1.5 μm-thick copper films deposited on silicon wafers were successfully bonded at 415˚C/25 kN for 40 minutes in a thermo-compression bonding method that did not involve a pre-cleaning or pre-annealing process. The original copper bonding interface disappeared and showed a homogeneous microstructure with few voids at the original bonding interface. Quantitative interfacial adhesion energies were greater than 10.4 J/m2 as measured via a four-point bending test. Post-bonding annealing at a temperature that was less than 300˚C had only a slight effect on the bonding energy, whereas an oxygen environment significantly deteriorated the bonding energy over 400˚C. This was most likely due to the fast growth of brittle interfacial oxides. Therefore, the annealing environment and temperature conditions greatly affect the interfacial bonding energy and reliability in Cu-Cu bonded wafer stacks.

The effects of the deposition and annealing temperature on the structural, electrical and opticalproperties of Ag doped ZnO (ZnO:Ag) thin films were investigated. All of the films were deposited with a 2wt%Ag2O-doped ZnO target using an e-beam evaporator. The substrate temperature varied from room temperature(RT) to 250oC. An undoped ZnO thin film was also fabricated at 150oC as a reference. The as-grown films wereannealed in temperatures ranging from 350 to 650oC for 5h in air. The Ag content in the film decreased asthe deposition and the post-annealing temperature increased due to the evaporation of the Ag in the film.During the annealing process, grain growth occurred, as confirmed from XRD and SEM results. The as-grownfilm deposited at RT showed n-type conduction; however, the films deposited at higher temperatures showedp-type conduction. The films fabricated at 150oC revealed the highest hole concentration of 3.98×1019cm-3 anda resistivity of 0.347Ω·cm. The RT PL spectra of the as-grown ZnO:Ag films exhibited very weak emissionintensity compared to undoped ZnO; moreover, the emission intensities became stronger as the annealingtemperature increased with two main emission bands of near band-edge UV and defect-related greenluminescence exhibited. The film deposited at 150oC and annealed at 350oC exhibited the lowest value of Ivis/Iuv of 0.05.

The electromagnetic (EM) wave absorption properties with a variation of crystallization annealing temperature have been investigated in a sheet-type absorber using the alloy powder. With increasing the annealing temperature the complex permeability (), permittivity () and power absorption changed. The EM wave absorber shows the maximum permeability and permittivity after the annealing at for 1 hour, and its calculated power absorption is above 80% of input power in the frequency range over 1.5 GHz.

Magnetic Properties of dust cores made of mixtures of atomized pure iron powder and pure alumina powder has been investigated in the temperature range from 673 to 1073K. The effect of annealing on coercivity has been positive effect up to 973K and thus coercivity is gradually reduced form 280A/m (as-compressed) to 160A/m (973K). However, dust cores annealed at 1073K displayed a 15% increasing of coercivity by annealing at 973K. Hysteresis loss shows a tendency similar to coercivity. Microstructure observation of specimens shows grain refinement by recrystallization in the temperature range from 773 to 1073K.

The alumina dispersion-strengthened (DS) C15715 Cu alloy fabricated by a powder metallurgy route was annealed at temperatures ranging from in the air and in vacuum. The effect of the annealing on microstructural stability and room-temperature mechanical properties of the alloy was investigated. The microstructure of the cold rolled OS alloy remained stable until the annealing at in the air and in vacuum. No recrystallization of original grains occurred, but the dislocation density decreased and newly formed subgrains were observed. The alloy annealed at in the air experienced recrystallization and grain growth took place, however annealing in vacuum at did not cause the microstructural change. The mechanical property of the alloy was changed slightly with the annealing if the microstructure remained stable. However, the strength of the specimen that was recrystallized decreased drastically.

Nb 첨가 Zr합금인 Zr-lNb합금과 Zr-lNb-lSn-0.3Fe함금의 석출물 및 산화 특성에 미치는 마지막 열처리 온도의 영향을 알아보기 위하여 최종 열처리 온도를 450˚C에서 800˚C까지 변화시켜 미세조직 및 산화 특성을 조사하였다. 부식 시험은 400˚C , 수중기 분위기에서 270 일 동안 실시하였으며 X-선 회절법을 이용하여 산화막 결정 구조를 분석하였다. 마지막 열처리 온도가 600˚C 이상일 때 두 합금 모두 β-Zr이 관찰되었으며 모두 재결정 이후 마지막 열처리 온도가 상승할수록 석출물의 면적 분율이 증가하는 경향을 나타내었다. 모든 열처리 온도 구간에서 Zr-lNb합금의 부식 저항성이 Zr-lNb-lSn-0.3Fe 합금에 비해 우수하였으며 두 합금 모두 재결정 이후 부식 저항성이 급격히 나빠졌다. 이는 600˚C 이후 형성된 β-Zr의 영향으로 밝혀졌다.

