부유식 해상태양광 설비는 패널 지지를 위한 프레임 구조물, 구조체의 부력 제공을 위한 부유체와 전체 시스템의 거동을 제한하는 계류시설로 구성되어 있다. 계류시설은 구조물의 지지조건으로서의 역 할을 통해 안정적인 발전량 수급에 기여한다. 하지만 해당 시스템은 설치된 해상환경 특성상 계류선의 파단 및 손상 시 직접적인 탐지가 불가능해 유지관리에 어려움이 있다. 따라서 본 연구에서는 패널지 지 프레임 구조체에 가속도 센서 부착을 가정하여, 해당 센서 계측값을 토대로 계류설비에서 발생한 파단 및 손상이 발생한 위치를 추정하는 알고리즘을 개발하였다. 알고리즘은 비지도학습 인공지능의 일종인 오토인코더를 활용하여 가속도 계측값의 재현 과정을 통해 정상상태의 구조 응답을 학습한 모 델이 비정상상태의 계측값을 재현 시 발생한 오차를 통해 손상 발생 여부와 위치를 실시간 탐지하도 록 구성하였다. 정상상태 구조응답을 기반으로 한 모델의 학습을 위해 패널지지 구조체를 10x10 격자 형으로 결합한 다중 결합 시스템에 불규칙파랑을 환경하중으로 적용함을 통해 발생한 6자유도 가속도 데이터를 확보하였다. 계류시설의 손상 발생 시 주된 변화 인자 탐지를 위해 상관성 분석과 민감도 분 석을 실시하여 손상 위치 추정 알고리즘에 적용할 주요 인자를 선별하여 학습 및 추정 성능에 대한 비교 분석을 수행하였다. 구축된 알고리즘의 테스트를 위해 총 5개 종 손상 케이스 데이터셋을 구축하 여 손상 위치 추정 성능을 비교하였다. 본 연구를 통해 계류 시설에 발생한 손상 여부 및 위치를 추정 하여 부유식 해상태양광 설비의 선제적 유지관리에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

In recent years, anti-PID (Potential Induced Degradation) technologies have been studied and developed at various stages through- out the solar value chain from solar cells to systems in an effort to enhance long-term reliability of the photovoltaics (PV) system. Such technologies and applications must bring in profits economically for both manufacturers of solar cell/module and investors of PV systems, simultaneously for the development of the PV industry. In this study two selected anti-PID technologies, ES (modification of emitter structure) and ARC (modification of anti-reflective coating) were compared based on the economic features of both a cell maker with 60MW production capacity and an investor of 1MW PV power plant. As a result of this study, it is shown that ARC anti-PID technology can ensure more profits over ES technology for both the cell manufacturer and the investor of PV power plant.

In recent years, there has been developed anti-PID technologies(Potential Induced Degradation) in various levels from solar cell to module and to system to enhance of the long life reliability of photovoltaics(PV) system. Such technologies must economically ensure profits for both manufacturers of solar cells and investors of PV system simultaneously for PV industry development. This paper describes a comparison between and selection from two anti-PID technologies in the solar cell level, ES(modification of emitter structure) and ARC(modification of anti-reflective coating) based on the economic features of anti-PID solar cell production system with 60MW capacity for a solar cell maker and a 1MW PV power plant installed with PV modules using anti-PID solar cells. From the comparison between ES and ARC, it is shown that ARC anti-PID technology can make more profit for both a solar cell maker and a PV power plant investor.

The formation of high-quality polycrystalline silicon (poly-Si) on relatively low cost substrate has been an important issue in the development of thin film solar cells. Poly-Si seed layers were fabricated by an inverse aluminum-induced crystallization (I-AIC) process and the properties of the resulting layer were characterized. The I-AIC process has an advantage of being able to continue the epitaxial growth without an Al layer removing process. An amorphous Si precursor layer was deposited on Corning glass substrates by RF magnetron sputtering system with Ar plasma. Then, Al thin film was deposited by thermal evaporation. An SiO2 diffusion barrier layer was formed between Si and Al layers to control the surface orientation of seed layer. The crystallinity of the poly-Si seed layer was analyzed by Raman spectroscopy and x-ray diffraction (XRD). The grain size and orientation of the poly-Si seed layer were determined by electron back scattering diffraction (EBSD) method. The prepared poly-Si seed layer showed high volume fraction of crystalline Si and<100> orientation. The diffusion barrier layer and processing temperature significantly affected the grain size and orientation of the poly Si seed layer. The shorter oxidation time and lower processing temperature led to a better orientation of the poly-Si seed layer. This study presents the formation mechanism of a poly seed layer by inverse aluminum-induced crystallization.