본고에서는 2000년부터 2023년까지 게재된 고고학 분야 학술논문과 학위논문 1,307편을 대상으 로 제목, 주제어, 국문초록을 분석하여 청동기시대 연구동향을 살펴보았다. 분석 방법은 딥러닝 모델 을 활용한 토픽 모델링 기법인 버토픽(BERTopic) 분석을 이용하였다. 분석 결과 총 20개의 토픽이 도출되었으며, 추가적으로 계층적 클러스터링을 실시한 결과‘취락’,‘분묘’,‘편년’,‘유물’의 상위 4개 토픽으로 재군집되었다. 이를 활용하여 먼저 연도별 연구동향을 검토하였다. 전반적으로 상위 토픽이 포함된 연구논문의 수 량은 2010년대 중반까지 큰 폭으로 증가한다. 2000년대 이후 비약적으로 증가한 발굴조사로 인해 관 련 연구가 활발히 진행된 것으로 보인다. 그러나 하위 토픽이 포함된 연구논문의 수량은 시기별로 상 이하게 나타난다. 이와 관련하여 대규모 유적과 특정 유구ㆍ유물의 존재 여부, 자연과학분석 건수의 영향, 새로운 분석 방법의 도입 등을 원인으로 상정하였다. 다음으로 지역별 연구동향을 살펴보았다. 4개의 상위 토픽 중‘취락’은 호서,‘분묘’는 호남, ‘유물’은 영남,‘편년’은 중국의 자료가 주로 다루어졌는데, 특정 지역에 집중 분포하는 유구ㆍ유물 복합체의 존재 여부와 해당 지역 발굴조사 성과에 따른 결과로 이해하였다. 지역 간 비교는 주로 국내 자료를 대상으로 연구되었다. 세부적으로는 중부, 호서, 영남지역의 자료를 대상으로 한 논문이 다수 를 차지한 반면, 제주와 영동지역의 경우 소수에 불과하다. 국외 지역 중에서는 중국과 북한 자료가 상대적으로 다수 다루어지고 있음이 확인되었다. 청동기시대 연구동향에 대해 데이터 기반의 접근 방식을 이용하여 전반적인 흐름을 파악하였다. 빅 데이터로 전환되고 있는 청동기시대 자료의 관리 및 활용 측면에서 인공지능 기술의 적용 가능성을 검토하였다는 점에 의미를 두고 싶다.

이 논문은 남한지역을 대상으로 전기청동기시대의 주거와 환호, 청동기 부장 분묘, 대형 주구묘와 군집묘의 형성, 청동기 소유 주거, 환구 취락의 조성과 운영 등에 주목하여 당시의 사회구조에 대해서 검토한 글이다. 주거공간에서 확인되는 주거 간의 차별화는 취락을 이끄는 지도자 또는 유력자 및 그 의 가족들과 나머지 취락 구성원 간의 차이를 반영하는 것으로 파악하였다. 내환호와 외환호를 경계 로 배치된 대형 주거와 소형 주거의 분포 양상을 갖는 환호취락의 사례가 이를 잘 보여준다. 청동기를 소유한 주거의 존재와 청동 무기를 부장한 분묘의 등장은 요동지역 비파형동검문화와 관련된 것으로 긴장, 갈등, 대립 관계의 산물이면서 당시 사회의 계층분화적, 무장적 성격을 반영한다. 신성한 의례 공간인 환구, 그리고 이와 관련한 대형 가옥의 배치 양상은 엘리트 제사장의 존재를 추정할 수 있는 근거로 볼 수 있다. 이를 통해서 볼 때 전기청동기시대의 사회구조는 상위계층과 일반계층으로 구성 된 것으로 추정된다. 상위계층은 취락의 지도자(권위자)이면서 제사장의 성격을 가지는데, 이 상위계 층의 지위는 한시적인 성취 지위에 해당한다. 남한지역의 전기청동기 사회는 복합사회로 향해가는 긴 여정에서 중요한 기폭제가 되는 시기로 볼 수 있다. 이전 시기에 보이지 않았던 환호와 환구, 분묘와 청동기의 등장과 발전 양상은 전기청동기시대가 사회복합도가 증가한 서열사회에 해당한다는 것을 말 해준다.

