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        82.
        2001.07 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 연구에서는 고변형된 이중 에피층에서 두 가지 종류의 반원 전위 루프 (60˚및 쌍격자 전위)의 생성 속도물 예측하는 모델을 제안한다. 모델링 시, 에피층 표면에서 발생하는 결함과 이곳에 집중되는 응력 효과를 고려하였으며, Matthew의 식을 발전시켜 에피층 두께에 따른 잔류 변형율을 변수로 사용하였다. 모델링을 통한 계산 결과에 의하면, 응력 집중 현상은 고변형된 이종에피층에서 전위 및 결정 결함 현상을 설명하는 데 매우 중요하였다. 또한,본 연구를 퉁하여, 응력 집중 현상이 에피층 성장 초기에 생성되는 전위 형태를 결정하는 주요한 인자 중 하나임을 단면 투과 전자 현미경 결과와의 비교를 통해 확인할 수 있었다.
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        87.
        1998.07 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        HBr을 이용한 트렌치 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성 및 분포에 미치는 영향을 고분해능 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. O2 및 다른 첨가 가스로 SiOxFy, SiOxBry 등의 식각 방지막을 표면에 형성시켜 벽면 undercut을 방지하고 표면의 거칠기를 감소할 수 있었으며, 이후의 트렌치 채움 공정에서 void 가 없는 잘 채원진 구조를 얻을 수 있었다. 형성된 식각 방지막은 격자 결함의 생성 및 이들의 분포에 영향을 미쳤다. 대부분의 식각 유도 결함들은 트렌치 바닥의 가장자리에서 10Å 이내의 깊이로 분포하였으며, 잔류막의 두께에 의존하였다. 두꺼운 잔류막층 아래로는 결함들이 거의 사라졌으며, 결함층의 깊이와 잔류막 두께는 대체로 반비례하는 것을 나타났다. 기판 내에 존재하는 결정학적인 결함들은 식각종의 입사각이나 에너지에 의존하는 반면에,식각된 표면에서 관찰되는 결함들은 트렌치 식각동안 형성되는 이러한 잔류막의 두께에 크게 의존하는 것으로 나타났다.
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        88.
        1997.03 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 논문에서는 랜덤한 축대칭 기하학적 초기결함을 갖는 원통이 축방향 충격하중을 받는 경우의 반경방향 변위가 임계기준치를 최초로 통과하는 확률론적 충격좌굴 파괴시간을 해석할 수 있는 방법을 제시하였다. 랜덤한 기하학적 초기결함의 생성을 위해 초기결함의 평균함수 및 상관함수를 이용하여 확률장을 형성하는 방법을 사용하였다. 본 논문에서 제시된 방법은 실제적인 기하학적 초기결함이 갖는 불확실성을 취급하는데 적절하고 실용적이므로 이를 고려한 원통의 구조안전도해석에 이용할 수 있다.
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        89.
        1996.12 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        산소분압과 온도변화에 따라 비양론성 rutile(TiO2-x)의 결함모델을 전기전도 측정법에 의해 연구하였다. 산소분압과 전기전도도의 상관관계에 의하면, rutile에서 주결함은 2가로 하전된 산소빈자리와 4가로 하전된 침입형 티타늄이온이다. 1170˚C이상의 온도에서는 침입형 Tii…이온이 지배적인 결함이었으나, 1170˚C이하의 낮은 산소분압대에서는 2가로 하전된 산소빈자리가 주된 결함이었다. rutile의 전기전도 실험에서 제안된 결함모델은 본 연구팀이 O18추적자 확산실험에 의해 제안하였던 결과치와 일치하였다.
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        90.
        1996.08 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        MPECVD법을 이용하여 다이아몬드 박막을 p형 Si(100)기판 위에 증착하였다. 증착하기에 앞서, 핵생성 밀도를 향상시키기 위하여 40-60μm 크기의 다이아몬드 분말을 사용하여 6분간 초음파 전처리를 행하였다. 이런 전처리 과정 후, 다이아몬드 박막을 900˚C, 40Torr, 1000W microwave power에서 CH4와 h2사용하여 증착하였다. 이렇게 형성된 다이아몬드 박막의 순수도는 Raman spectroscopy로 측정하였으며 박막의 표면은 SEM으로 , 그리고 미세구조와 미세결함은 TEM으로 조사하였다. 반응기체 중 CH4의 농도가 증가함에 따라 다이아몬드의 정형적인 Raman peak와 더불어 다이아몬드가 아닌 제 2상의 peak가 증가하였다. SEM에 의한 박막의 표면은 CH4가 증가함에 따라 박막의 표면이 뚜렷한 결정형상에서 cauliflower 형태로 변화하였다. 다이아몬드 박막의 결함밀도는 CH4농도가 증가함에 따라 증가하였으며 결함 중 대부분은 111twin이였다. 그리고 MTP(Mulitply Twinned Particle)는 5개의 (111)면으로 형성된 결정으로, 5개의 (111)면은 각각에 대해서 Twin되어 있으며 five-fold symmetry를 나타내었다. 계면에서는 다이아몬드내의 결함들이 핵생성 site를 함유한 작은 지역에서부터 V형재로 퍼져 나갔다.
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        91.
        1996.05 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 200˚C-1100˚C 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 1100˚C 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.
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        93.
        1994.10 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
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        94.
