With the emergence of the 3D CAD, it is possible to create a physical part directly from a digital model by accumulating layers of a given material. The technology is being widely used for checking designs, to create master models for rapid tooling, and for reverse engineering. However, in general, a model created by rapid prototyping technology is made of soft material that cannot be used as mass prouduction hard tool. Newly developed powder casting is suitable for rapid-manufacturing metallic tools. Powder casting can serve as a promising rapid tooling method because of high density characteristics and low dimensional shrinkage below 0.1% during sintering and infiltration. Through this process, we have realized significant time and cost savings eliminating the expense of conventional prototype tooling process.

Densificationbehavior of conventional austenitic stainless steel powder compacts was studied by comparing the relative density of sintered compact(Ds)with that of green compacts(Dg)prepared with various catbon contents and P/M process. Dg of 304and 316 powders by warm compaction under pressure of 686 MPa at heating temperature of powder(553K) and dies (573K) were 80% and 81%, repectively, whichwere 2 and 3% higher than those of conventional green compacts at the same pressure. Ds of 304 compacts sintered at 1373K in H2 gas has the same value of 84% max. regardless of compacting temperature, and Ds of 316 compacts at the same sintering conditions were 80% by conventional compaction and 83% by warm compaction. Oxygen contents of 304 and 316 sintered compacts were increased 1.43∼2.94% and 0.010∼0.921% higher than those of raw powders and warm green compacts, respectively. In other case, Ds of 316 compacts sintered at 1573K in vacuum had the same value of 86%max. And Ds of 316 compacts at the same sintering conditions were 83% and 86% by conventional and warm compaction, respectively. Oxygen contents of 304 sintered compacts were 0.321% and 0.360%, and in case of 316, they were 0.419% and 0.182% by the respective compating condition. With carbon additions in the range 0.1∼0.6% Ds increased to the extent of 86∼89% in 304 sintered compacts, and to 82∼84% and 85∼87% in 316 according to different two compacting peocesses compared to those of sintered compacts without carbon addition.

Si FEA로부터 tip의 표면을 Ti 금속으로 silicidation한 새로운 3극형 Ti-silicided Si FEA를 제작하고 이의 전계 방출특성을 조사하였다. 제작된 소자에서 단위 pixel(pixel area : 1000μm×1000μm, tip array : 200μm×200μm</TEX>)을 통해 측정된 전계 방출 특성은 108Torr의 고진공 상태에서 turn-on 전압이 약 70V로, 아노드 방출전류의 크기와 current degradation이 VA=500V, VG=150V 바이어스 아래에서 각각 2nA/tip와 0.3%/min로 나타났다. 3극형 Ti-silicided Si FEA의 낮은 turn-on 전압과 높은 전류안정성은 Si tip 표면에 형성된 실리사이드 박막의 열화학적 안정성과 낮은 일함수에 기인하는 것으로 판단된다.

본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ (1:2) 착물의 LB초박막을 제작하였다. LB막의 누적을 위한 최적조건을 구하기 위하여 subphase 온도, barrier 압축속도 및 분산량을 변화시키면서 표면압-면적(π-A) 등온선 특성을 측정하였다. 그리고 전이비, UV-vis의 최대 흡광도, 정전용량 및 두께를 측정하여 LB막의 누적상태를 확인하였다. 그 결과 분자수준으로 잘 제어된 양호한 LB막이 제작되었음을 알 수 있었다..

A water-soluble conducting polymer (CPP400 Paste) containing a derivative of polythiophene with several dopant was investigated as an anode material for organic electroluminescent devices. The device of ITO/CPP 400 Paste/TPD/Alq3/Li:Al was fabricated, where CPP 400 Paste films were prepared by spin coating and TPD and Alq3, films were prepared by vacuum evaporation. It was found that the turn-on voltage, current density, and luminance of the devices were dependent upon the thickness of CPP 400 Paste film in the Electroluminescent and current-voltage characteristics of the devices. This phenomena were explained by the energy level diagram of the device with the energy levels of the CPP400 Paste obtained by cyclic voltammetric method.

Organic semiconductors based on conjugated thiophene oligomer have great potential to be utilized as an active layer for electronic and optoelectronic devices. In this study, a conjugated oligomer such as α-sexithiophene (α-6T) thin films was prepared by the Organic Molecular Beam Deposition (OMBD), and various electrode materials were also deposited by a simple vacuum evaporation, respectively. Those films were photolithographically patterned for the electrical measurements. Electrical charact-erization of the thin film transistor with various channel length were executed and the field effect mobility of these thin film transistors were also calculated by the formula using the experimental data.

투명 렌즈의 color는 투과광의 파장의 감산혼합에 의해 이루어진다. 그러므로 착색 물질의 고유 광홉수 스돼트럽을 분석하고 혼합물질의 중량의 제어를 통하여 혼합 color lens를 제 작 할 수 있다. 기 본 color lens 의 광흡수 스펙 트렴 을 500nm, 600nm 파 장 위치를 point로 하여 단순화. 규격화 시줬다. 규격화된 기본 광홉수 스펙트럼으로 부터 6 개의 광흡수 스펙트럽을 설계하여. 이에 대응되는 color lens 의 염색조건을 찾 았다. 혼합색 color lens 의 광홉수의 파장 의존성 기올기 (Abs/l Onm) 개념을 도입하였 고. 가울기의 크기가 색상변화에 콘 영향을 푼다.

Pt/SiOz!Si의 기판위에 (Pb,La)TiO3(PLT) 박막을 졸-겔 방법으로 제작하여 La 첨가량 및 후속열처리 온도에 따른 결정학적, 전기적 특성율 조사하였다. 600˚C 이상의 온도에서 열처리된 PLT 박막 시료의 경우 La 도핑량에 관계없이 전형적인 perovskite 결정구조를 보여 주었다. La이 전혀 첨가되지 않은 (Pb,La)TiO3(PT) 시료에 10 mole% La을 첨가할 경우 (PLT-I0 시료) c축 배향도는 약 63%에서 26%로 크게 감소하였다. PLT-1O 박막시료의 깊이에 따른 AES 분석결과 박막내의 각 성분원소 들이 비교척 균일하게 분포되어 았고 하부전극(Pt)과 PLT 박막층 사이에는 상호반응없이 비교적 안정된 막을 형성하고 있음을 알 수 있었다. 600˚C에서 열처리된 PLT-1O 박막의 유전상수(εr) 와 유전정접 (tanδ) 은 약 193과 0.02의 값을 나타내였다. 후속열처리 온도를 600˚C 에서 700˚C로 증가함에 따라 잔류분극(2Pr,Pr+-Pr-)은 약 4μCcm2 에서 약 16μCcm2로 크게 증가하였으며 잔류 분극값의 증가는 후속열처리에 의해 결정성이 개선되었기 때문이라 판단된다. 30˚C 온도부근에셔 초전계수(γ)는 약 4.0nC/cm2·˚C의 값을 냐타내었다.