In this study, TbDyFe thin films with the thickness of 1000 Å are fabricated by DC magnetron sputtering. TbDyFe thin films are prepared by DC magnetron sputtering method. The pressure of Ar gas below 1.33 kPa and DC input power of 200 W are used for the sputtering conditions. During sputtering process the substrate holder is heated up to 150 ℃. The thin films are deposited to a thickness of 1000 Å on polyimide substrate with a thickness of 2 μm. The fabricated microstructures are observed by X-ray diffraction (XRD) and the film thickness is measured. Magnetostrictions are determined from the curvature of the thin films which are measured by the optical cantilever method. The experimental results are discussed with numerical data.

본 연구의 목적은 광전환재의 사이즈가 다른 광전환 필름을 피복한 온실에서, 실내 생육 환경, 토마토 및 상추의 생육과 품질을 분석하는 것이다. 10μm 이상의 광 전환재를 이용한 광전환 필름(Micro 필름), 500nm 이하의 광전환재를 이용한 광전환 필름(Nano 필름)과 폴리에틸렌(PE) 필름을 2중 온실의 외피복재로 피복하였다. 내피복재는 0.06mm PE 필름을 사용하였고, 내피복 재 및 외피복재의 두께는 모두 0.06mm로 동일하였다. 광전환 필름의 인장강도, 인열강도, 신장율은 PE 필름과 유사하였다. 투광률은 Nano 필름이 600-750nm 및 전체 투광률에서 PE 필름보다 높았으며, Micro 필름은 PE 필름보다 전체 투광률이 낮았다. 온실 내 기온은 Micro 및 Nano 필름 온실이 PE 필름 온실에 비하여 약 2oC정도 높았고, 광전환 필름 온실 간의 유의적인 차이는 없었다. 지온은 Nano 필름 온실이 Micro 필름과 PE 온실에 비하여 각각 1.5, 3 정도 높았다. 토마토의 수량은 PE 필름 온실에 비해 Micro 및 Nano 필름 온실에서 각각 12%, 14% 정도 유의적으로 증가하였고, 당도 차이는 없었다. 그리고 광전환 필름 간의 유의적인 차이는 없었다. 상추의 수량은 Micro 필름 온실이 Nano 필름 및 PE 필름 온실에 비하여 각각 27%, 59% 높았다. Hunter의 적색 값a는 Nano 필름 온실에서 가장 높았다. 토마토와 같이 높은 광을 요구하는 작물은 투광률이 좋은 Nano 필름이 적합하였고, 상추와 같이 낮은 광을 요구하는 작물은 상추는 Micro 필름이 적합하다고 판단되었다.

본 연구에서는 Tg가 서로 다른 폴리에스테르 바인더로 실버 페이스트를 제조하여 점도 및 점탄성를 측정하였다. 그리고 제조된 실버 페이스트를 스크린인쇄법으로 전극을 인쇄하여 folding 및 stretching test에 따른 전도성 변화 및 전극패턴의 표면형상 변화에 대해서 연구하였다. 그 결과 folding test에서는 Tg가 낮고, 높고와는 관계없이 folding횟수의 증가에 따라서 저항치가 선형적으로 증가됨을 알 수 있었다. 그러나 stretching test결과에서는 Tg에 따른 명확한 특성차이가 나타났다. 즉 신율(elongation)이 증가함에 따라서 높은 Tg을 가진 바인더로 제조된 실버 페이스트의 경우에는 40%이상에는 저항치 측정이 불가능했지만 낮은 Tg로 제조된 것은 80%까지 저항치가 측정되었다. 결론적으로 80%라는 높은 신율을 요구하는 분야에는 낮은 Tg을 가진 바인더를 사용하는 것이 바람직함을 알 수 있었다.

