2013년 본 학회에서 총담관결석 진료 권고안이 발간된 이후, 최신의 치료 기술을 반영하면서도 국내 의료 환경을 고려한 임상 진료지침 개정에 대한 요구가 있었다. 이에 대한췌장담도학회는 최근까지 발표된 국내외의 총담관결석과 관련된 중요 문헌을 수집, 분석 및 고찰 후, 전문가 집단을 대상으로 설문조사 시행, 임상진료지침을 개정하였다. 개정된 임상진료지침은 1) 총담관결석의 진단, 2) 총담관결석의 내시경 치료, 3) 난치성 총담관결석의 내시경 치료 3개 분야로 작성되었으며, 총 13개의 권고사항과 그 근거를 제시하는 형태로 기술하였다.

담관 결석은 폐쇄성 황달, 담도염 및 췌장염 등 합병증을 일으킬 수 있으며, ERCP가 1차 치료로 권유된다. 그러나 ERCP 후 부작용의 발생이 적지 않은 만큼, 이를 최소화하기 위해서는 시술 전 담석의 크기 및 개수, 환자의 출혈성 경향 등 위험인자의 확인이 필요하며, 이에 따른 담석 제거를 위한 적절한 방법이 무엇인지에 이해가 필수적이다. 또한 풍선도관이나 바스켓과 같은 부속기구의 장, 단점 및 적응증 그리고 부작용 대처법에 대해서 충분한 숙지가 필요하다.

장액낭성종양(serous cystic neoplasm)은 1978년 Compagno와 Oertel에 의해 처음으로 분류되었으며, 췌장낭성종양(pancreatic cystic neoplasm) 중 10-16%의 빈도를 나타낸다. 장액낭성종양은 악성화의 위험성이 있는 점액낭성종양(mucinous cystic neoplasm)이나 췌관내유두상점액종양(intraductal papillary mucinous neoplasm, IPMN)과는 달리 악성화의 위험성이 거의 없다고 알려져 있다. 또한 장액낭성종양은 일반적으로 고립 병터로 발견되며 췌장의 다른 낭성종양, 만성 췌장염, 췌장암과 같은 췌장 병변과 같이 존재하는 경우는 매우 드물다. 그중에서도 췌관선암종(pancreatic ductal adenocarcinoma)이 동반되는 경우는 거의 없다고 알려져 있다. 이에 저자들은 고이형성 췌장상피내종양(pancreatic intraepithelial neoplasm, PanIN)이 동반된 장액낭성종양과 인접한 위치에 췌관선암종이 동시에 발견된 증례를 문헌고찰과 함께 보고하고자 한다.

췌장암은 예후가 불량하며, 수술적 절제를 통해서만 완치를 기대할 수 있으나 20% 내외의 환자만이 근치적 절제가 가능한 병기에서 진단이 된다. 또한 전신 항암화학치료에 대한 반응도 좋지 않아 항암화학 요법의 개선에도 불구하고 절제 불가능한 췌장암의 예후는 특히 불량하다. 국소진행성 췌장암의 경우 조기의 적극적인 치료로 종양의 용적을 감소시켜 병기를 낮출 수 있다면 수술적 치료가 가능해질 가능성이 있기 때문에 전신 항암화학요법과 병행하는 내시경적 국소 치료의 중요성이 더욱 높다고 할 수 있다. 국소 치료의 종류로는 항암제나 바이러스 벡터를 종양에 주입하는 EUS-FNI와 RFA, IRE 등의 국소 종양 제거술(local ablative therapy), 정위적 방사선 치료를 위한 표식자 삽입(fiducial marker insertion), 악성 담도 폐쇄 시 삽입한 스텐트 기능 유지를 위한 약물-배출 스텐트 삽입 등이 있다.