In this study, four different samples of Se60Ge40-xBix chalcogenides glasses were synthesized by heating the melt for 18 h in vacuum Pyrex ampoules (under a 10-4 Torre vacuum), each with a different concentration (x = 0, 10, 15, and 20) of high purity starting materials. The results of direct current (DC) electrical conductivity measurements against a 1,000/T plot for all chalcogenide samples revealed two linear areas at medium and high temperatures, each with a different slope and with different activation energies (E1 and E2). In other words, these samples contain two electrical conduction mechanisms: a localized conduction at middle temperatures and extended conduction at high temperatures. The results showed the local and extended state parameters changed due to the effective partial substitution of germanium by bismuth. The density of extended states N(Eext) and localized states N(Eloc) as a function of bismuth concentration was used to gauge this effect. While the density of the localized states decreased from 1.6 × 1014 to 4.2 × 1012 (ev-1 cm-3) as the bismuth concentration increased from 0 to 15, the density of the extended states generally increased from 3.552 × 1021 to 5.86 × 1021 (ev-1 cm-3), indicating a reduction in the mullet’s randomness. This makes these alloys more widely useful in electronic applications due to the decrease in the cost of manufacturing.

한국 청동기시대의 대표적 무덤은 지석묘이다. 그런데, 남해안을 중심으로 한 남부지역으로는 매장 주체부의 규모를 훨씬 능가하는 규모의 묘역(식)지석묘가 상당수 확인된다. 그리고 묘역지석묘의 평 면형태가 방형과 원형으로 양분되는데 그 선후는 명확치 않다. 이 중 원형의 묘역지석묘 중 성토를 하 여 중심부를 가장 높게 올린 후 그곳에 무덤을 만든 ‘분구묘’가 여럿 확인되었다. 청동기시대의 분 구묘는 그동안 묘역지석묘의 영역내에서 이해되고 있었으나 분구묘 자체의 지역권, 축조방식 등에서 고유의 양식으로 구분될 수 있다. 무엇보다 청동기시대 무덤이 큰 돌(상석)을 올려 주변에 그 존재를 알리는 것이 일반적이었는데, 이와 다른 방식으로 수직적인 규모를 확대한 원형 분구묘의 출현은 청 동기시대 사회를 이해하는 또 다른 자료를 제공하고 있다. 이 분구묘는 청동기시대 후기 송국리문화 단계의 묘역지석묘의 시작과 확장속에서 같이 공반되는 데, 다만 그 분포권이 남해안과 남강유역이 중심지라는 점에서 송국리문화의 또 다른 문화속성으로서 의미가 있다고 보인다. 다만, 이러한 형태의 무덤이 자체발생보다는 북방지역으로부터의 유입 가능성 이 있다는 점에서 상호 관련성을 추가로 검토해야 할 필요가 있다. 흔히 분구묘는 원삼국시대 마한이라는 정치체의 주요 무덤양식으로 알려져 있었는데, 청동기시대 의 분구묘 역시 기본적인 개념에서는 크게 차이가 나지 않는다. 그동안 원삼국시대 분구묘의 기원을 중국에서 찾기도 하였는데, 청동기시대 분구묘의 인식을 계기로 이에 대한 시각 변화가 요구된다.

본고는 중국의 정책·공약 표제에서 자주 활용되는 ‘수+个+X’ 형식의 내부 구성을 분석하고, ‘수+个+X’의 활용이 가져오는 효과에 대해 살펴보았다. ‘수+个+X’는 전형 적인 수량사 조합을 탈피한 형식으로 ‘수’는 정책·공약 세부내용에 나열된 항목의 총 개수를 나타내며, ‘X’는 (동사, 부사, 수사)조합, 형용사, 대명사, 접속사, 기타(사자성 어, 기호 등)의 형식으로 정책 항목에서 반복적으로 출현하거나 핵심 되는 단어이다. 그러나 개중에는 전혀 내용을 추측할 수 없는 단어나 기호도 출현하는데 이러한 모 순적인 구성이 오히려 더 많은 궁금증과 호기심을 유발하는 효과를 가진다.

