A high-quality CIGS film with a selenization process needs to be developed for low-cost and large-scale production. In this study, we used Cu2In3, CuGa and Cu2Se sputter targets for the deposition of a precursor. The precursor deposited by sputtering was selenized in Se vapor. The precursor layer deposited by the co-sputtering of Cu2In3, CuGa and Cu2Se showed a uniform distribution of Cu, In, Ga, and Se throughout the layer with Cu, In, CuIn, CuGa and Cu2Se phases. After selenization at 550˚C for 30 min, the CIGS film showed a double-layer microstructure with a large-grained top layer and a small-grained bottom layer. In the AES depth profile, In was found to have accumulated near the surface while Cu had accumulated in the middle of the CIGS film. By adding a Cu-In-Ga interlayer between the co-sputtered precursor layer and the Mo film and adding a thin Cu2Se layer onto the co-sputtered precursor layer, large CIGS grains throughout the film were produced. However, the Cu accumulated in the middle of CIGS film in this case as well. By supplying In, Ga and Se to the CIGS film, a uniform distribution of Cu, In, Ga and Se was achieved in the middle of the CIGS film.

The selenization process has been a promising method for low-cost and large-scale production of high quality CIGS film. However, there is the problem that most Ga in the CIGS film segregates near the Mo back contact. So the solar cell behaves like a CuInSe2 and lacks the increased open-circuit voltage. In this study we investigated the Ga distribution in CIGS films by using the Ga2Se3 layer. The Ga2Se3 layer was applied on the Cu-In-Ga metal layer to increase Ga content at the surface of CIGS films and to restrict Ga diffusion to the CIGS/Mo interface with Ga and Se bonding. The layer made by thermal evaporation was showed to an amorphous Ga2Se3 layer in the result of AES depth profile, XPS and XRD measurement. As the thickness of Ga2Se3 layer increased, a small-grained CIGS film was developed and phase seperation was showed using SEM and XRD respectively. Ga distributions in CIGS films were investigated by means of AES depth profile. As a result, the [Ga]/[In+Ga] ratio was 0.2 at the surface and 0.5 near the CIGS/Mo interface when the Ga2Se3 thickness was 220 nm, suggesting that the Ga2Se3 layer on the top of metal layer is one of the possible methods for Ga redistribution and open circuit voltage increase.

떡쑥(Gnaphalium affine D. Don, GA)은 동아시아 지역에서 식용으로 사용되고 있으며, 예로부터 전통 적인 민간요법 약재로 사용되어 왔다. 현재 떡쑥 추출물(GA extract, GAE)의 항산화 활성과 항보체 활성 등은 알려져 있으나, 항염과 항알러지 효능 및 그 작용 기작은 자세히 알려져 있지 않다. 본 연구에서는 염증 매개인자 인 산화질소, 프로스타글란딘 E2, Toll-유사수용체 4, 에오탁신-1, 히스타민의 활성화에 대한 GAE의 저해효과 를 평가하였다. 본 연구를 통해, GAE는 유도성 산화질소 합성효소와 COX-2의 발현을 저해함을 확인하였으며, 이를 통해 산화질소와 프로스타글란딘 E2의 생성을 저해함을 확인하였다. GAE는 LPS로부터 유도된 Toll-유 사수용체 4의 발현에도 영향을 미치는 것을 확인하였으며, A23187로부터 유도되는 비만세포의 히스타민 방출 의 억제에도 효과적으로 작용하는 것을 확인하였다. 또한 IL-4로부터 유도된 에오탁신-1의 생성도 효과적으로 억제하는 결과를 확인하였다. 이상의 결과로부터 GAE는 항염증과 항알러지 효능을 가진다고 사료되며, 향후 항염증 및 항알러지 화장품 원료로서의 이용가능성을 보였다.

본 연구에서는 제주도 해안에 자생하는 45종의 해양식물 추출물에 대한 항균 활성을 조사하였다. 해양식물 추출물은 80 % 메탄올에서 유효 성분을 추출하여 시료화 하였고 항균활성을 검증하였다. 그 결과, 45종의 해조류 중에서 넓패, 패, 구멍갈파래 등을 포함한 6종의 해양식물이 미생물 생육을 억제하는 결과를 보였다. 항균활성을 갖는 해양식물 중 패, 감태 2종은 항산화 효능도 동시에 가지고 있음을 확인하였다. 이러한 결과를 통해, 본 실험에서 확보된 추출물이 항균 물질로 사용될 수 있는 가능성을 확인하였다.

본 연구에서는 제주도에서 자생하는 30여 종의 식물추출물에 대한 항비만 효능을 조사하였다. 항비만 효능은 in vitro oil red-O staining 방법을 이용하여 지방전구세포 3T3-L1에서 분화억제력을 측정하였다. 그 결과, 30여 종의 식물 중에서 약도라지, 호장근, 유근피 등을 포함한 6종의 식물이 지방전구세포 3T3-L1의 분화를 억제하였다. 지방전구세포의 분화를 억제하는 물질 중 유근피, 약쑥, 호장근, 후박 4종은 우수한 항산화 효능도 동시에 가지고 있음을 확인하였다. 이러한 결과를 통해, 본 실험에서 확보된 추출물이 항비만 물질로 사용될 수 있는 가능성을 확인하였다.