We have seen the effects of buffer layer in organic light-emitting diodes(OLEDs) using poly(N-vinylcarbazole)(PVK) depending on a concentration of PVK. Polymer PVK buffer layer was made using spin casting technique. Two device structures were fabricated; one is ITO/TPD/Alq3/Al as a reference, and the other is ITO/PVK/TPD/Alq3/Al to see the effects of buffer layer in organic light-emitting diodes. Current-voltage-luminance characteristics and an external quantum efficiency were measured with a variation of spin-casting rpm speeds and PVK concentration. We have obtained an improvement of external quantum efficiency by a factor of four when the PVK concentration is 0.1wt% is used. The improvement of efficiency is expected due to a function of hole-blocking of PVK in OLEDs.

Zinc complexes with Bis[2-(o-hydroxyphenyl) benzothiazolato ligands (ZnPBS-0) and Bis[2- (o-hydroxynaphthyl) benzothiazolato ligands (ZnPBS-05) were synthesized, and luminescent properties of these materials were investigated. The emission band found that it strongly depends on the molecular structure of introduced ligand and was tuned from 525 nm to 535 nm by changing the ligand structures. Spreading of the π-conjugation in 2-(o-hydroxyphenyl) group gives rise to a blue shift. On the other hand, spreading of the π-conjugation in benzothiazole groups leads to a red shift. The EL properties also showed good consistency with their differences of ligand structure. Bright-blue EL emission with a maximum luminance of 8300 cd/m2 at 11V was obtained from the organic light - emitting diodes (OLEDs) using ZnPBS-0 as emitting layer. It was also found that the newly synthesized materials were suitable to be used as emitting materials in organic EL device.

PDP용 녹색 형광체의 발광특성을 개선시키기 위해 고안된 액상의 화학적 합성법을 사용하여 조성식이 Zn2-x SiO4:xMn(x=0.05, 0.08)인 형광체를 입자크기가 0.5~2μm로 조절하여 제조하였다. 제조된 형광체 입자는 구상이며 잘 분산된 형상을 봉주었고, 고상반응법에 비해 상대적으로 낮은 1080˚C에서 willemite구조의 단일상을 얻을 수 있었다. 또한 진공 자외선 영역의 147 nm의 여기원을 사용하여 광발광 특성을 조사하였다. 입자의 크기가 1μm이고 Mn의 도핑양이 8mole%일 때, 상용 형광체와 비교하여 발광세기는 약 40% 향상되었고 색좌표는 x=0.24, y=0.69로 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다. 측정된 형광체의 잔광시간은 7.8ms이었다.

ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 ITO/glaas 기판위에 스크린인쇄법으로 적층형과 혼합형 구조로된 2종류의 교류전계 발광소자를 제작한 후 인가전압과 주파수에 따른 광학적, 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 적층헝의 경우 발광휘도는 400Hz, 200V 구동전압에서 약 55 cd/m2를 나타내었다. 인가전압의 주파수를 400Hz에서 30Hz로 증가시킬 경우 휘도는 420 cd/m2로 크게 향상되었다. 혼합형의 경우 400Hz의 주파수에서 문턱전압은 45V이었고, 200V, 30KHz 주파수의 동작조건에서 최대휘도는 670 cd/m2 이었다. 휘도-전압 특성 측정결과 적층형구조 보다 혼합형 소자구조에서 발광강도가 약 1.5배 증가하였다. 주파수에 따른 주발광 파장의 변화는 양쪽시료 모두 유사하게 나타났다. 1KHz이하의 저주파에서는 652 nm의 청녹색 발광과장을 나타내었으며 5KHz이상에서는 452 nm과장의 청색발광을 나타내었다.

