와 시간을 변화시켜가며 Co-silicidation 공정을 수행하였다. Co 단일막으로 형성된 Co-실리사이드의 면저항은 500˚C≤T≤850˚C범위에서 열처리 온도와 시간의 변화에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다. Co/Ti 이중막의 경우 Co-실리사이드의 형성온도가 Co 단일막의 경우에 비해 높게 나타나고 낮은 비저항의 CoSi2를 얻기 위해서는 800˚C이상의 온도로 열처리해야 함을 알 수 있었다. XRD 분석결과, Co 단일막으로부터 얻어진 CoSi2는 (111) 및 (220) 결정상을 나타내었으나, Co/Ti 이중막에 의한 CoSi2는 (200)결정상만이 나타나서 Si(100)기판과 에피층을 이루고 있음을 알 수 있었다. 본 실험에서 CoSi2의 비저항은 약 18μΩ.cm로 나타났으며, TEM 및 AES 분석으로부터 Co/Ti bilayer-실리사이드가 다량의 Si과 Ti 외에 소량의 Co가 섞여있는 표면 복합층과, Si과 Co만이 존재하는 내부 에피층으로 구성됨을 확인하였다.