The electrical and interfacial properties of HfO2/Al2O3 and Al2O3/HfO2 dielectrics on AlN/p-Ge interface prepared by thermal atomic layer deposition are investigated by capacitance–voltage(C–V) and current–voltage(I–V) measurements. In the C–V measurements, humps related to mid-gap states are observed when the ac frequency is below 100 kHz, revealing lower mid-gap states for the HfO2/Al2O3 sample. Higher frequency dispersion in the inversion region is observed for the Al2O3/HfO2 sample, indicating the presence of slow interface states A higher interface trap density calculated from the high-low frequency method is observed for the Al2O3/HfO2 sample. The parallel conductance method, applied to the accumulation region, shows border traps at 0.3~0.32 eV for the Al2O3/HfO2 sample, which are not observed for the Al2O3/HfO2 sample. I–V measurements show a reduction of leakage current of about three orders of magnitude for the HfO2/Al2O3 sample. Using the Fowler-Nordheim emission, the barrier height is calculated and found to be about 1.08 eV for the HfO2/Al2O3 sample. Based on these results, it is suggested that HfO2/Al2O3 is a better dielectric stack than Al2O3/HfO2 on AlN/p-Ge interface.

The electromagnetic and thermal properties of a heavy fermion CeNi2Ge2 are investigated using first-principle methods with local density approximation (LDA) and fully relativistic approaches. The Ce f-bands are located near the Fermi energy EF and hybridized with the Ni-3d states. This hybridization plays important roles in the characteristics of this material. The fully relativistic approach shows that the 4f states split into 4f7/2 and 4f5/2 states due to spin-orbit coupling effects. It can be found that within the LDA calculation, the density of states near the Fermi level are mainly of Ce-derived 4f states. The Ni-derived 3d states have high peaks around -1.7eV and spreaded over wide range around the Fermi level. The calculated magnetic of CeNi2Ge2 with LDA method does not match with that of experimental result because of strong correlation interaction between electrons in f orbitals. The calculations show that the specific heat coefficient underestimates the experimental value by a factor of 19.1. The discrepancy between the band calculation and experiment for specific heat coefficient is attributed to the formation of a quasiparticle. Because of the volume contraction, the exchange interaction between the f states and the conduction electrons is large in CeNi2Ge2, which increases the quasiparticle mass. This will result in the enhancement of the specific hear coefficient.