식물묘의 생장 및 형태형성 제어용 인공광원으로서 조합광 LED 모듈을 제작하여 조합광 LED모듈의 광전기 특성을 분석하고, 광량자 센서와 분광광도계를 이용하여 LED 모듈로부터 조사된 광량자속에 대한 정량화를 시도하였다. 청색과 적생의 단색광 LED로부터 조사된 광량자속을 광량자센서로 측정한 값과 분광광도계로 측정하여 수치적으로 적분한 값을 qly한 결과 거의 일치하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 광량자센서로서 측정이 불가능한 원적색광 LED로부터의 광량자속 정량화에 분광광도계를 적용될 수 있음을 의미하는 것이다. 적생광에 원적색광을 조사하는 LED스틱의 혼합 비율을 달리한 조합광 LED 모듈의 광량지속은 원적색광을 조사하는 LED 스틱이 증가할수록 조합광 LED의 광량자속이 조금씩 증가하였다. 이러한 결과는 단위에너지당 조사된 광량지수는 파장에 비례해서 증가히기 때문인 것으로 해석된다. 이밖에 적색과 원적색광 LED 스틱의 조합 비율을 달리하였을 때 조합광 LED 모듈의 조도는 비시감도가 매우 낮은 원적색광이 차지하는 비율이 클수록 낮게 나타났다. 한편 적색광과 원적생광의 혼합 정도가 조합광 LED의 복사조도에 미치는 영향은 거의 없는 것으로 나타났다.

Y2SiO5:Ce 형광체를 In2O3, Al2O3 및 SiO2로 코팅한 후 전계 방출 디스플레이에 요구되는 음극선 발광 특성을 조사하였다. Al2O3 코팅으로 Y2SiO(sub)5:Ce 형광체의 발광 효율과 에이징 특성은 감소되었다. 한편 Al2O3코팅으로 형광체의 발광효율은 증가하였으나 발광스펙트럼과 색좌표는 일부 변화하였다. 그러나 Y2SiO5:Ce 청색 형과체의 발광 효율은 SiO2코팅으로 크게 증가하였으며, 또한 SiO2 코팅한 Y2SiO5:Ce 형광체의 에이징 특성은 코팅 전에 비하여 크게 향상되었다.

The tfTZ(4,4',4"-trifluoro-triazine) was used as a hole blocking material for the electroluminescent devices(ELDs) in this study. In general, the holes are outnumbered the electrons in hole transport and emitting layers because the hole transport is more efficient in most organic ELDs. The hole blocking layer are expected to control the excess holes to increase the recombination of holes and electrons and to decrease current density. The former study using the 2,4,6-triphenyl-1,3,5-triazine(TTA) as hole blocking layer showed that the TTA did not form stable films with vapor deposition technique. The tfTZ can generate stable evaporated films, moreover the fluorine group can lower the highest occupied molecular orbital(HOMO) level, which produces the energy barrier for the holes. The tfTZ has high electron affinities according to the data by the Cyclic-Voltammety(CV) method, which is developed for the measurement of HOMO and lowest occupied molecular orbital(LUMO) level of organic thin films. The lowered HOMO level is made the tfTZ to be applied for a hole blocking layer in ELDs. We fabricated multilayer ELDs with a structure of ITO/hole blocking layer(HBL)/hole transporting layer(HTL)/emitting layer/electrode. The hole blocking properties of this devices is confirmed from the lowered current density values compared with that without hole blocking layer.

A water-soluble conducting polymer (CPP400 Paste) containing a derivative of polythiophene with several dopant was investigated as an anode material for organic electroluminescent devices. The device of ITO/CPP 400 Paste/TPD/Alq3/Li:Al was fabricated, where CPP 400 Paste films were prepared by spin coating and TPD and Alq3, films were prepared by vacuum evaporation. It was found that the turn-on voltage, current density, and luminance of the devices were dependent upon the thickness of CPP 400 Paste film in the Electroluminescent and current-voltage characteristics of the devices. This phenomena were explained by the energy level diagram of the device with the energy levels of the CPP400 Paste obtained by cyclic voltammetric method.

New electroluminescent materials base on anthracene chromophore, [9.10-bis(α-naph -thylethenyl) anthracene (α-BNA)] were newly synthesized. The anthracene derivatives with bulky substituent possessed high melting point and they gave stable amorphous films through vacuum - sublimation methods. Three types of electroluminescent devices were fabricated with double layer and triple layer structure : ITO/TPD/emission layer/MgAg, ITO/emission layer/ OXD-7 and ITO/ TPD/ emission layer/OXD-7/MgAg, respectively. In three types of devices with the emissive layer of α-BNA, efficient orange electroluminescence was observed. In the triple layer device whit a emitting layer of 20 nm thickness , maximum luminance was about 10000 cd/ m2 at an applied voltage of 10v and maximum external quantum efficiency was 1.0%.

