본 연구는 헤테로코어 광파이버 센서를 활용하여 콘크리트 내부에서 발생되는 변형률의 측정을 통해 콘크리트의 프리스트레스를 직접 평가할 수 있는 새로운 매립형 센서모듈 개발을 최종 목표로 하고 있다. 이를 위하여 노출형 센서모듈을 이용한 성능발현 실험결과는 가력속도 0.12, 1.80mm/min일 때 52.1, 2.6sec로 최대 약 19배의 계측 지연현상이 발생하였다. 계측 지연현상은 구조물의 실시간 변화 상태를 계측하지 못하는 경우로 실시간 계측이 가능한 센서모듈의 개발을 위해서 추가실험이 필요한 것으로 판단하였다. 계측 지연현상 원인규명 실험은 3가지의 실험을 계획하였으며, 실험결과는 마찰저항에 의한 계측 지연이 지배적으로 확인되었다. 마찰이 제거된 장치를 이용한 센서모듈의 실험결과에서는 계측 지연현상이 나타나지 않은 것으로 확인되었다.
이 실험연구는 PSC 교량의 생애주기 프리스트레스 측정용 헤테로코어 광파이버 센서를 개발하기 위한 선행연구이며, 기존의 헤테로코어 변위센서의 정밀도를 향상하기 위한 실험이다. 실험결과 최대 2μm 단위의 변위 변화량을 측정할 수 있었다. 즉, 변위측정 길이가 30cm의 센서모듈을 설계했을 때 설계기준압축강도(fck)가 40MPa인 경우 0.2MPa 단위의 응력변화를 측정이 가능함을 확인하였다. 따라서 본 실험의 결과는 향후 진행될 내부매립용 센서모듈 개발에 유용한 자료로 활용될 수 있을 것으로 판단된다.
본 연구에서는 hetero 발효유산균 첨가가 이탈리안 라이그라스 및 총체보리 사일리지의 사료가치 및 발효품질에 미치는 영향을 조사하였다. 사일리지 접종균주를 선발하기 위해 유산균 6종(L. plantarum IMAU 70164, L. acidophilus KACC 12419, L. casei KACC 12413, L. reuteri KCTC 3594, L. buchneri KACC 12416 and L. diolivorans KACC 12385)을 이용하였으며, 젖산 함량이 높은 L. casei KACC 12416와 프로피온산 함량이 높은 L. reuteri KCTC 3594을 최종 선택하여 사일리지를 제조하였다. 처리구는 대조구, L. casei 첨가구, L. reuteri 첨가구 및 L. casei, L. reuteri 혼합첨가구로 하여 30일, 45일 및 60일간 저장하였다. pH는 IRG 사일리지의 경우 유산균 첨가구가 대조구에 비해 낮았으며(p<0.05), 수분함량, 젖산 및 초산함량 또한 유산균을 첨가한 처리구에서 낮은 것으로 나타났다(p<0.05). 수용성 탄수화물의 함량은 L. casei KACC 12416와 L. reuteri KCTC 3594를 혼합배양한 처리구에서 가장 낮았다(p<0.05). 프로피온산은 유산균을 접종한 총체보리에서 전 기간동안 높게 나타났으며, 반면에 사일리지 품질을 저해시키는 butyrate는 발효 60일의 대조구에서 측정되었다. 사일리지의 미생물 측정결과 IRG 사일리지 배양 60일에 유산균 첨가구에서 곰팡이가 억제되었으며, WCB 사일리지는 유산균을 첨가한 처리구에서 곰팡이가 검출되지 않았다. 이상의 연구 결과들로 볼 때, 단일 균주를 접종한 사일리지에 비해 co-culture (L. casei + L. reuteri)로 접종했을 때 사일리지 저장품질 개선에 보다 효과적이었으며, 혼합배양한 처리구가 청보리 사일리지내 높은 프로피온산을 생성하며 이는 사일리지의 품질개선에 도움을 주는 것으로 조사되었다.
본 연구에서는 메타분석을 통하여 heterofermentative과 homofermentative LAB가 사일리지의 품질과 호기적 안정성에 대한 효과를 분석하였다. 일련의 분석결과 접종균으로 사용된 젖산균의 종류에 따라서 사일리지의 품질이 다르게 나타남을 확인할 수 있었다. 특히 호기적 안정성에 있어서 heterofermentative LAB의 사용이 매우 중요함을 알 수 있었다. 본 연구결과는 사일리지의 제조 목적 및 사용방법에 따라서 접종균주를 다르게 선발하여야 하며, 사용방법에 따라서 사일리지 내 유기산 조성을 변화시킬 수 있는 발효조건이 필요함을 시사하고 있고, 또한 보다 정밀한 사일리지 발효기술에 대한 기초자료를 제공한다.
The a-Si:H/c-Si hetero-junction (HJ) solar cells have a variety of advantages in efficiency and fabrication processes. It has already demonstrated about 23% in R&D scale and more than 20% in commercial production. In order to further reduce the fabrication cost of HJ solar cells, fabrication processes should be simplified more than conventional methods which accompany separate processes of front and rear sides of the cells. In this study, we propose a simultaneous deposition of intrinsic thin a-Si:H layers on both sides of a wafer by dual hot wire CVD (HWVCD). In this system, wafers are located between tantalum wires, and a-Si:H layers are simultaneously deposited on both sides of the wafer. By using this scheme, we can reduce the process steps and time and improve the efficiency of HJ solar cells by removing surface contamination of the wafers. We achieved about 16% efficiency in HJ solar cells incorporating intrinsic a-Si:H buffers by dual HWCVD and p/n layers by PECVD.
