황금배’에서 염화칼슘 침지 처리에 따른 유통 중 품질을 조사한 결과, 0.5% 염화칼슘 처리구가 20.5-21.3N으로 다소 높게 유지되었다. 과피색의 변화에 있어 적색도인 a*은 무처리구는 -2.62로 가장 높았고, 염화칼슘+ 초음파 처리구가 -3.03~-4.13으로 가장 낮아 과피의 녹색소실이 지연되었다. 유통환경에서 가장 많이 발생한 생리장해는 과육갈변으로 무처리구 과실에서 지수 28로 가장 높았고, 0.5% 농도에서는 침지 13, 초음파병행구 10으로 유의하게 낮았다. FSD 발생은 무처리구에서 지수 9로 칼슘처리구에 비해 발생이 높았고 과심갈변 발생은 처리간 유의한 차이를 볼 수 없었다. ‘원황’를 대상으로 리소포스파티딜에탄올아민(LPE)의 수확 후 처리 효과를 1-MCP 처리와 비교 조사한 결과, 과실 경도는 1-MCP 처리구는 유통과정 중 33N 이상으로 일정하게 유지되는 등 유통 중 경도저하가 낮았으나 유통 21일에 LPE 처리구에서 29.04N으로 다소 낮았다. 생리장해 발생에 있어 1-MCP 처리구는 유통 14일까지 유의하게 생리장해 발생지수가 낮아 효과적이었는데 유통 21일에 FSD 발생이 무처리구 및 LPE 처리구에 비해 2배 증가한 결과를 제외하고는 전반적으로 생리장해 발생이 유의하게 낮았다. 한편, LPE 처리구는 무처리구에 비해서는 생리장해 지수가 낮았으나 1-MCP에 비해서는 상대적으로 높은 결과를 보였다.

본 연구는 딸기 ‘매향’ 품종의 과실을 수확 한 후 LPE 용액에 침지처리 한 뒤 저장기간 동안 당도, 색도, 경도 및 생체중 변화를 조사하여 적정 LPE 처리 농도 및 적정 숙도를 구명하고자 실시하였다. 숙도 70%인 과실을 LPE 0(증류수, 대조구), 10, 50, 100mg·L-1 농도에 1분간 침지하거나, 딸기 꼭지에서부터 익은 비율로 숙도 0%, 50%, 70%, 100%로 등급화한 후에 LPE 0(증류수, 대조구), 2.5, 5, 10, 25mg·L-1 농도에 1분간 침지한 후 실온(20oC±1)에서 40분간 자연건조 한 뒤 4oC 저장고에 12일간 저장하였다. 저장 기간 동안 생체중, 종경도, 횡경도, 색도 및 당도 변화를 조사하였다. 숙도 70% 과실을 수확 후 LPE 0, 10, 50, 100mg·L-1 농도에 침지 후 저장하며 과실의 생체중을 측정하였을 때 처리 농도별 유의차가 없었다. 종경도는 저장 3일째에는 무처리구와 LPE 10mg·L-1 처리구에서 가장 높았다. 저장 6일째부터 12일까지는 10mg·L-1 처리구에서 가장 높았다. 횡경도는 저장 9일째 10과 50mg·L-1에서 가장 높게 측정되었으나 12일째에는 10mg·L-1 처리구는 무처리구와 차이가 없었고 50과 100mg·L-1에서 가장 낮았다. 색차계 L*과 b* 값은 LPE 처리 농도별 저장 기간 별 유의차가 없었고, a* 값은 저장 12일째에 LPE 10mg·L-1 처리를 포함한 모든 농도에서 무처리구에 비하여 높았다. 숙도 0%, 50%, 70%, 100%로 등급화한 후에 LPE 0( 증류수, 대조구), 2.5, 5, 10, 25 mg·L-1 농도에 침지한 후 저장하였을 때 과실 생체중은 LPE 처리농도별 유의 차가 없었다. 종경도와 횡경도는 LPE 처리농도와 상관 없이 숙도 0% >50%> 70%> 100% 순으로 높았다. LPE 농도 처리에 의한 영향은 종경도는 숙도 70% 과실의 경우 저장 3, 6, 12일째 모두 LPE 5mg·L-1에서 가장 높았고 12일째는 LPE 처리구 모두 무처리구에 비해 높았다. 숙도 100% 과실의 경우 저장 12일째에 LPE 10mg·L-1에서 종경도가 무처리구에 비해 높았지만 25mg·L-1에서는 종경도 및 횡경도 모두 가장 낮았다. 색차계 L, b 값은 LPE 처리와 관계없이 숙도 0% > 50% > 70% > 100% 순으로 높아 숙도에 따라 유의차가 있었다. 숙도100%에서 가장 낮은 L*과 b*값이 측정 되었다. 숙도 50%와 70% 과실의 경우 저장기간 중 다른 처리구에 비해 5mg·L-1에서 L*, b* 값이 가장 높았다. 숙도 100%의 경우 25mg·L-1에서는 가장 낮은 값을 보여 과숙이 유발된 것으로 판단된다. 색차계 a* 값은 L*과 b*와는 반대로 그 값의 증가는 숙도가 높음을 의미하는 것으로 숙도 0, 50, 70, 100% 모두에서 LPE 처리 효과를 구분할 수 없었고, 당도는 처리별, 기간별 유의차가 없었다. 결론적으로, LPE는 저장 중인 딸기 과실의 생체중에 영향을 주지 않으면서 경도 및 색도 변화에는 영향을 주는 것을 알 수 있다. 숙도 70% 과실은 타 숙도에 비해 저장성 증대효과가 크며, 숙도 70%일 때 처리농도 LPE 5mg·L-1에서 저장성 증대에 효과적 이였다.

선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 660˚C, 과냉도 5˚C, 냉각속도 0.4˚C/min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이<112>방향에서 110-160μ m 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80μ m정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 In0.85Ga0.15As0.01P0.99으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.

In this study, a vertical type LPE system has been developed for III-V semiconductor compounds single crystal growth. On the basis of the experience & basic study using this system, the system modification has been carried out for a ultra thin multi-layer single crystal. The temperature fluctuation was within ±0.006℃ at 800℃, temperature uniformity for graphite boat around was within ±0.15℃ at 650℃, and cooling rate was controllable from 2.2℃/min to 0.05℃/min. As a result it is considered to satisfy the condition to grow a ultra thin layer single crystal of III-V semiconductor compounds.

Shortening the lasing wavelength(particularly below infrared ; the visible region) of laser diodes is very attractive because it can provide a wide range of applications in the fields of optical information, measurement, sensor, the development of medical instrument, and optical communication through plastic fibers. According to the recent researches on the field, InGaAsP/GaAs was suggested as a material for red-light laser. In this study, in order to grow InGaAsP/GaAs epitaxial layer on InGaAsP/GaAs by LPE, we used GaP and InP two phase solution technique for 670nm and 780 nm region, respectively. Through the X-ray diffraction measurement for the epitaxial layer grown from the experiments, we found that the lattice mismatch of In0.46Ga0.54As0.07P0.93/GaAs and In0.19Ga0.81As0.62P0.38/GaAs was about +0.3% and +0.1%, respectively.

In this paper the results for thin multi-layer InGaAsP(1.3μm)/InP crystal growth by vertical liquid epitaxial growing furnance have been presented. The growth rates of InGaAsP layer and InP layer at cooling rate of 0.3℃/min and the growing temperature of 630℃ were obtained as 0.11 μm/min and 0.06 μm/min, respectively, by the uniform cooling with two phase solution technique.