올바른 식기류세척제 사용법과 일반가정에서 사용하는 전형적인 식기류 세척방법을 도출하기 위한 기초자료를 확립하고자 수도권의 일반가정을 대상으로 사용 식기류, 세척제 사용실태 및 세척방법을 설문조사하였다. 식생활에서 사용하는 식기류는 자기와 유리 등 위생적 자재의 식기류를 주로 사용하였다. 식기류세척제 선택은 세척력을 우선적으로 고려하여 결정하였고, 제 1종 세척제를 주로 사용하였다. 세척제 사용방식은 물에 희석해서 사용하는 경우가 과반을 넘어 제조업체에서 제시한 사용방법을 대체로 준수하고 있었으며, 세척도구는 다목적수세미를 가장 많이 사용하였다. 세척 후 헹굼은 흐르는 물을 사용하는 유수헹굼이 주류를 이루었으며, 헹굼 완료는 미끄럼 제거 여부를 기준으로 하여 판단하였다. 헹굼 후 대상물체의 건조는 대부분 물빠짐대 위에서 자연건조하는 방법을 취하고 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 우리나라 일반가정에서 사용하는 전형적인 식기류 세척방법을 도출하였다.

식품의 열에 의한 손상을 줄이고 안전성을 높이기 위한 비열살균기술로 유전체장벽방전 플라즈마(DBDP) 이용 가능성을 타진하기 위하여 E. coli에 대한 살균효과를 전류세기와 전극간격을 달리하여 조사하였다. DBDP 살균효과는 초기에는 크게 나타나다가 이후 감소하는 2 구간으로 구성된 1차 반응으로 나타났고, 전류세기에 따라 살균효과가 증가하였다. 전극간격에 따른 살균력은 2.65 mm에서 가장 높았으며, 3.33 mm, 1.85 mm 순으로 감소하였다. DBDP 살균패턴은 Singh-Heldman 모델에 적합하였으며, 시료를 고정하고 DBDP를 처리한 경우 곡선형상계수(n)는 0.545-0.783 범위의 값을, D'-value는 0.565-3.268min의 값을 보였다. 최소 D'-value는 전극간격 2.65mm, 전류 1.25 A에서 나타나 가장 우수한 살균력을 보이는 조건으로 확인되었다. DBDP 처리 시 시료를 이동시키면 고정하여 처리한 경우에 비하여 살균효과는 크게 향상되었으며, 양방향 이동식 처리가 단일방향 이동식 처리에 비하여 양호한 살균력을 보였다.

비열살균기술로서 저온플라즈마 활용 가능성을 탐색하고자 유전체장벽 방전 플라즈마(DBDP)생성장치를 제작하여 최적 플라즈마생성 조건을 도출하고 Staphylococcus aureus를 대상으로 살균성능을 조사하였다. DBDP생성장치는 전력공급장치, 변압기, 전극, 시료처리부 등 네 부분으로 구성하였다. 인가전압은 단상 200 V AC를 사용하고, 변압기를 통하여 10.0-50.0 kV로 변환하고 10.0-50.0 kHz의 주파수의 펄스 구형파를 유전체인 세라믹 블록 내에 장치한 전극에 투입함으로써 상압에서 플라즈마를 생성하였다. 주파수를 올림에 따라 높은 전류가 유입되었고, 이에 비례하여 전력소비량이 증가하였다. 전류세기 1.0-2.0 A, 주파수 32.0-35.3 kHz 범위에서 균일하고 안정적인 플라즈마 발생이 이루어졌으며 시료를 투입하지 않은 상태에서의 최적 전극간격은 1.85 mm 이었다. 전극간격을 높임에 따라 소비 전력이 증가하였으나 시료 처리에 적합한 전극간격은 2.65 mm였다. DBDP 처리에 의한 온도상승은 최대 20oC에 불과하여 열에 의한 생물학적 효과는 무시할 수 있었으며 따라서 비열기술임이 확인되었다. Staphylococcus aureus를 대상으로 DBDP 처리할 경우 초기 5분 동안은 살균치가 직선적인 증가를 보이다가 이후 다소 완만해지는 경향을 보였으며 1.25 A에서 10분간 처리 시 살균치는 5.0을 상회하였다.

Since commercial operation of Kori-1 nuclear power plant in 1978, twenty units are under operation and six units are under construction at 2011 present. Nuclear power become a main energy source in our country. However, the plant was constructed by a USA

Traditionally Nuclear Research and Development (R&D) result has been big influence on other industries and societies and it requires large scale investments and study period. So it is essential to apply Quality Assurance (QA) for systematic R&D management

Single-walled carbon nanotubes (SWNTs)를 320 ℃에서 90분 동안 가열하여 비정질 탄소를 제거하고 남아 있는 금속 촉매를 제거하기 위해 염산에 24시간 처리하였다. 정제된 SWNT 표면에 산화반응을 통해 카복실기를 도입하였으며, 가혹한 환경으로 인해 길이가 짧아진 SWNT를 얻었다. 세정된 실리콘 웨이퍼를 3-aminopropyldiisopropylethoxysilane (3-APDIPES)의 톨루엔 용액에 담가 표면에 3-APDIPES의 자기 조립 단층막을 형성시켰다. SWNT의 카복실기와 3-APDIPES의 아미노기 사이의 산-염기 반응을 통해 생성되는 이온 사이의 정전기적 인력을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 SWNT를 배열하였다. Atomic Force Microscopy (AFM) 분석을 통해 반응시간과 농도에 따른 효과를 확인하였고, Transmission Electron Microscopy (TEM)을 이용해 산 처리 시간에 따른 효과를 확인하였다.