Poly (ethylene terephthalate) (PET) 필름은 여러 가지 우수한 필름 특성으로 인하여 다양한 방면에서 이용되 고 있다. 그러나 PET 필름은 낮은 표면에너지로 인하여 젖음성과 접착력이 약해 그 응용에 제약이 있다. 따라서 PET 필름이 유연 전자회로 기판으로 사용되기 위해서는 필름의 표면에너지를 필름 자체의 특성에 변화주지 않는 범위에서 변화시켜 낮춰줘야 할 필요가 있다. 본 연구에서는 상용의 PET 필름에 자외선과 공기-플라스마 처리를 행하였으며, 각각의 조건에 따른 필름의 표면을 접촉각 측정기, X-선 분광기 등을 사용하여 조사하였다. 또한 시간에 따른 표면특성의 변화를 연구하였다. 그 결과 자외선과 공기-플라스마로 처리된 필름은 표면이 극성으로 변화하였으며, 시간에 따라 서서히 원래의 극성으로 돌아가는 것을 확인하였으며, 초기 상태로의 극성의 회복 시간은 자외선과 공기-플라스마 처리 시간과 관련되는 것을 확인하였다. 이는 PET 필름이 인쇄전자 분야에서 유연기판 재료로서 이용되는 데에 중요한 결과라고 할 수 있다.

Boron doped fullerene C60 (B:C60) films were prepared by the thermal evaporation of C60 powder using argon plasma treatment. The morphology and structural characteristics of the thin films were investigated by scanning electron microscope (SEM), Fourier transform infra-red spectroscopy (FTIR) and x-ray photo electron spectroscopy (XPS). The electrochemical application of the boron doped fullerene film as a coating layer for silicon anodes in lithium ion batteries was also investigated. Cyclic voltammetry (CV) measurements were applied to the B:C60 coated silicon electrodes at a scan rate of 0.05 mVs-1. The CV results show that the B:C60 coating layer act as a passivation layer with respect to the insertion and extraction of lithium ions into the silicon film electrode.

Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic applications. Among TCO materials,zinc oxide (ZnO) has been studied extensively for its high optical transmission and electrical conduction. In this study, the effectsof O2 plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films (GZO) on polyethylene naphthalate (PEN) substrate werestudied. The O2 plasma pretreatment process was used instead of conventional oxide buffer layers. The O2 plasma treatmentprocess has several merits compared with the oxide buffer layer treatment, especially on a mass production scale. In this process,an additional sputtering system for oxide composition is not needed and the plasma treatment process is easily adopted as anin-line process. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesionbetween the PEN substrate and the GZO film, the O2 plasma pre-treatment process was used prior to GZO sputtering. As theRF power and the treatment time increased, the contact angle decreased and the RMS surface roughness increased significantly.It is believed that the surface energy and adhesive force of the polymer surfaces increased with the O2 plasma treatment andthat the crystallinity and grain size of the GZO films increased. When the RF power was 100W and the treatment time was120 sec in the O2 plasma pretreatment process, the resistivity of the GZO films on the PEN substrate was 1.05×10-3Ω-cm,which is an appropriate range for most optoelectronic applications.

Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400˚C on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O2 and N2O to improve the performance of polycrystalline Si thin film transistors. In conventional high-temperature N2O annealing, nitrogen can be supplied to the Si/SiO2 interface because a NO molecule can diffuse through the oxide. However, it was found that nitrogen cannot be supplied to the Si/SiO2 interface by plasma oxidation as the N2O molecule is broken in the plasma and because a dense Si-N bond is formed at the SiO2 surface, preventing further diffusion of nitrogen into the oxide. Nitrogen was added to the Si/SiO2 interface by the plasma oxidation of mixtures of O2/N2O gas, leading to an enhancement of the field effect mobility of polycrystalline Si TFTs due to the reduction in the number of trap densities at the interface and at the Si grain boundaries due to nitrogen passivation.

플라즈마 필름은 플라스틱 필름 표면의 유적성을 향상시키기 위하여 고전압처리 되었다. 플라즈마 필름과 계면활성제 필름(대조구)를 각각 직경 25mm 두께 1.5mm 골조 파이프 하우스에 피복하였다. 또한 40일 플러그 육묘된 풋고추를 110cmx25cm 간격으로 정식하였다. 피복시 수온을 70℃로 처리된 수적발생 장치에서 나온 수증기가 필름 표면에서 응결되어 흘러내려 비이커에 모인 양을 150분 후에 측정한 결과, 플라즈마 필름에서 2.56mL.100cm-2 , 계면활성제 필름에서 0.94mL.100cm-2 이 나왔다. 피복 60일 후 오전 8시 20분에 시설내 필름 표면에 부착된 수적량은 플라즈마 필름에서 0.34mL.100cm-2 , 계면활성제필름에서 0.32mL.10cm-2 이었다. 광 투과율은 플라즈마 필름 피복시설이 계면활성제 피복시설 보다 2.0% 높았다. 그리고 시설내 기온은 플라즈마 필름 피복시설이 계면활성제 피복시설 보다 0.5℃ 높았다. 그러나 상대습도는 차이가 없었다. 풋고추 초장, 엽면적, 건물중 및 초기수량 또한 처리간에 차이가 없었다.

플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 N2O플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. N2O플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 N2O플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 N2O플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다.