목적 : 골프공과 퍼터의 조준보조선의 유무, 개수 및 골프 경력이 퍼팅 시 정렬에 미치는 영향을 분석하고자 하였다. 방법 : 최근 1년간 필드에서 자신의 평균 점수를 알고 사시와 약시가 없는 43명(48.3±10.07세 및 –0.07± 0.74 logMAR)을 대상자로 선정하였으며, 퍼팅 거리 1.5 m 및 3 m에서 조준보조선이 0개, 1개 및 3개인 골프공 과 1개 및 3개인 퍼터를 이용하여 퍼팅 시 정렬 오차를 측정하였다. 결과 : 골프공 및 퍼터의 조준보조선의 유무, 개수 및 골프 경력에 따른 퍼팅 시 정렬 오차를 분석한 결과, 골 프공 정렬의 정확성은 조준보조선 및 핸디캡에 따른 영향이 없는 것으로 나타났다. 하지만, 퍼터 정렬의 정확성은 조준보조선이 1개인 퍼터에 비해 3개인 퍼터에서 증가한 것으로 나타났고 통계적으로 유의한 차이가 발견되었다. 예상 퍼팅 성공률과 주관적 만족도는 조준보조선이 1개인 골프공 및 퍼터에 비해 3개인 골프공 및 퍼터에서 모두 증가하였다. 결론 : 골프공 및 퍼터의 정렬은 전체 퍼팅 수행 과정의 일부분이며, 골프공 및 퍼터의 조준보조선은 정렬 오차 를 일부 감소시키는 것으로 나타났다. 하지만 보다 명확한 분석을 위해 운동학적 측면과 시기능을 모두 고려한 후 속 연구가 반드시 필요할 것으로 생각된다.

본 연구는 오르막 퍼팅 시 좌, 우 경사에 따른 볼의 움직임이 어떻게 변화되는지에 대해 알아보는 것을 목적으로 한다. 본 연구를 위해 한국프로골프협회에서 15년 이상의 골프경기 경험이 있는 피험자들이 참여하였고, 본인들의 퍼터를 이용하여 실제 그린과 유사한 환경에서 퍼팅 동작을 수행하였다. 비디오 카메라를 이용하여 피험자들의 오르막 그린 경사에 따른 퍼팅 동작을 수집 후 동작분석을 실시하였으며, 통계적 유의수준을 a=.05로 설정하였다. 연구결과로 좌, 우 경사별 오르막 퍼팅에서 볼의 위치가 왼쪽에서 오른쪽으로 위치 할 때 볼 움직임의 속도와 각속도가 증가하는 것이 확인되었으며, 여러 경사도 중 성공률을 높여야 하는 오르막 퍼팅에서 경사에 따른 어드레스 볼 위치를 변화할 때, 임팩트 시 클럽 페이스와 볼 움직임이 어떻게 변화하는지를 검증하고, 현장적용 측면에 도움을 주는 과학적 자료를 제시하고자 본 연구를 진행하였다.

Films consisting of a silicon quantum dot superlattice were fabricated by alternating deposition of silicon rich silicon nitride and Si3N4 layers using an rf magnetron co-sputtering system. In order to use the silicon quantum dot super lattice structure for third generation multi junction solar cell applications, it is important to control the dot size. Moreover, silicon quantum dots have to be in a regularly spaced array in the dielectric matrix material for in order to allow for effective carrier transport. In this study, therefore, we fabricated silicon quantum dot superlattice films under various conditions and investigated crystallization behavior of the silicon quantum dot super lattice structure. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra showed an increased intensity of the 840 cm-1 peak with increasing annealing temperature due to the increase in the number of Si-N bonds. A more conspicuous characteristic of this process is the increased intensity of the 1100 cm-1 peak. This peak was attributed to annealing induced reordering in the films that led to increased Si-N4 bonding. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed that peak position was shifted to higher bonding energy as silicon 2p bonding energy changed. This transition is related to the formation of silicon quantum dots. Transmission electron microscopy (TEM) and electron spin resonance (ESR) analysis also confirmed the formation of silicon quantum dots. This study revealed that post annealing at 1100˚C for at least one hour is necessary to precipitate the silicon quantum dots in the SiNx matrix.

Solar cells have been more intensely studied as part of the effort to find alternatives to fossil fuels as power sources.The progression of the first two generations of solar cells has seen a sacrifice of higher efficiency for more economic use ofmaterials. The use of a single junction makes both these types of cells lose power in two major ways: by the non-absorptionof incident light of energy below the band gap; and by the dissipation by heat loss of light energy in excess of the band gap.Therefore, multi junction solar cells have been proposed as a solution to this problem. However, the 1st and 2nd generation solarcells have efficiency limits because a photon makes just one electron-hole pair. Fabrication of all-silicon tandem cells using anSi quantum dot superlattice structure (QD SLS) is one possible suggestion. In this study, an SiOx matrix system was investigatedand analyzed for potential use as an all-silicon multi-junction solar cell. Si quantum dots with a super lattice structure (Si QDSLS) were prepared by alternating deposition of Si rich oxide (SRO; SiOx (x=0.8, 1.12)) and SiO2 layers using RF magnetronco-sputtering and subsequent annealing at temperatures between 800 and 1,100oC under nitrogen ambient. Annealing temperaturesand times affected the formation of Si QDs in the SRO film. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra and x-rayphotoelectron spectroscopy (XPS) revealed that nanocrystalline Si QDs started to precipitate after annealing at 1,100oC for onehour. Transmission electron microscopy (TEM) images clearly showed SRO/SiO2 SLS and Si QDs formation in each 4, 6, and8nm SRO layer after annealing at 1,100oC for two hours. The systematic investigation of precipitation behavior of Si QDsin SiO2 matrices is presented.