Recently, high luminance and efficiency were realize in organic thin film electroluminescence (EL) cells with multilayer structures including an emitting layer (EML), hole transporting layer (HTL), and an electron transporting layer (ETL). In this study, Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (Bebq2) was synthesized. PL and EL characteristics of their thin film were investigated by fabricating the devices having a structure of ITO/PVK/Bebq2/Al, ITO/PVK dispersed with TPD/Bebq2/Al. The EL color of these device was greenish and the wavelength of their EL peaks was located, respectly, at 495nm, and 492.5nm.

액상반응법에 의해 Zn2-xMnxSiO4 녹색 형광체를 합성한 후 소성온도(900˚C-1200˚C) 및 Mn 활성제 농도(x=0.01~0.20)에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였다. 147nm와 254nm 여기원을 사용한 경우 형광체의 소성온도가 900˚C에서 1200˚C로 증가함에 따라 상대발광피크강도는 약 4배 이상 크게 증가하였다. XRD 분석결과 1100˚C이상의 소성온도에서 Zn2SiO4:Mn 녹색 형광체에서 나타나는 전형적인 willemite 결정구조를 보여주었다. 1200˚C의 온도로 소성된 Zn2-xMnxSiO4형광체 시료의 경우 147nm 여기원에서 Mn 활성제 농도가 x=0.02에서 최대 발광강도를 나타내었으며 x=0.10 이상에서 발광강도가 급격히 저하하는 농도 칭 현상이 나타났다. SEM 분석결과 형광체 입자는 구형에 가까운 형상을 보여주었으며 1200˚C에서 소성된 형광체 입자크기는 약 2~3μm이었다.EX>이었다.

Organic-based electroluminescent devices have attracted lots of interests because of their possible application as a large-area flat panel display. Polyimides have been used for photo-alignment in LCD(Liquid Crystal Display). However, the devices used in this study were fabricated with polyimide doped with N,N'-Diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine(TPD) (3, 10, 30wt%) for electroluminescent hole tranforting layer(EHTL). The photochemical and physical properties of EHTL was studied. The film thicknesses were reduced under illumination with UV light. Polyimide films doped with TPD(3wt%) was irradiated and the electrical properties of the films were studied.

고상 반응법에 의해 제조된 Zn1.98Mn0.02SiO4 녹색 형광체에 Ga 원소를 치환시켜 소성온도 및 Ga의 첨가량에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였으나, Zn1.98Mn0.02(Si1-xGax)O4 형광체에 있어서 Ga을 첨가했을 경우가 첨가하지 않은 샘플에 비해 발광특성이 개선되었으며, 8mol%(x=0.08) Ga을 첨가했을 때 발광세기와 색순도에서 가장 우수한 특성을 보였다. Zn1.98Mn0.02(Si1-xGax)O4 형광체(x=0.08)에 대해서 소성온도를 1100˚C에서 1400˚C로 증가함에 따라 결정성이 개선되었으며 발광강도 역시 약 7배 이상 크게 증가하였다. 잔광시간은 Ga 첨가량에 관계없이 약 24 ms로 거의 변화가 없었다. 입도분석 결과 1-3μm의 작은 입자가 주로 관찰되었으며 10μm이상의 큰 응집입자도 소량 존재하였다.

고상반응법으로 SrTiO3 : AI, Pr 적색 형광체를 합성하였다. PL 스펙트럼과 CL 스펙트럼의 발광 강도를 소결 온도와 소결 시간등의 형광체의 제조 변수에 대하여 최적화 하였다. 열처리한 분말은 XRD 분석 결과 페로브스카이트구조를 보였고, PSD 분석결과 평균입자크기는 약 3~5μm이었다. 또한 분말의 주사 전자 현미경 사진에 의한면 구형을 갖는잘 결정화된 입자들이 관찰되었다. 특히, 본 연구에서 합성된 분말의 특성은 상용화된 Y2O3: Eu 형광체 보다 저전압에서의 CL 특성이 더 우수하였으며, 이 형광체는 저전압에서 구동하는 FED에 응용할 가능성이 높을 것으로 생각된다.