화염가수분해증착법에 의해 형성된 0.1μm크기의 soot를 실리콘 기판위에 형성하여 1325˚C에서 2시간 동안 고밀화과정후 투명한 후막을 얻을 수 있었다. 고밀화 열처리는 탈수과정, 재배열 과정, 그리고 고밀화 과정으로 구성되었다. 고밀화 공정후의 두께 수축률은 초기 soot의 96%정도였으며, 급속한 두께의 감소는 950˚C부터 시작되었으며, 본격적인 고밀화가 시작되는 온도는 1250˚C임을 알 수 있었다. soot의 TGA와 DTA를 이용한 열분석 결과 탈수과정에 의하여 9/wt%의 질량감소와 1250˚C이상에서 인(P)의 증발에 의한 2wt%의 질량감소를 관찰하였다. DTA곡선에서는 500˚C, 570˚C. 1258˚C에서 흡열반응 피크를 나타내는데, 이는 B2O3, P2O5 등의 도펀트들의 melting과 실리카 입자사이의 기공이 소멸되면서 입자간의 열전도도의 증가에 의해 나타난 것으로 판단된다.

수직형 FHD증착법을 사용하여 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 실리카 유리미립자를 형성하였으며, SEM, ICP-AES, XRD, TGA-DSC을 사용하여 그 특성을 분석하였다. XRD측정을 통해, 미립자 형성시 사용된 화염온도(1300˚C-1500˚C)와 기판온도(-200˚C)가 SiO2-P2O5계 미립자를 비정질상태로 형성하였으며, SiO2P2O5-B2O3와 SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 미립자에서는 B2O3, BPO4, GeO2의 결정성피크들을 관찰하였다. TGA-DSC 열분석을 통해, SiO2와 SiO2-P2O5는 온도변화에 따른 질량변화가 없었으며, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계의 경우 질량감소를 동반한 유리전이에 따른 분자이완현상 및 결정화나 회복반응을 나타내고 있다. 질량감소는 미립자가 결정상태일때 가속되는 경향을 나타냈으며, DSC열분석을 통해 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 유리미립자들의 고밀화가 시작되는 온도를 각각 1224˚C, 1151˚C, 953˚C, 1130˚C에서 관찰하였다.