Ni-C composite films were prepared by co-deposition using a combined technique of plasma CVD and ion beam sputtering deposition. Depending on the deposition conditions, Ni-C thin films manifested three kinds of microstructure: (1) nanocrystallites of non-equilibrium carbide of nickel, (2) amorphous Ni-C film, and (3) granular Ni-C film. The electrical resistivity was also found to vary from about 102 μΩcm for the carbide films to about 104 μΩcm for the amorphous Ni-C films. The Ni-C films deposited at ambient temperatures showed very low TCR values compared with that of metallic nickel film, and all the films showed ohmic characterization, even those in the amorphous state with very high resistivity. The TCR value decreased slightly with increasing of the flow rate of CH4. For the films deposited at 200 oC, TCR decreased with increasing CH4 flow rate; especially, it changed sign from positive to negative at a CH4 flow rate of 0.35 sccm. By increasing the CH4 flow rate, the amorphous component in the film increased; thus, the portion of Ni3C grains separated from each other became larger, and the contribution to electrical conductivity due to thermally activated tunneling became dominant. This also accounts for the sign change of TCR when the filme was deposited at higher flow rate of CH4. The microstructures of the Ni-C films deposited in these ways range from amorphous Ni-C alloy to granular structures with Ni3C nanocrystallites. These films are characterized by high resistivity and low TCR values; the electrical properties can be adjusted over a wide range by controlling the microstructures and compositions of the films.

ZnO with wurtzite structure has a wide band gap of 3.37 eV. Because ZnO has a direct band gap and a large exciton binding energy, it has higher optical efficiency and thermal stability than the GaN material of blue light emitting devices. To fabricate ZnO devices with optical and thermal advantages, n-type and p-type doping are needed. Many research groups have devoted themselves to fabricating stable p-type ZnO. In this study, As+ ion was implanted using an ion implanter to fabricate p-type ZnO. After the ion implant, rapid thermal annealing (RTA) was conducted to activate the arsenic dopants. First, the structural and optical properties of the ZnO thin films were investigated for as-grown, as-implanted, and annealed ZnO using FE-SEM, XRD, and PL, respectively. Then, the structural, optical, and electrical properties of the ZnO thin films, depending on the As ion dose variation and the RTA temperatures, were analyzed using the same methods. In our experiment, p-type ZnO thin films with a hole concentration of 1.263 × 1018 cm−3 were obtained when the dose of 5 × 1014 As ions/cm2 was implanted and the RTA was conducted at 850 oC for 1 min.

To observe the bonding structure and electrical characteristics of a GZO oxide semiconductor, GZO was deposited on ITO glasses and annealed at various temperatures. GZO was found to change from crystal to amorphous with increasing of the annealing temperatures; GZO annealed at 200 oC came to have an amorphous structure that depended on the decrement of the oxygen vacancies; increase the mobility due to the induction of diffusion currents occurred because of an increment of the depletion layer. The increasing of the annealing temperature caused a reduction of the carrier concentration and an increase of the bonding energy and the depletion layer; therefore, the large potential barrier increased the diffusion current dna the Hall mobility. However, annealing temperatures over 200 oC promoted crystallinity by the defects without oxygen vacancies, and then degraded the depletion layer, which became an Ohmic contact without a potential barrier. So the current increased because of the absence of a potential barrier.

Ti films were deposited on glass substrates under various preparation conditions in a chamber of two-facing-target type dc sputtering; after deposition, the electric resistivity values were measured using a conventional four-probe method. Crystallographic orientations and microstructures, including the texture and columnar structure, were also investigated for the Ti films. The morphological features, including the columnar structures and surface roughness, are well explained on the basis of Thornton’s zone model. The electric resistivity and the thermal coefficient of the resistivity vary with the sputtering gas pressure. The minimum value of resistivity was around 0.4 Pa for both the 0.5 μm and 3.0 μm thick films; the apparent tendencies are almost the same for the two films, with a small difference in resistivity because of the different film thicknesses. The films deposited at high gas pressures show higher resistivities. The maximum of TCR is also around 0.4 Pa, which is the same as that obtained from the relationship between the resistivity and the gas pressure. The lattice spacing also decreases with increasing sputtering gas pressure for both the 0.5 μm and 3.0 μm thick films. Because they are strongly related to the sputtering gas pressures for Ti films that have a crystallographic anisotropy that is different from cubic symmetry, these changes are well explained on the basis of the film microstructures. It is shown that resistivity measurement can serve as a promising monitor for microstructures in sputtered Ti films.