Zircaloy-4와 Zr-2.5Nb 합금의 부식에 미치는 냉각속도와 소둔온도의영향을 조사하기 위해서 여러 가지 방법으로 열처리된 시편에 대해서 autoclave 부식시험을 실시하였다. 냉각속도의 영향을 조사하기 위해서 시편을 1050˚C에서 30분 가열 후 염빙수냉, 수냉, 유냉, 공냉, 노냉의 방법에 의해 열처리하였으며, 소둔온도의 영향을 조사하기 위해서 α온도, α+β온도, β온도구역에서 열처리하였다. 500˚C부식시험 결과, Zircaloy-4합금에서는 nodule형 부식이 발생되는 반면에 Zr-2.5Nb 합금에서는 nodule형 부식이 발생되지 않았다. Zirfcaloy-4 합금에서는 nodule형 부식이 발생되는 반면에 Zr-2.5Nb 합금에서는 nodule형 부식이 발생되지 않았다. Zircaloy-4합금은 냉각속도가 빠를수록 내식성이 증가하는 반면에 Zr-2.5Nb합금은 냉각속도가 빠를수록 내식성이 감소하는 경향을 보였다. 또한 소둔온도가 증가할수록 Zr-2.5Nb 합금의 내식성은 감소하는 결과를 보였다. Zircaloy-4의 내식성은 Fe, Cr 원소의 기지내 분포와 석출물의 분포에 의해 지배를 받으며 Zr-2.5Nb 합금의 내식성은 기지조직내의 Nb 농도와 β-Nb상에 의해 지배를 받는 것으로 사료된다.

본 연구에서는 BPSG(borophosphosilicate glass)/SiO2/Si 기판상에 5000Å의 구리박막을 화학증착한 후 Ar 분위기하 250-550˚C, 5-90초 급속열처리하여 열처리 전후의 결정구조, 면저항, 미세구조의 박막특성 변화를 분석하였다. 후열처리된 구리박막에서는 결정성 및 (111) 배향의개선과 함께 결정립 성장이 확인되었으나, 구리의 표면산화반응과 BPSG 내로의 급속한 확산에 의해 전기적 특성의 개선은 미미하였다. 그리고 열처리 박막내에는 구리 실리사이드상의 형성이 발견되지 않았으며, 250˚C/90초의 저온 장시간 또는 550˚C/20초의 고온 단시간 조건에서 전형적으로 나타나는 Cu2O 상이 시편의 전기비저항 증가와 표면열화에 직접적으로 영향을 미쳤다. 또한, 이들 결과로부터 급속열처리법에 의한 Cu/BPSG 열처리의 공정범위를 규명할 수 있었다.

The effect of vacuum annealing on the oxidation behavior of milled WC-15%Co powder mixture has been studied. A cobalt component in the milled powder mixture was oxidized preferentially above 175 in air. The specimens showed a steady increase in weight at 175 but did constant weight followed by rapid increase in specimen weight at the beginning above 20. Oxidation of the milled powder mixture was significantly suppressed by vacuum annealing at 30 for 10 h. Suppression of oxidation by vacuum annealing and different oxidation behaviors of the milled powder mixture between 175 and 20, were attributed to removal of strain energy stored in the cobalt powder during vacuum annealing or oxidation treatment above 20. The role of stored strain energy on oxidation of milled WC-15%Co powder mixture was proved by X-ray diffraction method and differential thermal analysis.

Ta2O5박막은 고유전율의 특성으로 차세대 DRAM캐패시터 물질로 유망받고 있는 물질이다. 본 연구에서는 p-type(100)Si 웨이퍼 위에 열 MOCVD 방법으로 Ta2O5박막을 성장시켰으며 기판온도, 버블러 온도, 반응압력의 조업조건이 미치는 영향을 고찰하엿다. 증착된 박막은 SEM, XRD, XPS, FT-IR, AES, TEM, AFM을 이용하여 분석하였으며 질소나 산소 분위기의 furnace 열처리 (FA)와 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 통하여 열처리 효과를 살펴보았다. 반응온도에 따른 증착속도는 300 ~ 400 ˚C 범위에서 18.46kcal/mol의 활성화 에너지를 가지는 표면반응 율속단계와 400 ~ 450˚C 범위에서 1.9kcal/mol의 활성화 에너지를 가지는 물질전단 율속단계로 구분되었다. 버블러 온도는 140˚C일때 최대의 증착속도를 보였다. 반응압력에 따른 증착속도는 3torr에서 최대의 증착속도를 보였으나 굴절율은 0.1-1torr사이에 Ta2O5의 bulk값과 비슷한 2.1정도의 양호한 값이 얻어졌다. 400˚C에서 층덮힘은 85.71%로 매우 양호하게 나타났으며 몬테카를로법에 의한 전산모사 결과와의 비교에 의해서 부착계수는 0.06으로 나타났다. FT-IR, AES, TEM 분석결과에 의하여 Si와 Ta2O5 박막 계면의 산화막 두께는 FA-O2 > RTA-O2 ~ FA-N2 > RTA-N2 순으로 성장하였다. 하지만 질소분위기에서 열처리한 박막은 산소분위기의 열처리경우에 비해 박막내의 산소성분의 부족으로 인한 그레인 사이의 결함이 많이 관찰되었다.

이 논문은 SnO2에 소량의 Pd를 첨가하여 이것을 Al2O3기판위에 진공증착시켜 가스소자를 제작한 후, 소자의 감지특성에 영향을 미치는 열처리 온도, 소자의 온도, Pd의 첨가량의 변화 효과를 조사한 것이다. 소자의 열처리 온도가 550˚C일때와 소자의 동작온도가 350˚C일때 ethanol gas에 접촉시 소자 저항이 가장 낮았다. Pd 1 wt%를 첨가한 경우 에탄올 가스에 대한 소자의 감지특성이 가장 양호하였으며, 저농도 영역에서 특히 우수하였다.