Sn-rich합금의 석출 현상을 조사하였다. 첫째, 대기중과 진공 중에서 용해된 90Sn-o10Bi(wt%)합금을 140˚C에서 용체화 처리한 후 석출반응을 조사하였다. 90Sn-10Bi(wt%)합금은 불연속 석출(DP)현상을 나타냈다. 공기 중에서 용융된 시료의 DP반응이 진공 중에서 용융된 시료보다 빠르게 진행되었다. 이것은 공기 중에서 용융하는 과정에서 시료에 용존된 산소에 의해 입계 에너지가 감소한 것에 기인하는 것으로 판단된다. 둘째, 용융 후 서냉 응고된 Sn-Bi(-In)합금을 140˚C이하의 온도에서 열처리하여 미세조직 변화를 조사하였다. 명확한 고경각 입계가 존재하지 않는 응고조직에서, 편석영역으로부터 DP반응이 진행되어 석출셈이 형성되었다. DP반응선단에는 반응계면이 관찰되었다. 이 현상은, 이제까지 알려진 바와는 다르게, DP반응이 반응 전에 존재하는 고경각 입계뿐만 아니라 재결정현상에 의해 새로운 석출계면이 생성될 수 있음을 의미한다. 이러한 재결정 현상은 확산에 의한 정합변형(coherency strain)으로 설명된다.

Nd치환이 Ag의 용융점 이하인 940˚C에서 소결한 Bi1-xNdxNbO4세라믹스의 소결거동과 마이크로파 유전특성에 미치는 영향을 연구하였다. Nd치환량(x)이 증가함에 따라 사방점에서 삼사정으로 변하는 양이 증가하였고 결정립의 크기, 겉보기밀도, 유전상수는 감소하였다. Qxf0값은 Nd 치환량이 0.025mole 이하의 경우 큰 변화가 없으나, 그 이상에서는 증가하여 0.1mol일 때 최고값을 보이고 다시 급격히 감소하였다. TCF값은 Nd치환량이 증가할수록(+)방향으로 증가하였다. 가장 우수한 마이크로파 유전특성은 Nd 치환량이 0.025mole일 때 얻어졌으며, 이때 유전상수는 43.7, Qxf/ sub 0/값은 11,046GHz, TCF값은 -1.82ppm/˚C이었다.

서로 다른 씨클로펜타디엔 유도체가 π-결합된 최초의 비스무스 화합물인 η5-C5(CH3)5Bi(η5-C5H5)2이 디펜타메틸씨클로펜타디에닐 비스무스디메틸아미드 Cp*2BiNMe2[Cp*=C5(CH3)5]와 씨클로펜타디에닐 모노머와의 반응으로 합성되었다. 반응조건은 에테르 용매하에 -78℃ 반응온도 조건하에서 얻어졌다. 합성된 반응물을 노르말 헥산 용매에서 재결정시킨 결과, 검은색 결정이 60% 수율로 얻어졌다. 그리고 재결정시킨 반응물을 190K에서 X-선 단결정 구조 분석 방법에 의해 그 구조를 밝혔다. 그 결과 결정계의 격자계는 I2/a, a=1756.00 picometer, b=906.00 picometer, c=2211.00 picometer, β=104.04, Z=8로 확인되었다. 여기서 a, b, c는 결정?Ю? 상수이고, β는 결정격자 상수인 b와 c간의 각도이며, Z는 단위 결정 격자당 분자의 갯수이다.

기존의 전자 기판에서 땜납으로 사용되고 있는 Sn-Pb계 합금을 대체하기 위한 새로운 합금을 개발하기 위하여 열역학을 이용한 상평형계산을 통해 얻은 다원계 상태도를 바탕으로 적정한 녹는점과 용융구간을 가지는 Sn-Bi-In-Zn계 솔더합금을 설계하였다. 설계된 합금을 제작하여 XRD, DSC및 EDX로 분석하여 상의 확인,조성분석 및 고상점과 액상점 등의 녹음 거동을 확인하였다. 또한 열처리에 따른 미세구조의 변화를 관찰하였고, 이러한 조직변화가 기계적 성질에 미치는 영향을 경도실험과 인장실험을 통해 연구하였다.

은 튜브에 장입되기 전의 초기 분말의 입자 크기가 Ag/Bi-2223초전도 선재의 미세구조와 상전이, 임계 전류 밀도등에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 분말의 입자 크기는 하소 분말을 볼밀을 이용하여 0-48 시간 동안 분쇄하여 조절하였다. 열처리 후 최종 초전도 선재의 전기적 성질은 초기 분말의 입자 크기에 영향을 받는 것으로 나타났으며 분말의 분쇄에 의한 반응성의 증가에 의해 열처리시 2223 상으로의 상전이가 빠르게 일어났고 이차상의 크기와 분율이 감소된 미세구조를 얻을 수 있었다. 그러나 과다한 분쇄에 의한 반응성의 증가에 의해 열처리시 2223상으로의 상전이가 빠르게 일어났고 이차상의 크기와 분율이 감소된 미세구조를 얻을 수 있었다. 그러나 과다한 분쇄는 분말의 비정질화를 유발하여 2223 상으로의 전이를 방해함으로써 선재의 임계 전류 밀도를 감소시키는 결과를 나타내었다.