췌장암은 진단 당시 대부분 진행된 병기에서 발견이 되기 때문에 예후가 매우 좋지 않은 암으로 알려져 있다. 치료 기술의 발전에도 불구하고 국내 췌장암의 5년 생존율은 약 11%로 위암, 대장암 등 다른 암종에 비하여 성적이 매우 좋지 않다. 췌장암의 조기 진단을 위하여 많은 연구가 이루어지고 있는데, 특히 EUS가 췌장암의 조기 진단에 있어서 유용한 영상학적 진단 방법으로 주목을 받고 있다. 현재 EUS는 췌장의 종양을 발견하는 데 있어서 가장 예민한 검사법으로 인정받고 있다. 특히 종양의 크기가 2-3 cm 이내로 작을수록 CT보다 민감도가 우월하다는 연구 결과들이 많다. EUS는 종양 자체뿐 아니라 림프절, 혈관 등 주위 인접 장기들까지 평가가 가능하기 때문에 수술적 절제 가능성 평가에도 많이 활용되고 있다. CT, MRI와 달리 EUS는 영상을 보면서 실시간으로 조직 검사까지 가능하다는 장점이 있고 이는 췌장암의 조직 확진과 다른 췌장 종양과의 감별 진단에 유용하게 사용되고 있다. 췌장암의 선별 검사는 고위험군에 한하여 제한적으로 이루어지고 있는데, EUS는 췌장 병변의 발견율이 우수하여 선별 검사에서도 중요한 역할을 할 것이라 예상한다.

내시경역행담췌관조영술(ERCP)은 췌담도 질환의 필수적인 주요한 진단 및 치료 술기이다. 하지만 ERCP는 위 및 대장내시경 보다 고도의 술기와 경험을 필요로 하고, 심각한 합병증을 유발할 수 있다. 기존의 문헌보고에서 ERCP의 시술 경험이 많아질수록 치료 성공률이 증가하고 합병증은 감소한다는 것은 잘 알려져 있어 주의 깊은 교육과정이 필요하다. 국내에서도 대한췌장담도학회를 중심으로 전임의를 위한 ERCP 교육 가이드라인을 제정하는 등 ERCP의 체계적인 교육에 대한 필요성을 인식하고 있으나 아직까지 국내 의료여건상 문서화 및 표준화된 교육과정과 인증절차 확립의 어려움을 가지고 있다. 본고는 외국의 다양한 ERCP 교육과정과 인증제도 현황을 살펴보고 향후 국내에서 ERCP 인증 과정 개발에 도움이 될 수 있으리라 기대한다.

The relationship the between electrical properties and surface roughness (Ra) of a wet-etched silicon wafer were studied. Ra was measured by an alpha-step process and atomic force microscopy (AFM) while varying the measuring range 10×10, 40×40, and 1000×1000μm. The resistivity was measured by assessing the surface resistance using a four-point probe method. The relationship between the resistivity and Ra was explained in terms of the surface roughness. The minimum error value between the experimental and theoretical resistivities was 4.23% when the Ra was in a range of 10×10μm according to AFM measurement. The maximum error value was 14.09% when the Ra was in a range of 40×40μm according to AFM measurement. Thus, the resistivity could be estimated when the Ra was in a narrow range.

The electrical properties and surface morphology changes of a silicon wafer as a function of the HF concentration as the wafer is etched were studied. The HF concentrations were 28, 30, 32, 34, and 36 wt%. The surface morphology changes of the silicon wafer were measured by an SEM (80˚ tilted at ×200) and the resistivity was measured by assessing the surface resistance using a four-point probe method. The etching rate increased as the HF concentration increased. The maximum etching rate 27.31 μm/min was achieved at an HF concentration of 36 wt%. A concave wave formed on the wafer after the wet etching process. The size of the wave was largest and the resistivity reached 7.54 ohm·cm at an 30 wt% of HF concentration. At an HF concentration of 30 wt%, therefore, a silicon wafer should have good joining strength with a metal backing as well as good electrical properties.