이 연구는 외국인 학습자를 대상으로 하는 한국어 교육에서의 한자․한자어 교 육을 언어 이론을 바탕으로 고찰하여 더 나은 방향으로의 발전을 위한 몇 가지 제언을 제시하는 데 목적을 두었다. 이 연구에서는 언어 인식, 언어와 인지의 관 계, 생태학적 관점에서 외국인 학습자 대상의 한자․한자어 교육의 문제를 바라 보았다. 언어 인식의 측면에서는 한국어 교육에서의 한자․한자어 교육이 외국인 학습 자의 언어 인식을 고려하여 계획과 실천이 이루어지고 있는지에 대한 문제를 제 기하였다. 비판적 언어 인식을 고려한 한국어 교육에서의 한자․한자어 교육은 단순히 어휘 의미의 해독과 이해를 넘어 사회적․문화적․이데올로기적 실천을 견인할 수 있는 방향으로 나아가야 함을 언급하였다. 언어와 인지의 관계에 대한 논의에서는 인지 내용과 인지, 언어와의 관계 고찰 을 통해 지식과 정보, 현상에 대한 외국인 학습자의 인지 활동을 들여다보았다. 외국인 학습자는 자신들의 모국어로 사고하고, 사고한 내용에 대해 한국어 표현을 찾고, 한국어로 표현하는 과정을 거치게 된다. 이러한 과정 속에서 한자․한자어 교육이 언어 발달에 얼마나 기여할 수 있을지 검증하는 절차가 필요함을 제기하 였다. 생태학적 관점 측면에서는 한국어교육에서의 한자․한자어 학습이 어휘력 신 장의 미시적 관점에서 벗어나 학습자가 언어적 환경에 적응하는 데 기여할 것을 주문하였다. 한자․한자어 교육이 학습자의 실제의 삶에 얼마나 유의미한 가치를 지니는지 근접하여 들여다 볼 필요가 있으며, 그 과정을 통해 한자․한자어 교육 은 외국인이 한국에서 언어생활을 영위하는 데 실질적인 도움이 되는 방향으로 재설계되어야 함을 역설하였다.

글로벌 스마트 어플리케이션 시장에서 스마트기기 게임 어플리케이션의 해외 진출을 위해서는 지역화가 반드시 필요하다. 하지만 현실적으로 대부분의 개발환경은 소규모이기 때문에, 지역화는 금전적, 시간적 부담이 크다. 이러한 문제점을 극복하는 방안을 연구함에 있어, 본 연구에서는 자발적인 참여에 의한 지역화의 가능성에 착안하였다. 본문에서는 자발적 참여에 의한 콘텐츠 개발 및 지역화 사례를 분석함으로써, 현재 개발환경에 적합한 지역화 플랫폼 모델 및 운영방안을 제시하고 있다.

이 글은 ‘易讀性’에 관한 여러 논의의 검토를 통해 한자 어휘 수준의 결정 요인 에 대해 고찰하는 것을 목표로 한다. 어휘는 단일 변인으로는 텍스트 수준 결정에 가장 큰 영향을 미친다. 그런데 이 독성 공식 등 텍스트 수준 결정에 관한 초기의 논의에서는 편의상 어휘의 계량화 측면을 주로 이용했다. 그러나 근래에 이르면서 독자 요인과 함께 어휘의 질적인 측면을 주목하게 되었고, 그 활용에 대한 다양한 모색이 이루어졌다. 본고에서는 어휘 교육의 최종 목표가 문식성 발달에 있다는 점을 염두에 두면 서, 이상적인 이독성 공식이 포함하는 어휘의 질적, 양적 요인을 모두 아우르고자 하였다. 그 결과로서 제시한 것이 頻度, 透明度, 입말화 한자어의 처리 문제, 사회 문화적 맥락의 고려이다. 이 이외에도 다른 요인의 고려가 있을 수 있을 것이다. 그렇지만 시대 변화에 따른 한자 어휘의 위상 변화를 인식하고, 우리 언어 환경 내에서 언어 수준의 질을 높이고 품격있는 언어 사용을 가능하게 하며, 사회적 의사판단과 표현에 기여하는 한자 어휘의 특성에 대한 이해 아래 어휘의 선정과 평 정, 교육의 우선 순위 배정 등의 문제를 풀어나가야 할 것이다. 특히 계량 가능한 빈도 이외의 여러 질적 요인은 국문학, 국어학, 국어교육, 한문학, 한문교육 전공 자 등의 학제적인 연구를 통한 핵심 요소의 추출과 상세화 작업이 요구된다. 이는 궁극적으로 우리의 언어문화 수준의 질적 제고와 관련된 부분이다.