This study reports the effects of H2S gas concentration on the properties of Cu2ZnSnS4(CZTS) thin films. Specifically, sulfurization process with low H2S concentrations of 0.05% and 0.1%, along with 5% H2S gas, was studied. CZTS films were directly synthesized on Mo/Si substrates by chemical bath deposition method using copper sulfate, zinc sulfate heptahydrate, tin chloride dihydrate, and sodium thiosulfate pentahydrate. Smooth CZTS films were grown on substrates at optimized chemical bath deposition condition. The CZTS films sulfurized at low H2S concentrations of 0.05 % and 0.1% showed very rough and porous film morphology, whereas the film sulfurized at 5% H2S yielded a very smooth and dense film morphology. The CZTS films were fully crystallized in kesterite crystal form when they were sulfurized at 500 oC for 1 h. The kesterite CZTS film showed a reasonably good room-temperature photoluminescence spectrum that peaked in a range of 1.4 eV to 1.5 eV, consistent with the optimal bandgap for CZTS solar cell applications.

There have been many studies on superwetting surfaces, ranging from superhydrophilicity to superhydrophobicity, owing to the variety of their potential applications. There are some drawbacks to developing these films for certain applications, such as the fragility of the microscopic roughness feature that is vital to ensure superwettability. At the first part of in this presentation, we fabricated intrinsically stable superwetting films using the organosilicate based layer-by-layer (LbL) self-assembly method in order to control hierarchical roughness and adjusted the surface chemistry of the multilayer structures. At the second part, hydrophilic branched poly(ethylenimine) and nanoparticle were assembled into LbL multilayers in the presence of UV-curable poly(urethane acrylate).

Tungsten trioxide thin films are successfully synthesized by a sol-gel method using tungsten hexachlorideas precursors. The structural, chemical, and optical properties of the prepared films are characterized by scanning elec-tron microscopy, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, and UV-Vis spectrophotometry. The electrochem-ical and electrochromic properties of the films before and after heat treatment are also investigated by cyclicvoltammetry, chronoamperometry, and in situ transmittance measurement system. Compared to as-prepared films, heat-treated tungsten trioxide thin films exhibit a higher electrochemical reversibility of 0.81 and superior coloration effi-ciency of 65.7 cm2/C, which implies that heat treatment at an appropriate temperature is a crucial process in a sol-gelmethod for having a better electrochromic performance.

Resistance switching memory cells were fabricated using atomically dispersed Pt-SiO2 thin film prepared via RF co-sputtering. The memory cell can switch between a low-resistance-state and a high-resistance-state reversibly and reproducibly through applying alternate voltage polarities. Percolated conducting paths are the origin of the low-resistance-state, while trapping electrons in the negative U-center in the Pt-SiO2 interface cause the high-resistance-state. Intermediate resistance-states are obtained through controlling the compliance current, which can be applied to multi-level operation for high memory density. It is found that the resistance value is related to the capacitance of the memory cell: a 265-fold increase in resistance induces a 2.68-fold increase in capacitance. The exponential growth model of the conducting paths can explain the quantitative relationship of resistance-capacitance. The model states that the conducting path generated in the early stage requires a larger area than that generated in the last stage, which results in a larger decrease in the capacitance.

