붕산용액에서 양극산화법으로 장벽형 산화피막을 형성시킨 후 미세조직을 관찰하였다. 양극산화시 인가되는 전압에 따른 피막의 성장속도는 1.54nm/v의 직선적인 관계를 나타냈으며 300v의 인가전압에서 생성된 산화피막의 조직은 500˚C에서 열처리하였을 경우 피막의 상 전이가 일어나지 않았으나 높은 인가전압에서 생성된 산화피막의 경우는 피막의 조직이 비정질에서 γ-alumina로 변태되는 것이 관찰되었다. 또한 피막이 전자빔 조사에 의해서도 γ-alumina로 전이가 일어났다.

Metal-Ferroelectric-Metal(MFM) 구조의 개퍼시터에서 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)-전극 계면층이 PZT 박막 특성에 기여하는 영향을 알아보기 위하여 Pt/PZT/계면층/Pt/TiO2/SiO2/Si 구조의 캐퍼시터를 제작하였다. 계면층으로 사용될 물질들 중에서 PbTiO3(PT) 층을 sol-gel 방법으로 형성하였으며, PbO, ZrO2, TiO2 층들을 reactive sputtering 방법으로 형성하였다. PZT박막을 구성하는 원소들로 이루어진 단순 산화물들의 특성을 평가하기 위하여 PbO, ZrO2, TiO2를 계면층으로 사용하여 600˚C에서 열처리를 실시하였고, 이 경우에는 TiO2가 가장 우수하게 PZT의 결정립 크기를 미세하게 하는 효과를 보였으나, 두께가 증가함에 따라 표면 거칠기가 증가하고 anatase 상으로 남기 때문에 강유전특성이 열화되었다. 반면에 PT 박막을 계면층으로 사용한 경우에는 결정립 크기의 감소와 더불어 전기적인 특성도 향상되었다. 또한 PZT의 핵생성 위치를 판단하기 위하여 PT 삽입층의 위치를 변화하며, 실험한 결과, 하부전극과 PZT 박막의 계면에 PT 삽입층을 형성하였을 경우에 가장 효과적인 seed로서의 역할을 하였다.

Electrochemical charateristics of activated carbon fiber cloth(ACFC) electrode were studied with propylene carbonate(PC), γ-butyrolactone(GBL) and N,N-dimethyl-formamide(DMF) as a solvent and tetraethylammoniumtetrafluoroborate(TEABF4), tetraethylammoniumhexafluorophosphate(TEABF6), tetrabutylammoniumtetrafluoroborate(TBABF4) and tetrabutylammonium hexafluorophosphate(TBAPF6) as an electrolytes(active material). The concentrations of electrolytes were in the range of 0.2~1.2 N, the volume ratios of PC and DMF as a mixed solvent system, were 90：10, 80：20, 70：30, 60：40, 50：50, and 40：60 vol%. Electrochemical characteristics such as electric conductivity, internal resistance, and electric capacitance of fabricated unit cells were measured after the moisture of activated material was removed with molecular sieve. Electrochemical characteristics were better in mixed solvents system than in mono solvent system. The mono solvent system of 1.0 N electrolyte of GBL/TEABF4 with activated carbon cloth electrodes showed better result but the mixed solvent system with PC and DMF/TEABF4(50：50 vol%) and the concentration of 1.0 N electrolyte showed the best characteristics. Internal resistance was 3.47 Ω and specific capacitance was 19.1 F/g respectively.y.

A new type of capacitor named "Super Capacitor" has been developed, in which the properties of electric double layer formed at the interface of activated carbon electrode- liquid organic electrolyte is applied. This capacitor is small In size, light in weight, wide In temperature range(-25~70℃), large in charge-discharge capability and good in voltage preservation. And this super capacitor is applied as a power back-up for electricity failure in volatile memory devices etc., a power source for a short time and a power source for operating actuators. At present the development of high power back-up types of the capacitor system and improvement of their characteristics are being actively conducted in order to find wider applications.lications.

RF magnetrom sputtering으로 52/48 PZT target을 사용하여 PZT thin film을 증착시킨후, furnace annealing을 실시하여 Si 기판에서는 550˚C에서부터 안정상인 peroskite구조가 형성되었다. Si기판위에서는 후속열처리시 계면에 상당한 산화막층이 형성되었으며 TiN 기판위에서는 후속열처리시 TiN층은 사라지고 TiO2층이 형성되었다. SiO2기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다. As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 750˚C후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다. 전기적 특성은 10KHz에서 C-V를 측정결과 약 1300정도의유전상수 값이 나왔으나 후속열처리시 표면에 crack이 발생하였다.

Ta2O5 박막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 박막에 비해 유전율은 높으나 누설전류밀도가 높고, 절연파괴강도가 낮아 DRAM의 커패시터용 재료로서 실용화가 되지 못하고 있다. 본 연구에서는 LPCVD법으로 형성시킨 300Å 두께의 Ta2O5 유전체박막에 대해 후속열처리 또는 전극재료를 변화시켜 열악한 전기적 특성의 원인을 규명하고자 하였다. 그 결과 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 Ta2O5 박막은 전극에 의한 환원반응에 의해 전기적 특성이 열화됨을 알 수 있었고, 이를 TiN 전극의 사용으로 억제시킬 수 있었다. 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 Ta2O5 유전체는 누설정류밀도가 10-1A/cm2, 절연파괴강도가 1.5MV/cm 정도였으며, 800˚C에서 O2열처리를 하면 전기적 특성은 개선되나, 유전율이 낮아진다 TiN 전극을 채용할 경우 누설전류밀도 10-6~10-7A/cm2, 절연파괴강도 7~12MV/cm 로 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 박막과 비슷한 Ta2O5 고유전막을 얻을 수 있었다.

A novel miniaturized CMOS C-Band bandpass filter based on diagonally end-shorted coupled lines and interdigital capacitors is proposed. The utilized coupled lines structure reduced the configuration in size, as small as a few degrees. Moreover, the characteristic of interdigital capacitor, relatively high Q and good capacitance tolerance, accounts for the satisfied performance of this new filter. A two-stage bandpass filter was designed and fabricated with chip surface area only 1.02×1.4 mm2.