본 연구는 서울시 북동지역의 군자동에 위치한 세종대학교를 중심으로 2001년 봄철 3월에서 4월까지 PM2.5와 PM10을 채취하여, 이들과 결합된 중금속 성분들에 대한 농도분포의 특성을 살펴보았다. 전체 관측기간 동안 산출된 PM2.5, PM10, 조대입자 영역(PM10-PM2.5)의 평균농도는 49.3±29.2, 95.5±46.1, 50.5±35.0 μg/m3으로 나타났다. 연구대상지역의 중금속 오염도를 살펴보기 위해 부화계수(enrichment factor: EF)를 비교한 결과, 미세 및 조대입자 모두에서 Zn, V, Cr, Pb, Cu, Ni, Co, Mo 등의 중금속 성분들의 EF값이 수십, 수백의 범위에 달할 정도로 오염의 수준이 심각하다는 것을 확인할 수 있었다. 미세/조대입자 영역간에 형성되는 농도비를 비교한 결과, Zn, Cr, Pb, Ni 등이 미세입자 영역에서 뚜렷하게 더 높은 농도를 보이는 것으로 확인되었다. 중금속 농도에 대해 보다 세부적인 분석을 실시한 결과, 중금속 성분들의 농도는 상당 수준 증가하는데, 이와 같은 증가는 황사의 영향을 상당 수준 받는 것으로 나타났다.

강 알칼리 이온수인 GC-100X의 항균력을 6가지 주요 식품위해 미생물들에 대해 시험하되 4℃, 25℃ 및 36℃의 서로 다른 온도조건과 유기물 조건 하에서 실험을 수행하였다. 그 결과 GC-100X는 37℃, 3시간 반응 조건 하에서 모든 유해균에 대해 1.0X 10^4 CFU/ml감소 이상의 효과를 나타내었으며 멸균 증류수나 표준 경수로 2배 희석한 경우에도 동일한 결과를 나타내었다. 유기물이 존재할 경우는 항균력의 약화가 관찰되었고, 그람 양성균에 대한 항균력은 높지 않았으나 그람 음성균에 대해서는 강력하고 빠른 사멸능력을 나타내었다. 방울 토마토에 인위적으로 E. coli O157:H7을 부착시키고 그에 대한 GC-100X의 세척효과를 기타의 세척제들과 비교해 본 결과, GC-100X 원액, GC-100X 5% 용액은 100 ppm 염소용액과 유사한 세척효과를 나타내었으며 시판 주방용 합성세제에 비해 그 성능이 우수하였다. 또한 시판 주방용 합성세제와는 달리 GC-100X, GC-100X 5% 및 3% 100 ppm 염소용액은 세척후 토마토 내부로의 균 침투를 억제하는 기능이 있음을 확인하였다. 이 결과는 식품 위생과 주방 청결에 일조할 하나의 방안으로서 안전성, 항균력, 세척력을 갖춘 GC-100X의 식품분야 적용 가능성을 시사하고 있다.

Recent remarkable progress in the semiconductor industry has promoted smaller size of semiconductor chips and increased amounts of heat generation. So, the demand for a substrate material to meet both the characteristics of thermal expansion coefficient and heat radiation has been on the increase. Under such conditions, tungsten(W)-copper(Cu) has been proposed as materials to meet both of the above characteristics. In the present study, the W-10wt.%Cu powders were synthesised by the mixing and hydrogen reduction of the starting mixture materials such as W-Cu, and in order to obtain the full densification. The W-10wt.%Cu produced by hydrogen reduction showed the higher interparticle friction than the simple mixed W-10wt%Cu because of the W agglomerates. In the dilatometric analysis the W-10wt.%Cu prepared from the was largely shrank by heating up at the constant heating rate of /min. The possibility of application of metal injection molding (MIM) was also investigated for mass production of the complex shaped W-Cu parts in semiconductor devices. The relationship between the temperature of molding die and the pressure of injection molding was analyzed and the heating up stage of 120- in the debinding process was controlled for the most suitable MIM condition.

"Hwasan 103" is a new cold-tolerant Italian ryegrass(Lo1ium multiflorum L.) variety developed by theNational Livestock Research Institute(NLR1) in 1999. To develop a cold-tolerant variety of Italianryegrass(Lo1ium multiflorum L.), cold-tolerant clones sur

"Hwasan 102" is a new cold-tolerant Italian ryegrass(Lo1ium rnultiflorum L.) variety developed by theNational Livestock Research Institute(NLRI) in 1999. Having cold tolerance in Italian ryegrass is an importantfor enlargement of cultivation area and incr

실리사이드반웅을 이용하여 니켈모노실리사이드의 양측계면에 단결정실리콘을 적층시켜 전도성이 우수하며 식각특성이 달라 MEMS용 기판으로 채용이 가능한 SOS (Silicon-on-Silicide) 기판을 제작하였다. 실리콘 기판 전면에 Ni를 열증착법으로 1000Å두께로 성막하고, 실리콘 기판 경면과 맞블여 후 300~900˚C온도범위에서 15시간동안 실리사이드 처리하여 니켈모노실리사이드가 접합매체로 되는 기판쌍들을 완성하였다. 완성된 기판쌍들은 IR (infrared) 카메라를 이용하여 비파괴적으로 접합상태를 확인하고. 주사전자현미경 (scaning electron microscope)과 투과전자현미경 (tranmission electron microscope)을 이용하여 수직단면 미세구조를 확인하였다. Ni 실리사이드의 상변화가 일어나는 온도를 제외하고는 Si NiSi ∥Si 기판쌍은 기판전면에 52%이상 완전접합이 진행되었음을 확인하였고 생성 실리사이드의 두께에 따라 나타나는 명암부에 비추어 기판쌍 중앙부에 두꺼운 니켈노실리아드가 형성되었다고 판단되었다. 완성된 Si NiSi ∥ Si 기판쌍을 SBM 수직단면에 의괘 확인한 결과 접합이 완성된 기판중심부의 접합계면은 1000Å 두께의 NiSi가 균일하게 형성되었으며 배율 30,000배의 해상도에서 계면간 분리부분없이 완전한 접합이 진행되었음을 확인하였다. 반면 기판쌍 에지 (edge)부분에는 실리사이드가 헝성되지 않은 비접합상태가 발견되었다. 수직단면루과전자현미경 결과물에 근거하여 접합된 중심부에서는 피접합되는 실리콘의 경면과 니켈이 성막된 실리콘 경면 상부계면에 10-20Å의 비정질막이 발견되었으며, 산화막으로 추정되는 이 막이 접합률을 현저히 저하시키는 것을 확인하였다. 접합이 진행되지 않은 에지부는 이러한 산화막이 열처리 진행중 급격히 성장하여 피접합 실리콘층의 분리가 발생하였다. 따라서 Si NiSi ∥Si 기판쌍의 접합률을 향상시키기 위해서는 피접합 실리콘 계면과 Ni 상부층간의 비정질부를 적극적으로 제거하여야 함을 알 수 있었다.