본 연구는 ‘궁중비화’를 소재로 하고 있는 사극영화의 서사발화와 재현방식의 변화를 분석하여 사극영화의 장르적 관습을 살펴보고자 하였다. 연구를 위해 시대를 대표하는 세 편의 영화 <영원한 제국>, <왕의 남자>, <광해, 왕이 된 남자>를 선정하여 채트먼의 서사이론을 활용하여 분석하였다. 분석결과 서사발화에 있어서는 ‘사건’과 ‘시간’에 중점을 둔 서사에서 ‘인물’ 즉 캐릭터에 중점을 둔 서사구조로 변화했다. 이러한 변화는 최근 들어 두 가지 구조의 장점을 흡수하며 서사에 커다란 사건과 매력적인 인물을 동시에 발화시키는 방식의 전환을 통해 좀 더 복잡한 구조를 보이는 것으로 나타났다. 한국 사극영화의 이 같은 서사구조의 변화는 시대적 요청에 의해 관객들의 수용형태를 고려한 영화장르의 전략적 변화라 할 수 있다. 영화에서 보이는 재현양식들을 살펴 본 결과 한국 사극영화의 서사는 다양한 담화적 방식을 통해 구체화되었다. 화면비율의 변화에 따라 영화는 영상미학적 발전을 이루었으며, 카메라 연출, 촬영기법의 변화, 감각적이고 세련된 영상미, 그래픽을 활용한 다양한 기술적 요소들은 사극영화의 서사와 이미지의 재현을 사실적 묘사를 통해 관객과 소통하고자 시도하였다. 결국 사극영화에서 보이는 서사와 재현양식의 변화는 역사적 사실성과 영화적 리얼리티를 구체화시키고 강화하기 위한 방식으로 양식체계의 발전을 이루었다. 나아가 변화를 통해 현실정치를 비판하고, 시대가 요구하는 정치적 견해를 작가적 메시지로 재현하며 영화의 예술적 창작기능과 사회적 기능을 발현시켰다.

We present an excellent detection for nitrogen monoxide (NO) gas using polycrystalline ZnO wire-like films synthesized via a simple method combined with sputtering of Zn metallic films and subsequent thermal oxidation of the sputtered Zn nanowire films in dry air. Structural and morphological characterization revealed that it would be possible to synthesize polycrystalline hexagonal wurtzite ZnO films of a wire-like nanostructure with widths of 100-150 nm and lengths of several microns by controlling the sputtering conditions. It was found from the gas sensing measurements that the ZnO wirelike thin film gas sensor showed a significantly high response, with a maximum value of 29.2 for 2 ppm NO at 200 oC, as well as a reversible fast response to NO with a very low detection limit of 50 ppb. In addition, the ZnO wire-like thin film gas sensor also displayed an NO-selective sensing response for NO, O2, H2, NH3, and CO gases. Our results illustrate that polycrystalline ZnO wire-like thin films are potential sensing materials for the fabrication of NO-sensitive high-performance gas sensors.

The feasibility of obtaining graphitic carbon films on targeted substrates without a catalyst and transfer step was explored through the pyrolysis of the botanical derivative camphor. In a horizontal quartz tube, camphor was subjected to a sequential process of evaporation and thermal decomposition; then, the decomposed product was deposited on a glass substrate. Analysis of the Raman spectra suggest that the deposited film is related to unintentionally doped graphitic carbon containing some sp-sp 2 linear carbon chains. The films were transparent in the visible range and electrically conductive, with a sheet resistance comparable to that of graphene. It was also demonstrated that graphitic films with similar properties can be reproduciblyobtained, while property control was readily achieved by varying the process temperature.