        1994.02 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        Mn-Zn ferrite를 가공하여 VCR헤드의 제조과정에서 비자성체 gap용 SiO2증착층과 유리와의 접합시 유리내에 기포 형태의 결함이 발생하는 경우가 있다. 기판의 조도나 SiO2의 증착속도의 영향을 분석한 결과, 기포의 생성원인이 SiO2 증착층과 접합유리의 융착시 계면에 존재하는 요철의 불완전한 충진에 의한 것으로 나타났다. 따라서 이러한 기포생성을 억제시키는 위해서는 기판을 최대한 경면 연마시켜 표면조도를 작게하고 SiO2증착속도를 조절함으로써 SiO2증착층의 표면조도를 작게하여 유리 융착시 계변의 요철 크기를 작게해야 한다. 기판을 0.05μm알루미나 분말로 경면연마시키고, 10% Osub 2/분압을 갖는 Ar plasma상태하로 조절된 증착속도로 즈악된 SiO2증착층과 접합유리의 융착시 기포가 전혀 발생치 않았다.
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        95.
        1993.08 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 NH3가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry O2 oxidation)및 NH3산화(NH3 added in dry O2oxidation)를 택하였고 N2및 NH3N2분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, NH3산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 NH3산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 NH3산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% NH3N2분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. NH3산화방식에서 7.5%NH3N3분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다.
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        96.
        1992.08 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 논문에서는 ATiO3(A=Ca, Sr, Ba) 조성을 갖는 단순 페롭스카이트 구조에서 생성되는 격자결함 구조에 대하여 고찰하였다. 페롭스카이트 구조는 고충전밀도를 갖기 때문에 프렌클 결함은 고려되지 않았다. 쇼트키결함이나, 고유전자결함도 자연적으로 포함된 억셉타 불순물 농도에 비하면 무시할 정도로 적은 양이다. 실제적으로 전기적 특성에 영향을 주는 것은 전하적 결함을 발생하는 aliovalent 불순물이다. 삼성분계이기 때문에 양이온간의 비화학양론이 발생하며 BaTiO3나 SrTiO3에서 수백 ppm이내의 AO나 TiO2의 용해도가 관찰되나, CaTiO3에서는 상당량의 CaO와 TiO2의 용해가 가능하다.
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        97.
        1984.03 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        응력집중부에 존재하는 균열에 대해서 J 평가식은 그 주위의 응력집중부의 국부변형과의 관계에 대해서 인장 및 압축이 있는 두곳에서 BEM 해석과 광탄성 실험한 결과와 COD 및 J치의 무차원량 J 하(E) /Σ 하(y) 상(2) a와 그 경우의 평균변형 및 항복변형의 비(e/e 하(y) )와의 관계는 균열의 길이에 의하지 않고 응력집중부의 형태에 거의 지배적으로 결정되는 일의적 대응관계가 있다. 2. 무한연속부 내부의 어떤 결함에 의한 평가식으로 부터 구한 값을 불연속 구조물내의 응력집중부에 존재하는 결함에 비하여 비교 정리하면, J 하(E) /Σ 하(y) 상(2) a=3.345(e/e 하(y) ) 상(2) 의 구간은 e/e 하(y) ≤1이고, J 하(E) /Σ 하(y) 상(2) a=3.345(e/e 하(y) )의 구간은 e/e 하(y) ≥1로서 이식들은 결함부 J평가식으로 사용할 수 있다. 3. 경계요소법에 의한 J식의 값과의 사이에는 가공경화율은 E/100을 사용하므로 이론과 실험결과가 거의 일치함을 보이고 상기 J식은 불연속평판 구조물이 결함을 가질 때 응력설계곡선의 자료가 될 수 있다.
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        98.
        2019.10 서비스 종료(열람 제한)
        청소년 모험활동시설은 그동안 청소년활동의 기반으로서의 중심적인 역할을 수행해 왔으며, 사회변화에 따른 청소년들의 다양한 문화적인 요구와 미래의 트랜드에 부합하는 환경을 올바로 제공하여 정상적인 수련활동을 충족시키기 위한 활성화 방안을 지속적으로 모색하여 왔다. 그럼에도 기존의 청소년 모험시설은 사회적 환경변화와 더불어 학교단체의 여가활동 활성화를 위해서 다양한 청소년 활동기회를 제공하기 위한 시설로 개선될 필요가 있다. 이에 본 연구에서는 활용도와 참여도가 높은 군집 형태의 청소년 모험시설을 대상으로 전체 현황을 조사하고, 안전성에 따라 주요 결함을 분석하고자 한다.
        99.
        2019.10 서비스 종료(열람 제한)
        딥러닝(Deep Learning) 기술은 이미지 데이터를 비롯하여 텍스트 데이터, 음성 데이터 등을 학습시켜 특성을 추출하고 인식하기 위한 여러 분야에 적용하고 연구되고 있다. 내부에 존재하는 블레이드는 본체와 분리가 불가능하고, 내부의 매우 불리한 환경속에서 검출이 이루어져야 한다. 기존의 영상 검출 방법은 상당한 시간이 요구되며, 기술자들의 개인적 능력과 경험에 의존하고 있다. 본 연구에서는 내부 블레이드의 표면 결함을 효율적으로 검출하고 자동화하기 위하여 Faster R-CNN 알고리즘을 학습시켜 검출 모델을 구축하였다.
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