본 연구는 중국 운남성 라평현 명가촌(中國雲南羅平縣明格村）대상지로 명가촌의 생태보전 및 지역발전 중심으로 연구를 진행하고 있다. 운남성 라평현의 독특한 계단식 밭 경관(梯田景觀)은 중국의 중요한 농업문화유산이고 매우 높은 보존 가치를 가지고 있다. 운남성 라평현 면가촌에서 살고 있는 포의족(布依族)은 중국의 소수 민족에 속하며, 그 민족의 전통문화와 풍습은 중국의 중요한 무형문화유산으로 보전가치 크다. 중국은 고대부터 다민족 국가였다. 수천 년 간 다른 민족문화와 지역문화가 서로 융합되어 상호 영향력이 중국의 전통문화를 형성했다. 소수 민족의 전통문화는 중국 민족의 전통 문화에서 중요한 부분이다. 운남성 포의족(布依族）은 독특한 의상, 음식, 건축, 무용, 공예 문화를 가지고 있지만 현대문명의 통일화에 따라서 운남 포의족 전통문화가 점차 사라지고 있다. 중국 독특한 소수 민족 문화가 시간에 흐르면서 잊혀지고 없어지는 것은 세계 문화사에 커다란 동정이다. 그래서 포의족 문화의 전승과 보전에 대한 내용도 핵심 내용이다. 현재 명가촌의 농촌마을계획은 장기간 단일화 발전 모델로 이 지역의 보전가치가 큰 계단식 밭경관과 포의족(布依族)의 문화에 대한 고려가 미비하여 점차 사라지고 있다. 본 연구는 명가촌의 경관보전 및 지역발전을 목적으로 연구를 진행하고 있다. 연구내용은 명가촌의 생태마을설계와 무형문화유산의 보전을 기반으로 지역 발전의 활성화 계획을 다루고자 한다. 첫째, 명가촌 생태마을설계에 대한 내용이다. 우선 기존의 농촌마을계획을 진단하였다. 생태마을설계 방향은 자연생태환경과 포의족 전통건축 복원 및 계단식 밭의 보전이다. 둘째, 마을의 무형문화유산 보전방안이다. 농업문화유산은 현대 농업 발전에 중요한 영향을 미치는 매우 중요한 가치를 지니고 있다. 그러나 과학 기술이 꾸준히 발전함에 따라 수천 년 동안 지속되어 온 전통적인 농업은 사라질 위기에 있다. 명가촌 계단식 경작지의 경제적 가치, 생태적 가치, 미학적 가치, 문화적 가치, 과학적 연구 가치 및 사회적 가치와 같은 여러 가치를 가지고 있다. 반면, 면가촌 전통적인 농법은 단지 1차 산업에 국한되어 있고, 계단식 경작지는 경사가 급하고 협소한 폭으로 기계경작이 어려워 농민의 소득과 생활수준을 제한하고 있다. 그런데 이러한 제한요소는 오히려 녹색농업, 유기농업 및 생태농업을 활성화 시킬 수 있는 기회요소가 되고 있다. 계단식 경작지와 연계한 생태관광의 개발을 장려하고, 다자간 경제 보상을 통한 유기농업과 특색 있는 농업을 촉진한다면 지속가능한 발전이 가능하다고 판단된다. 셋째, 명가촌 Permaculture 및 생태관광 모행 도입이다. 1). 전통적 단일농업 → 다양한 산업구조 퍼머컬쳐로 전환(유채 재배업, 유채씨 기름 가공업, 양봉업, 유기농산물 판매 산업) 2). 생태관광 개발 (포의족 전통문화 홍보, 지역수익증가, 생태경관보전)

본고는 식당 종업원 호칭에 대한 선행연구의 조사자료 및 그들 간의 의미를 재고한 뒤, 그 것을 토대로, 한 중 교재 속에 반영된 일반 식당 상황 하의 호칭어 사용 양상을 양적인 측면 에서 고찰하고 교육적 함의를 찾는 데 목적이 있다. 이를 위해, 본고는 우선 선행연구의 설문 결과 중에서 “여/저기요”와 “帥哥/美女”를 중심으로 시간에 따른 사용 변화 양상을 메타적 관점에서 관찰한다. 관찰에는 시대 흐름별 차이와 더불어 격식 유무별 차이 등이 포함된다. 그 로부터 얻은 결과를 기초로, 한 중 교재 속 식당 장면에서 사용되는 호칭들이 선행연구에서 보여준 사용 결과와 부합하는지 그리고 그 점에서 한 중 교재 간에는 어떤 공통점과 차이점 이 있는지를 양적 측면에서 살펴본다.

To realize large-format compact array detectors covering a wide far-infrared wavelength range up to 200 μm, we have been developing Blocked-Impurity-Band (BIB) type Ge detectors with the room- temperature surface-activated wafer bonding technology provided by Mitsubishi Heavy Industries. We fabricated various types of p+-i junction devices which possessed a BIB-type structure, and evaluated their spectral response curves using a Fourier transform spectrometer. From the Hall effect measurement, we also obtained the physical characteristics of the p+ layers which constituted the p+-i junction devices. The overall result of our measurement shows that the p+-i junction devices have a promising applicability as a new far-infrared detector to cover a wavelength range of 100-200 μm.