팽이버섯 포장필름의 국산화 및 동남아시아 지역 수출용 필름개발을 목적으로 개발중인 포장필름을 현재 시중에 유통 중인 포장필름과 수입산 포장필름과 함께 저장 중 팽이버섯에 적용하여 이화학적 특성변화를 검토하였다. 각 포장재 원단으로 포장된 팽이버섯을 저장 온도에 따라 중량 감소율을 측정하여 선도유지를 평가하였다. 4oC에 보관한 팽이버섯은 모든 포장필름에서 중량 변화가 거의 없었으며 15oC의 경우 수입 포장필름과 국내 유통중인 포장필름이 시험용 포장필름 보다 더 많은 중량 감소율이 보이는 것을 확인하였다. 신장률을 측정한 결과, 15oC에서는 수입 포장필름, 국내 유통 중인 포장필름, 실험용 포장필름 순으로 신장률 변화가 크게 측정되었으나, 나머지 온도조건에서는 세 가지 포장 조건 모두 자루 신장률 변화가 비슷하게 나타났다. pH의 변화는 25oC에서 수입포장필름, 국내유통 포장필름, 실험용 포장필름 순으로 pH가 낮게 나타났다. 색도의 경우 저장 온도 4~25oC에서 저장한 시료는 저장 기간 동안 명도가 약간 낮아졌으나 포장 필름의 종류는 팽이버섯 색도 변화에 큰 영향을 미치지 않았다. 총 6종의 유기산이 검출되었으며, 종류는 oxalic acid(수산), lactic acid(젖산), malic acid(사과산), citric acid(구연산), acetic acid(초산) 및 succinic acid(호박산)로 나타났다. 팽이버섯의 유기산 총 함량은 저장 전 5.58%, 4oC에서 저장 후 4.70~5.50%, 15oC에서 저장 후 4.51~5.48%, 25oC에서 저장 후 4.91~6.07%, 35oC에서 저장 후 4.96~8.34%로 나타났다. 팽이버섯의 주요 유기산은 oxalic acid(1.11~4.28%)와 malic acid(0.48~1.96%)로 나타났다. 저장 온도에 따라서는 4~25oC에서 저장한 시험구는 유기산 함량의 변화가 크지 않았으나, 35oC에서 저장한 시험구는 malic acid의 함량이 낮아짐과 동시에 acetic acid의 함량이 높아졌다. 각각의 온도 조건에서 저장성을 실험한 결과 포장용 필름 원단에 따라서는 유기산 함량 변화에 큰 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다.

이 논문은 국제불교영화제 상영작의 유형과 특성에 대한 연구를 시도한 것이다. 국제불교영화제는 불교영화재단이 주관하는 국제적인 이벤트로서, 불교적 주제의 영화 또는 불교적 영감이 반영된 영화에 초점을 맞추는 불교 영화 전문 영화제이다. 필자는 유형론적 분석을 통해 몇 가지 양상을 발견하였다. 첫째, 문학작품 을 소재로 하는 불교영화나 윤회사상을 구현한 불교영화는 없었다는 점이 다. 둘째, 자주 발견되는 유형으로는 불교적 가르침의 의미를 추구한 작품, 불교 관련 인물의 전기 성격의 작품, 수행과 깨달음의 세계를 다룬 작품이 있었다. 셋째, 티베트불교 관련 작품이 다수를 점한다는 점이다. 외국의 불교영화, 특히 서구의 불교영화가 높은 수준의 성취를 이루었다 고 말하기는 어렵다. 불교문학의 영화화나 심도 깊은 해석과 날선 관점에 입 각한 윤회사상의 영화화가 이루어진다면 불교영화의 진전이 이루어질 것이 다. 서구에서의 불교의 영화화가 티베트불교에 집중되고 있는 사실에 대한 진지한 성찰도 필요하다. 서구에서 만들어진 다수의 불교영화가 티베트불교 를 다루고 있다는 사실은 서구인들의 불교 이해가 여전히 정치·사회적 양 상에 제한되어 있음을 보여준다.