최근 전국적으로 요트관련 산업이 활발하게 전개되고 있다. 특히, 전라남도는 천혜의 요트 최적지로서 우리나라 요트레저 수요를 충족하기 위하여 다양한 요트 계류장을 구축하고 있다. 그러나 현재 국내에는 요트 항로의 개발은 물론, 안전한 요트 항로 유도를 위한 장치의 개발이 전무한 실정이다. 본 연구에서는 최근 널리 보급되어 있는 스마트폰을 이용한 요트 항로 가이드용 어플리케이션 프로토타입을 개발하였다. 개발한 항로는 시범운영을 위하여 목포를 기점으

Zinc oxide as an optoelectronic device material was studied to utilize its wide band gap of 3.37 eV and high exciton biding energy of 60 meV. Using anti-site nitrogen to generate p-type zinc oxide has shown a deep acceptor level and low solubility. To increase the nitrogen solubility in zinc oxide, group 13 elements (aluminum, gallium, and indium) was co-added to nitrogen. The effect of aluminum on nitrogen solubility in a 3×3×2 zinc oxide super cell containing 72 atoms was investigated using density functional theory with hybrid functionals of Heyd, Scuseria, and Ernzerhof (HSE). Aluminum and nitrogen were substituted for zinc and oxygen sites in the super cell, respectively. The band gap of the undoped super cell was calculated to be 3.36 eV from the density of states, and was in good agreement with the experimentally obtained value. Formation energies of a nitrogen molecule and nitric oxide in the zinc oxide super cell in zinc-rich conditions were lower than those in oxygen-rich conditions. When the number of nitrogen molecules near the aluminum increased from one to four in the super cell, their formation energies decreased to approach the valence band maximum to some degree. However, the acceptor level of nitrogen in zinc oxide with the co-incorporation of aluminum was still deep.

본 연구에서는 목포권 마리나를 중심으로 한 요트항해 경로 개발에 대하여 논의하고자 한다. 목포 마리나에서 호남권(전북, 전남)의 주요 요트 기항지를 중심으로 해로를 통한 접근성, 기항지를 중심으로 한 볼거리, 숙박정보를 통합하여 지역을 방문하는 요트 관광객에게 유용 한 정보를 제공 할 수 있을 것이다. 아울러 이를 통한 지역 해양관광 활성화 방안으로서도 발전시키고자 한다.

본 연구에서는 2009년 완도해역에서 전남에서는 처음으로 발견된 대규모 연산호 군락지와 해양보호구역(marine protected area) 지정과의 관계에 대해 언급하고자 한다. 연산호 군락지 생태조사의 목적은 연산호 군락의 특이성, 서식상 등의 정밀조사를 통하여 완도해역(신지대교 및 주변해역)의 연산호 군락지 생태학적 가치를 규명하고 향후 해양보호구역(MPA)으로 지정하기 위함이다. 제주 해역에서만 발견되던 연산호 군락이 전남 완도해역에서 대규모로 발견된 것만으로도 주목할 만한 현상 이며, 연산호 군락 주변에 다양한 생물종이 서식함으로 해양생태계 생물 다양성과 해양경관의 우수성을 토대로 해양생태관광지 로 활용할 방안을 모색할 것이다.

We studied the initial reaction mechanism of Zn precursors, namely, di-methylzinc (Zn(CH3)2, DMZ) and diethylzinc (Zn(C2H5)2, DEZ), for zinc oxide thin-film growth on a Si (001) surface using density functional theory. We calculated the migration and reaction energy barriers for DMZ and DEZ on a fully hydroxylized Si (001) surface. The Zn atom of DMZ or DEZ was adsorbed on an O atom of a hydroxyl (-OH) due to the lone pair electrons of the O atom on the Si (001) surface. The adsorbed DMZ or DEZ migrated to all available surface sites, and rotated on the O atom with low energy barriers in the range of 0.00-0.13 eV. We considered the DMZ or DEZ reaction at all available surface sites. The rotated and migrated DMZs reacted with the nearest -OH to produce a uni-methylzinc (-ZnCH3, UMZ) group and methane (CH4) with energy barriers in the range of 0.53-0.78 eV. In the case of the DEZs, smaller energy barriers in the range of 0.21-0.35 eV were needed for its reaction to produce a uni-ethylzinc (-ZnC2H5, UEZ) group and ethane (C2H6). Therefore, DEZ is preferred to DMZ due to its lower energy barrier for the surface reaction.

Adsorption of a water molecule on a Si (001) surface and its dissociation were studied using density functional theory to study the distribution of -OH fragments on the Si surface. The Si (001) surface was composed of Si dimers, which buckle in a zigzag pattern below the order-disorder transition temperature to reduce the surface energy. When a water molecule approached the Si surface, the O atom of the water molecule favored the down-buckled Si atom, and the H atom of the water molecule favored the up-buckled Si atom. This is explained by the attractions between the negatively charged O of the water and the positively charged down-buckled Si atom and between the positively charged H of the water and the negatively charged up-buckled Si atom. Following the adsorption of the first water molecule on the surface, a second water molecule adsorbed on either the inter-dimer or intra-dimer site of the Si dimer. The dipole-dipole interaction of the two adsorbed water molecules led to the formation of the water dimer, and the dissociation of the water molecules occurred easily below the order-disorder transition temperature. Therefore, the 1/2 monolayer of -OH on the water-terminated Si (001) surface shows a regular distribution. The results shed light on the atomic layer deposition process of alternate gate dielectric materials, such as HfO2.