1980년대 이후로 범죄에 대한 새로운 대응양식으로 발전되어 온 회복적 사법은 오늘날 대부분의 선진 국가에서 그 법적 근거를 가지고 형사절차에서 활용되고 있다. 이에 반해 교정단계에서 회복적 사법의 실천은 비교적 최근에 논의된 주제이다. 교정단계에서 회복적 사법에 관한 최근의 논의를 보면, 수형자와 피해자간의 만남을 통하여 수형자로 하여금 범죄와 범죄의 피해에 대한 책임을 통찰하게 하여 실질적인 재사회화를 추구할 수 있고, 이를 통하여 범죄피해자도 보호하는 효과를 가지고 있다. 범죄피해자의 보호가 정형적인 형사절차에서만 그 주제로 되어서는 아니되며, 유죄가 확정된 이후의 교정절차에서도 수형자의 재사회화 목적을 위태롭게 하지 아니하는 한 일관되게 실천되어야 한다. 교정단계에서 회복적 사법 이념을 실천함에 있어 종래 걸림돌로 작용했던 것은 바로 수형자에게 피해를 회복할 자력이 없다는 점이었다. 그러나 이러한 요소는 회복적 사법 이념을 구성하는 하나의 요소에 불과하다. 오히려 회복적 사법에서는 금전적 피해회복이 중요한 것이 아니라 범죄로 인하여 첨예화된 수형자와 피해자간의 갈등 내지 분쟁을 해소하는 것이 더 중요하게 받아들여지고 있다. 실제로 외국의 회복적 사법 실천 모델에서는 당사자간의 만남을 통하여 수형자가 뒤늦게나마 피해자에게 참회를 하면서 사과를 하는 경우 그러한 사과만으로 절차가 종결되는 예가 매우 많다. 이 점을 고려해보면, 수형자에게 물질적 자력이 없다는 이유로 교정단계에서 회복적 사법 이념을 실천하지 못할 이유는 될 수 없다고 보아야 한다. 회복적 사법을 교정단계에서 실천하기 위해서는 분명한 법적 근거를 두고 있어야 한다. 이러한 배경에서 이 글에서는 교정단계에서 회복적 사법을 실천하기 위한 법제화 방안과 회복적 사법 프로그램의 주요 내용을 제안하였다. 교정단계에서의 회복적 사법 실천 프로그램을 통하여 수형자의 재사회화와 범죄피해자의 보호라는 두 마리 토끼를 한꺼번에 잡을 수 있기를 기대한다.

A thin film thermoelectric generator that consisted of 5 p/n pairs was fabricated with 1 μm-thick n-type In3Sb1Te2 and p-type Ge2Sb2Te5 deposited via radio frequency magnetron sputtering. First, 1 μm-thick GST and IST thin films were deposited at 250 oC and room temperature, respectively, via radio-frequency sputtering; these films were annealed from 250 to 450 oC via rapid thermal annealing. The optimal power factor was found at an annealing temperature of 400 oC for 10 min. To demonstrate thermoelectric generation, we measured the output voltage and estimated the maximum power of the n-IST/ p-GST generator by imposing a temperature difference between the hot and cold junctions. The maximum output voltage and the estimated maximum power of the 1 μm-thick n-IST/p-GST TE generators are approximately 17.1 mV and 5.1 nW at ΔT = 12K, respectively.

Silicon alloys are considered promising anode active materials to replace Li-ion batteries by graphite powder, because they have a relatively high capacity of up to 4200 mAh/g, and are environmentally friendly and inexpensive ECO-materials. However, its poor charge/discharge properties, induced by cracking during cycles, constitute their most serious problem as anode electrode. In order to solve these problems, Si-Ge-Al alloys with porous structure are designed as anode alloy powders, to improve cycling stability. The alloys are melt-spun to obtain the rapidly solidified ribbons, and then ball-milled to make fine powders. The powders are etched using 1 M HCl solution, which gives the powders a porous structure by removing the element Al. Subsequently, in this study, the microstructures and the characteristics of the etched powders are evaluated for application as anode materials. As a result, the etched porous powder shows better electrochemical properties than as-milled Si-Ge-Al powder.

The recent development of electro-optic devices and anticorrosion media has led to the necessity to investigate infrared optical systems with solid-solid interfaces of materials that often have the characteristic of amorphousness. One of the most promising classes of materials for those purposes seems to be the chalcogenide glasses. Chalcogenide glasses, based on the Ge-Sb-Se system, have drawn a great deal of attention because of their use in preparing optical lenses and transparent fibers in the range of 3~12 um. In this study, amorphous Ge-Sb-Se chalcogenide for application in an infrared optical product design and manufacture was prepared by a standard melt-quenching technique. The results of the structural, optical and surface roughness analysis of high purity Ge-Sb-Se chalcogenide glasses are reported after various annealing processes.

