Ta-silicide의 게이트 전극 및 비트라인(bit line)으로의 사용가능성을 알아보기 위하여 As, P, BF2가 5×1015cm-2의 농도로 이온주입된 다결정 실리콘에 탄탈륨을 스퍼터링으로 증착한 후 급속 열처리로 Ta-silicide를 형성하였다. 형성된 Ta-silicide의 특성은 4-탐침법, X-rayghlwjf, SEM 단면사진과 α-step으로 조사하였으며, 불순물들의 거동은 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)로 알아보았다. TaSi2의 형성은 800˚C에서 시작하며 1000˚C 이상에서 완료됨을 알았다. 형성된 TaSi2층으로 out-diffusion 하였다.
불순물이 주입된 실리콘 기판에 500 두께의 탄탈륨 박막을 증착한 후 실리사이드를 형성시키기 위해 아르곤 분위기에서 급속열처리(RTA)률 하였다. 형성된 TaSi2와 불순물의 거동은 XRD, SEM, 4-point probe, HP4145와 SIMS로 조사하였다. 불순물의 종류에 관계없이 TaSi2는 RTA 온도가 800˚C일때 형성되기 시작하였으며 1000˚C이상에서 증착된 Ta가 전부 TaSi2로 상 전이가 일어났다. 또한 TaSi2/P+영역에 대한 접촉저항간은 contact size가 0.9×0.9(μm2)일때 22Ω 낮은값을 가졌으며 이온 주입된 불순물은 RTA처리시 형성된 TaSi2층으로 out-diffusion이 일어났다.
본 연구는 확률에 기초한 한국의 기본 설계풍속 추정을 위한 합리적인 방법을 제시하고 위험도에 기초한 전국의 설계풍속지도를 제안한다. 본 논문에서는 장기기록 지역의 계절풍 연 최대 풍속자료와 단기기록 지역의 계절풍 월 최대 풍속자료의 극치 Type I 분포 모형에 대한 적합성을 검토하였고, 극치 태풍 풍속 분포 추정에서는 Monte-Carlo 시뮬레이션을 이용하여 간접적인 해석방법이 적용되었다. 태풍과 계절풍에 대한 기본 설계풍속은 두개 분포의 적(product)으로 된 혼합모형에서 구한다. 본 연구 결과로부터 제안된 모형과 방법은 현재 한국에서 가용한 단기기록 풍속자료를 이용한 위험도에 기초한 기본설계풍속과 기본 설계풍속지도의 개발에 실용적인 도구로 활용 가능하다고 본다.
실소시비량 및 재식거리간 벼 흰빛잎마름병 발병과 관계를 조사한 결과는 다음과 같았다. 1. 질소시비량과 발병과는 시비량의 증가에 따라 발병율이 많아지는 경향을 나타냈으며, 7.5kg/10a<15kg/10a<30kg/10a의 순으로 발병이 높았다. 2. 질소시비량이 배비(30kg/10a)일 경우에는 재식거리와는 관계없이 전체적으로 높은 발병율을 나타내었다. 3. 표준시비구(15kg/10a)에서는 (표준재식거리)에서 발병도에 큰 차이를 볼 수 없었으나, 재식거리가 넓은 구에서 발병이 높았다.