This paper investigates the dependence of a-Si:H/c-Si passivation and heterojunction solar cell performances on various cleaning processes of silicon wafers. It is observed that the passivation quality of a-Si:H thin-films on c-Si wafers depends highly on the initial H-termination properties of the wafer surface. The effective minority carrier lifetime (MCLT) of highly H-terminated wafer is beneficial for obtaining high quality passivation of a-Si:H/c-Si. The wafers passivated by p(n)-doped a-Si:H layers have low MCLT regardless of the initial H-termination quality. On the other hand, the MCLT of wafers incorporating intrinsic (i) a-Si:H as a passivation layer shows sensitive variation with initial cleaning and H-termination schemes. By applying the improved cleaning processes, we can obtain an MCLT of 100μsec after H-termination and above 600μsec after i a-Si:H thin film deposition. By adapting improved cleaning processes and by improving passivation and doped layers, we can fabricate a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells with an active area conversion efficiency of 18.42%, which cells have an open circuit voltage of 0.670V, short circuit current of 37.31 mA/cm2 and fill factor of 0.7374. These cells show more than 20% pseudo efficiency measured by Suns-Voc with an elimination of series resistance.
The magnetic alloys of Cu-Fe () were prepared by a mechanical alloying method and their structural and magnetic behaviors were examined by X-ray diffraction and Mossbauer spectra. The magnetization curves did not distinctly show the saturation at 70 kOe for the concentrated alloys of . The Mossbauer spectrum of at room temperature shows one Lorentzian line of the paramagnetic phase, whereas the Mossbauer spectrum of consists of sextet Lorentzian line at room temperature and a centered doublet line. The Mossbauer spectra of measured in the temperature ranges from 13 to 295 K, implies that to consists of two magnetic phases. One superimposed sextet corresponds to the ferromagnetic iron in Cu and the other one indicates the superparamagnetic iron rich phase.
PSS hetero 돼지를 이용하여 PSS와 관련된 유전자를 cloning 하여 유전자 구조를 분석하고 세포내의 유전자의 존재를 확인하여 PSS 돼지의 유전양식을 밝히고자 실시되었고, 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 615번 amino acid가 N과 n에서 각각 arginine과 cysteine으로 존재함을 확인할 수 있었다. 그리고 6번 염색체(PSS 관련유전자)로부터 우성유전자 N과 열성유전자 n이 각각 유전자 좌위(locus)에 대립 유전자(alleles)로 존재함을 확인할 수 있었으며, 이러한 alleles로 존재함으로써 각각의 유전자가 나뉘어져 유전됨을 알 수 있었다.
In this study, hetero-electrode structures have been fabricated to increase luminescence efficiency. The presence of a thin layer of Sn or Ag at the organic-aluminum interface enhanced both electron injection efficiency and electroluminescence when compared to OLEDs using homogeneous electrode. In this paper, the effect of the cathode using Sn/Al hetero electrode structure is observed. Electric properties of the OLED using Sn/Al hetero cathode are improved in comparison of only Al cathode. The hetero-electrode existing different energy level induces the advanced structure of OLED can accumulate electron density. The luminescence efficiency of OLED with Sn/Al of Ag/Al cathode is higher because of their higher electron injection efficiency. And, the turn on voltage of the OLED device using Sn thin layer is lowest as about 10 V.
본 연구에서는 헤테로 접합을 이용하여 누설전류를 저감 시키는 기술을 적용하여 Particle-In -Binder을 이용한 방 사선 영상 센서의 변환 물질을 개발하였다. 이는 디지털 방사선 영상 검출기의 두 가지 방식 중 하나인 직접방식에 사 용되는 핵심 소자로 기존의 비정질 셀레늄(Amorphous Selenium)을 대체하여 더욱 효율이 높은 후보 물질들이 연구되 어지는 가운데 태양전지와 반도체 분야에서 이미 많이 사용되어온 이종접합(Hetero junction)을 이용해 누설 전류를 저감 시키는데 그 목적이 있다. 본 연구에서 사용되는 Particle-In -Binder 제작 방법은 검출 물질 제작이 용이하고 높은 수율과 대면적의 검출기 제작에 적합하나 높은 누설 전류가 의료 영상 시스템에 있어서 문제가 되어 오고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 다층 구조를 이용하여 누설 전류를 저감시킨다면 Particle-In -Binder을 이용하여 간편 하게 향상된 효율의 디지털 방사선 검출기를 제작 할 수 있다고 사료 되어 진다. 본 연구에서는 누설전류 및 민감도, 그리고 선형성에 대한 전기적 신호를 측정하여 제작된 다층 구조의 방사선 검출 물질의 특성 평가가 이루어 졌다.
Sensing performances of evanescent field absorption (EFA) hetero-core fiber sensor has been presented based on EFA by changing the length and the core diameter of the single mode fiber. Experimental results have demonstrated a good feature in their relationship between the length and the core diameter of the single mode fiber. The sensor consists of 2 fiber optics which have the same cladding diameter of 125μm However one fiber optic used is single mode and has varying core diameter ranging from 3.3 to 5.6μm. The other fiber is multimode type and has a thicker fixed core diameter of 62.5μm. The 2 fiber optics are thermally spliced together. Experiments conducted to measure the resonance wavelength were carried out over a range of refractive index, to find the optimum sensing length Experiments show that core diameter of the single mode fiber and sensing length offects the linearity and sensitivity.