이 연구는 한자 교육의 필요성과 당위성을 주장하는 기존의 논의들이 염두에 두지 않았던 문제들에 대해 고찰해 볼 수 있는 기회를 제공함으로써 한자 교육의 새로운 방향성을 모색하게 하는 계기를 마련하는 데 그 목적이 있다. 한자 교육이 하나의 이론으로서 그 위상을 갖추기 위해서는 언어적, 인지적, 발 달적, 과학적 측면에서 타당한 논거들이 연구되고 제시되어야 한다. 먼저, 기호론 적 측면에서 한글과 한자를 둘러싼 기호 표현과 기호 내용의 관계가 한자 교육을 통해 어떻게 원활하게 형성이 될 수 있는지를 밝혀야 할 것이다. 둘째, 한자 읽기 가 ‘의미에 대한 사고 과정’이라면 한자를 통하여 한자가 의미의 내면화에 어떻게 기여를 하며, 그것이 얼마나 효율적인지 명확히 밝힐 필요가 있다. 셋째, 한자의 읽기, 쓰기 교육이 학생들의 문식성 발달 수준을 고려하여 실시되고 있는지 되돌 아보아야 한다. 넷째, 한자 문식성의 발달 정도와 언어 능력 간의 상관관계를 객관 적이고 신뢰성 있는 실험으로 검증할 필요가 있다.

Na+ ion conductivity can be improved by the substitution of an Mg atom for an Al atom to form a nonstoichiometric Na+ β-alumina. We performed a first principles study to investigate the most stable substitution site of an Mg atom and the resulting structural change of the nonstoichiometric Na+ β-alumina. Al atoms were classified as four different layers in the spinel block that are separated by conduction planes in the nonstoichiometric Na+ β-alumina. The substitution of an Mg atom for an Al atom at a tetragonal site was more favorable than that at an octahedral site. The substitution in the spinel block was more favorable than that close to the conduction plane. This result was well explained by the volume changes of the polyhedrons, by the standard deviation of the Mg-O distance, and by the comparison with bulk MgO structure. Our result indicates that the most preferable site for the Mg atom was the tetrahedral site at the spinel block in the nonstoichiometric Na+ β-alumina.

Density functional theory was utilized to investigate the growth of an indium nanowire on a Si (001) buckled surface. A site between the edge of two Si dimers is most favorable when the first In atom is adsorbed on the surface at an adsorption energy level of 2.26 eV. The energy barriers for migration from other sites to the most favorable site are low. When the second In atom is adsorbed next to the first In atom to form an In dimer perpendicular to the Si dimer row, the adsorption energy is the highest among all adsorption sites. The third In atom prefers either of the sites next to the In dimer along the In dimer direction. The fourth In atom exhibited the same tendency showed by the second atom. The second and fourth In adsorption energy levels are higher than the first and third levels as the In atoms consume the third valence electron by forming In dimers. Therefore, the In nanowire grows perpendicular to the Si dimer row on the Si (001) surface, as it satisfies the bonding of the three valence electrons of the In atoms.

Calcia (CaO) stabilized cubic-HfO2 is studied by density functional theory (DFT) with generalized gradient approximation (GGA). When a Ca atom is substituted for a Hf atom, an oxygen vacancy is produced to satisfy the charge neutrality. The lattice parameter of a 2×2×2 cubic HfO2 supercell then increases by 0.02 Å. The oxygen atoms closest to the oxygen vacancy are attracted to the vacancy as the vacancy is positive compared to the oxygen ion. When the oxygen vacancy is located at the site closest to the Ca atom, the total energy of HfO2 reaches its minimum. The energy barriers for the migration of the oxygen vacancy were calculated. The energy barriers between the first and the second nearest sites, the second and the third nearest sites, and the third and fourth nearest sites are 0.2, 0.5, and 0.24 eV, respectively. The oxygen vacancies at the third and fourth nearest sites relative to the Ca atom represent the oxygen vacancies in undoped HfO2. Therefore, the energy barrier for oxygen migration in the HfO2 gate dielectric is 0.24 eV, which can explain the origin of gate dielectric leakage.

Tetragonal-Ni1-xPdxSi/Si (001) structure was studied by using density functional theory (DFT). An epitaxial interface between 2×2×4 (001) tetragonal-NiSi supercell and 1×1×2 (001) Si supercell was first constructed by adjusting the lattice parameters of B2-NiSi structure to match those of the Si structure. We chose Ni atoms as a terminating layer of the B2-NiSi; the equilibrium gap between the tetragonal-NiSi and Si was calculated to be 1.1 Å. The Ni atoms in the structure moved away from the original positions along the z-direction in a systematic way during the energy minimization. Two different Ni sites were identified at the interface and the bulk, respectively. The two Ni sites at the interface have 6 and 7 coordination numbers. The Ni sites with coordination number 6 at the interface were located farther away from the interface, and were more favorable for Pd substitution.