Using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements, the electrical properties of Au and Cu Schottky contacts to n-Ge were comparatively investigated. Lower values of barrier height, ideality factor and series resistance were obtained for the Au contact as compared to the Cu contact. The values of capacitance showed strong dependence on the bias voltage and the frequency. The presence of an inversion layer at the interface might reduce the intercept voltage at the voltage axis, lowering the barrier height for C-V measurements, especially at lower frequencies. In addition, a higher interface state density was observed for the Au contact. The generation of sputter deposition-induced defects might occur more severely for the Au contact; these defects affected both the I-V and C-V characteristics.

The electrical properties of Au/n-type Ge Schottky contacts with different contact areas were investigated using current-voltage (I-V) measurements. Analyses of the reverse bias current characteristics showed that the Poole-Frenkel effect became strong with decreasing contact area. The contribution of the perimeter current density to the total current density was found to increase with increasing reverse bias voltage. Fitting of the forward bias I-V characteristics by considering various transport models revealed that the tunneling current is dominant in the low forward bias region. The contributions of both the thermionic emission (TE) and the generation-recombination (GR) currents to the total current were similar regardless of the contact area, indicating that these currents mainly flow through the bulk region. In contrast, the contribution of the tunneling current to the total current increased with decreasing contact area. The largest E00 value (related to tunneling probability) for the smallest contact area was associated with higher tunneling effect.

In this study, we report the sintering behavior and properties of a Ge2Sb2Te5 alloy powders for use as asputtering target by spark plasma sintering. The effect of various sintering parameters, such as pressure, temperature andtime, on the density and hardness of the target has been investigated in detail. Structural characterization was performedby scanning electron microscopy and X-ray diffraction. Hardness and thermal properties were measured by differentialscanning calorimetry and micro-vickers hardness tester. The density and hardness of the sintered Ge2Sb2Te5 materialswere 5.8976~6.3687 g/cm3 and 32~75 Hv, respectively.

목적: Al2O3 기판위에 Ge/ZnS 다층박막을 이용하여 중심파장 3450nm에서 반치폭이 약 150nm이고 투과율이 약 95%인 중 적외선 투과필터를 제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하였다. 방법: 설계에 있어 기판의 한 면은 장파장 투과 필터로,다른 면은 단파장 투과 필터로 코팅한 후 한개의 기판을 중심으로 전면에는 장파장 투과 필터를 후면에는 단파장 투과 필터를 합성하여 중적외선 대역투과 필터를 설계하였다.또한 전자빔 증착장비를 이용하여Ge/ZnS 다층박막 중적외선 대역 투과 필터를 제작한 후, FTIR을 이용하여 투과율을 측정하였고, XRD 데이타로부터 박막의 구조를 분석하였으며, XPS분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결과: 장파장 투과 필터는 기준파장 2700nm에서 [air/0.490H 0.904L 0.952H 1.086L 1.747H 0.489L (HL)9 H 0.350L 1.616H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 이때 고굴절률(H)과 저굴절률(L) 물질은 각각 Ge과 ZnS이였다. 또한 단파장 투과필터는 기준파장 4200nm에서 [air/1.261H (LH)7 0.921L 1.306H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 장파장 투과필터와 동일하였다. 설계를 바탕으로 제작한 적외선 투과 필터의 최대파장피크가 제작조건의 변화에 의거하여 이론치에 비해 약 30nm 오른쪽 이동되어 있는 것을 확인하였다. 제작된 필터의 ZnS층이 cubic (111) 결정구조를 가지고 있는 것을 XRD분석으로 확인하였으며, XPS분석에 의해 Ge층이 맨 위층이며 ZnS층과 교번인 다층막으로 형성돼 있다는 것을 확인할 수 있었다. 결론: Al2O3 기판위에 Ge와 ZnS를 교번으로, 한 면은 27층의 장파장 투과필터로 구성되고, 다른 면은 17층의 단파장 투과 필터의 다층박막을 제작하여, 3450nm 중심파장에서 150nm 반치폭을 갖으며 투과율은 약 95%인 중적외선 대역 투과 필터를 제작하였다.