Co/Nb 이중층 구조의 RTA처리에 따른 층역전 현상을 이용하여 CoSi2를 형성하였다. 중간에 삽입된 Nb층은 산화성향이 매우 커서 Si와 Co의 균일한 반응을 방해하는 Si 기판 표면의 산화막을 충분히 제거해 줄 수 있을 뿐만아니라 Co 의 실리사이드화 반응시에 Co와 결합하여 안정한 화합물을 형성해서 기판 Si의 과잉 소모를 막아 줌으로써 실리사이드화 반응을 제어하는 역할을 하는 것으로 나타났다. Co/Nb이중층 구조를 800˚C에서 열처리하여 얻은 최종 구조는 NB2O5/Co2Si.CoSi/NbCox/Nb(O,C)/CoSi2/Si으로 이층들간의 역전과 안정한 CoSi2상의 형성은 비교적 고온인 약 700˚C부터 시작되었으며, 전 열처리 온도구간에서 Nb의 실리사이드가 발견되지 않았는데, 이러한 점들은 모두 Nb 산화물이나 Co-Nb합금층과 같은 매우 안정한 중간 구조상들이 Co와 Si의 원활한 이동을 제한하기 때문으로 보인다.

Diazotization of STA synthesized by the indirect diazotization method. The effect of catalyst and agitation (rpm) about STA and H-acid reaction were examined and the optimum conditions were investigated experimentally. The yields and characteristics of 1.st coupling and diazotization synthesis were identified by HPLC and FT-IR analysis. 1.st condensation of CNC and mPDSA were synthesized at 5℃ and pH=6.5. The conditions of alkaly coupling of H-acid were synthesized at 5℃ and pH=8. The condensation of products was identified by U. V. analysis. From this results, It was obtained to reactive dyestuffs of bi-functional reactivity with high fastness and high adsorption.

Bi-계 고온초전도체인 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2223)단일상을 반응시간을 줄이면서 합성하기 위하여 Bi-Sr-Ca-Cu-O계 내에 존재하는 Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-22o1), Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Bi-2212), (Ca0.91Sr0.09)-CuO2의 혼합물, 특히 정확한 Bi1.7Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10+x의 조성대신 (Ca0.91Sr0.09)CuO2가 많이 첨가된 조성의 혼합물에서 Bi-2223가 가장 쉽게 형성되었다. Bi-2223상은 860˚C와 870˚C에서 60시간 이내에 형성되었다. 소량의 Bi-2212상은 장시간의 반응후에도 여전히 존재하였다. 중간화합물을 이용한 합성방법이 통상의 소결방법에 비해 반응시간내에 소량의 불순물상들을 가진 Bi-2223상을 형성시킬 수 있다.

Bi-Sr-Ca-Cu-O 계에서 상형성에 관해 연구하였다. 임계온도가 80K인 초전도체는 Bi-Sr-Ca-Cu의 몰비율이 2:2:1:2의 성분으로부터 solid state synthesis의 방법으로 합성하였다. 이때 이상에 대한 x-ray diffraction pattern은 모두 색인하였다. 2:2:1를 기본으로한 solid solution의 형성을 Bi2Sr2-xCa1+yCu2O8+δ으로 단일상(single phase)을 형성하고 있으며, 이때 x와 y의 범위는 0<x<0.3 그리고 0<y<0.3이다. 높은 임계온도의 초전도체상(2223)은 BiSrCaCu2Ox의 조성식으로부터 거의 순수한 상을 합성하였다. 이 상에 대한 합성조건은 특별히 구조상의 긴영역의 확산과 아울러 매우 좁은 온도영역의 안정성 때문에 매우 까다롭다. 이 실험의 결과 105K초전도체상은 오직 Cu의 양이 많은 조성으로부터만 형성되었고, 105K로 전이시 긴 저항꼬리가 있는 점으로 보아 grain boundaries 에서의 불순물로 추정된다.

Mn((Cu0.66AI0.34)1-x(Bi0.3Sb0.7)x) 및 Mn((Fe0.66AI0.34)1-x(Bi0.3Sb0.7)x) 합금계의 상의 변화와 자기적 특성을 조사하였다. Mn((Cu, SI)(Bi, Sb)) 합금계는 Bi상, MnSb상, MnBi상, k-상, Heuser상, Mn2Sb 및 β-Mn상의 혼합상으로 이루어졌으며 x가 증가함에 따라 Bi상과 Mn2Sb상이 증가하고 K-상, Heusler상 및 β-Mn상이 줄어들거나 사라졌다. 자기적 성질은 자성을 띄는 MnSb상, MnBi상, Mn2Sb상, k-상 및 Hseusler상과 비자성인 Bi상과 β-Mn상의 상대적 분율에 의해 결정됨을 알 수 있었고, 150K-200K 부근에서 그 이하로 온도가 감소함에 따라 자화값이 급격히 감소하는 현상이 나타났다. Mn((Fe, AI)(Bi, Sb))합금계는 Bi상, MnSb상, MnBi상, MnBi상,β-Mn상, k-상 및 Mn2Sb상의 혼합상으로 나타났으며, 자기적 성질은 조사한 전 조성에서 강자성을 띄고 있음을 알 수 있었다.

We have prepared superconducting Bi-Pb-Sr-Ca.Cu-O thin films by RF magnetron sputtering technique, on heated MgO(100) substrates. Sputtering was carried out in a mixture of argon and oxygen(10%) and the pressure was maintained at 5 mTorr during deposition. The substrate temperature was maintained 400℃ during deposition. The films sputtered were amorphous and insulating. All the films became superconducting by annealing, The films annealed at 880℃ for 30 minutes in air showed high-Tc phase with zero resistivity of 93K. These results indicate that the growth of the high-Tc phase is promoted by the presence of Pb at annealing temperature.