이 연구는 대학에서 ‘음악의 이해’, 혹은 ‘서양음악의 이해’ 등의 명칭으로 개설된 교양과목으 로서의 ‘음악’에 관한 영화를 활용한 교수법을 다룬 것이다. 이 연구에서 칭하는 ‘대학교양음악’이란 인류문화와 함께 성장해 온 음악의 저변에 대한 고찰을 다루는 ‘음악 입문과목’으로서, 서양음악에 관한 역사, 감상, 이론 등이 유기적으로 어우러져 포괄적이고 통합적인 접근으로 교양교육이 이루어 져야 함을 상징한다. 이에 본 연구는 ‘교양교육으로의 음악’이라는 거시 목표 아래, 그 첫 걸음을 ‘영화’의 활용에서 찾고 있다. ‘영화 속 클래식’이라는 학습동기의 제공은 자칫 고루할 수 있는 클래식 음악에 대한 집 중도를 잃지 않게 하면서 교수자가 원하는 학습목표로의 도달을 용이하게 한다. 바로 이러한 점이 학습자들에게 클래식 음악으로 자연스럽게 입문하는 계기를 제공해 줄 수 있는 것이며, 궁극의 목표 인 음악을 폭넓게 즐기는 방법, 즉, 교양으로서의 음악교육에 도움이 될 방법을 찾아가는 길인 것이 다. 그러므로, 본 연구에서는 영화 《캐논 인버스》를 대상으로, 영화구도와 삽입된 클래식들의 음 악 교육적 관점 분석에 근거한 실제 강의 모형을 구축하였다. 이러한 ‘대학교양음악’의 구상을 통한 학습목표의 성취가 일차적으로는 합리적인 ‘대학교양음악’을 이끌 것이며, 나아가 대학의 효과적인 교양교육으로 이어질 뿐 아니라, 장기적 안목에서 국가와 사회가 지향하는 교양교육으로서의 이상을 실현하게 되는 하나의 대안이 될 것이다.

본 연구는 한국영화 <오아시스>(2002)와 <말아톤>(2005)에 나타난 장애재현과 담론을 관객수용분석의 관점에서 접근하여 질적 방법으로 분석하였다. 영화 속에서 다뤄진 장애와 장애인에 대한 관객의 인식과 수용과정을 파악하기 위해 19명의 비장애인 대학원생을 대상으로 포커스 그룹과 심층인터뷰를 실시하였다. 분석결과 장애학적 관점에서 중요한 세 가지 주제가 도출되었다: 1)복합적 현상으로서의 장애, 2)비장애 중심적 상징으로서 전유된 장애, 3)정상성에 동화·흡수된 장애. 첫째, 참여자들은 의료화된 관점과 함께 젠더화와 계층화된 시각으로 장애와 장애관련 등장인물들을 인식·수용했다. 둘째, 참여자들은 장애인의 스테레오타입화된 이미지와 상징을 차용하여, 장애인들이 아닌, 자신들의 사회적 어려움을 표현했다. 셋째, 참여자들은 영화 속에서 비장애와 남성중심적으로 묘사된 장애여성의 성과 사랑(오아시스)과 장애남성의 장애극복(말아톤)을 정상과 비장애 중심적 관점에서 이해하고 공감을 표시했다. 참여자들의 장애인물에 대한 인식과 수용은 <오아시스>와 <말아톤>이 장애에 대한 스테레오타입 뿐만 아니라 비장애중심적인 정상성을 확대·재생산할 수 있다는 점을 시사한다.

Sb-doped SnO2(ATO) thin films were prepared using electrospinning. To investigate the optimum properties of the electrospun ATO thin films, the deposition numbers of the ATO nanofibers(NFs) were controlled to levels of 1, 2, 4, and 6. Together with the different levels of deposition number, the structural, chemical, morphological, electrical, and optical properties of the nanofibers were investigated. As the deposition number of the ATO NFs increased, the thickness of the ATO thin films increased and the film surfaces were gradually densified, which affected the electrical properties of the ATO thin films. 6 levels of the ATO thin film exhibited superior electrical properties due to the improved carrier concentration and Hall mobility resulting from the increased thickness and surface densification. Also, the thickness of the samples had an effect on the optical properties of the ATO thin films. The ATO thin films with 6 deposited levels displayed the lowest transmittance and highest haze. Therefore, the figure of merit(FOM) considering the electrical and optical properties showed the best value for ATO thin films with 4 deposited levels.