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        383.
        2002.03 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        We carried out this experiment to observe electrochemical properties for LB films of phospholipid(Dilauroyl-L-α-Phosphayidylcholine) and 4-octyl-4'-(5-carboxypentamethylene-oxy)azobenzene mixture by the cyclic voltammetry. LB films of 8A5H and 8A5H-DLPC(1:1, 2:1) were deposited by using the Langmuir-Blodgett method on the ITO glass. We determined electrochemical measurement by using cyclic voltammetry with a three-electrode system, An Ag/AgCl reference elect rode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode measured in 0.1, 0.5, and 1.0 mol/L NaClO4 solution. A measuring range was reduced from initial potential to -1350 mV, continuously oxidized to 1650 mV and measured to the initial point. The scan rate were 50, 100, 150 and 200 mV/s. As a result, LB films of 8A5H 8A5H-DLPC appeared irreversible process caused by only the oxidation current from the cyclic voltammogram.
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        384.
        2002.03 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        We carried out this subject to observe photoisomerization using 1,2-dioleoyl-sn- glycero-3-phosphocholine(DOPC) mixed with fatty acid containing azobenzene group which has reversible to cis-trans by light irradiation. Spreading solutions for the LB films were prepared in chloroform(5.0×10-5mol/L).We investigated the photoisomerization and property of the organic ultra thin film of fatty acid containing azobenzene was prepared on the hydrophilic ITO(idium tin oxide) glass plate by LB method. As a result, the absorption spectra of 8A5H and DOPC of mixture LB films was induced to photoisomerization by alternating irradiation of ultraviolet and visible light, because the condensation of pure azobenzene monolayers was loosened by the introduction of phospholipid into the monolayers, and the molecular high aggregation in pure azobenzene monolayers is also weakened by the introduction of phospholipid. We found that it was reversibly induced to cis-trans photoisomerization in several solvents and mixture LB films.
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        393.
        2001.08 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        비정질 Tb45.7 Fe54.3-x /Cox 및 Tb50.2 /Fe 49.8-x/Cox (0≤x≤9.6) 합금박막의 자기적 특성 및 자기변형특성에 대하여 체계적으로 조사하였다. 박막제조는 Fe 타게트에 Tb, Co 소편으로 구성된 복합타겟 방식의 rf 마그네트론 스퍼터링법에 의해 제조하였다. XRD 조사에의 한 박막의 미세구조는 잘 발달된 비정질 구조를 나타내었다. Tb45.7 Fe54.3-x Cox (x=2~4)에서 우수한 고유자기변형특성 및 저자기장자기변형특성을 얻었다. 즉, 100 Oe의 저자장에서 130ppm의 자기변형을 나타내었으며 고유자기변형 (인가 자기장, 5 kOe)은 330ppm에서 400ppm으로 증가하였다.
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        394.
        2001.07 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        Ti과 Si의 비가 서로 다른 종류의 타 을 Ar/N2의 혼합기체를 사용하여 rf magnetron sputtering방법으로 증착된 Ti-Si-N박막의 증착특성에 대해 연구하였다. Ti-Si-N박막의 조성과 증착률은 각 타 Ti/Si의 비율과 증착시의 질소기체의 유량에 따라 크게 변하였다. 이것은 Ti과 Si의 nitriding 정도의 차이로 인한 서로 다른 sputter yield에 의한 것으로 나타났다. Si이 비교적 적게 포함된 Ti-Si-N박막은 증착시부터 박막내 TiN의 결정화가 일어났으며, 낮은 비저항을 나타내었다. N의 함량의 증가는 박막의 밀도와 압축응력을 증가시켜 Ti-Si-N박막의 확산방지 능력에 큰 영향을 미치는 인자로 나타났다. 본 연구에서 N2의 유략과 타 의 Ti/Si비율을 조절함으로써 효율적인 확산방지막인 Ti-Si-N 박막의 공정조건을 확립할 수 있었다. 박막의 공정조건을 확립할 수 있었다.
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        395.
        2001.07 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        rf PECVB법을 이용하여 붕규산 유리 기판 위에 diamond like carbon(DLC) 박막을 증착하였다. 메탄(CH4)-수소(H2) 혼합 가스를 전구체 가스로 사용하였다. DLC 박막의 형상, 구조 및 광학적 특성은 SEM, 라만 및 UV 스펙트럼으로 분석하였다. 증착 속도는 혼합 가스의 수소 농도에 따라 증가하다가, 혼합 가스 유량이 25 sccm 이상에서는 일정하게 되었다. UV스펙트럼으로 계산한 박막의 optical band gap은 증착 시간과 DC serf bias의 증가에 따라 감소하는 경향을 나타냈으나, 수소함량에 의해서는 거의 영향이 없었다. 박막의 투과율에 가장 큰 영향을 미치는 인자는, 특히 자외선 영역과 가시광선 영역에서, bias 전압이었다.
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        396.
        2001.06 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        통계적 방법을 사용하여 스퍼터 증착한 Ta 박막의 증착속도, 비저항, 면저항 균일도, 반사도, 응력 등의 물성을 측정하고 분석하였다. RS/1의 표면 반응 분석법에 의해 독립변수와 종속변수간의 함수관계를 예측하였으며. 이때 비저항과 면저항의 균일도 측면에서 최적조건은 증착 압력 2 mTorr, 증착 전력 8 W/cm2 및 기판온도 20˚C였다. 실험 모텔의 신뢰성 (fitness)은 풀링(pooling)하지 않은 경우 0.85 ~0.9의 값을 얻었다. 본 조건하에서 증착된 박막은 비저항 180μΩcm와 면저항 균일도 ~ 2%의 값을 가졌다. 투과전자 현미경과 X선 회절법을 이용하여 분석한 결과 증착된 박막은 100~200 정도의 결정립 크기를 갖는 β-Ta 임을 확인하였다.
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        397.
        2001.06 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        쐐기형 전극 사이에 열처리전 비정질 (Fe1-x Cox )89 Zr 11 (x=0~1.0) 자성막이 증착된 MSAW 소자를 구성하고 외부 인가자기장에 의한 MSAW 속도변화율을 조사하였다. 그 결과 MSAW 속도변화율은 직류 인가자기장, 구동주파수, 자성막의 두께 및 조성에 민감하게 의존하였으며, 특히 구동주파수 및 자성막의 두께가 증가할수록 증가함을 확인하였다. 열처리전 시편에서 나타난 최대 속도변화율은 x=0.8에서 얻어진 0.062%였다.
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        399.
        2001.05 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        RF magnetron sputtering 법으로 T a2 O5 세라믹 타겟과 S r2N b2 O7 세라믹 타겟을 동시 sputtering하여 저유전율 S r2(T a1-x , N bx)2 O7(STNO) 박막을 p-type Si (100) 기판 위에 증착하여 NDRO 강유전체 메모리 (Non-destructive read out ferro-electric random access memory)에 사용되는 Pt/STNO/Si (MFS) 구조의 응용 가능성을 확인하였다. Sr2Nb2 O7 (SN O) 타겟과 T a2 O5 타겟의 출력의 비를 100w/100w, 70w/100w, 그리고 50w/100w로 조절하면서 x 값을 달리하여 조성을 변화시켰다. 성장된 박막을 850˚C, 900˚C, 그리고 950˚C에서 1시간 동안 산소 분위기에서 열처리하였다. 조성과 열처리 온도에 따른 구조적 특징을 XRD에 의해 관찰하였으며 표면특성은 FE-SBM에 의해 관찰하였고, C-V 측정과 I-V 측정으로 박막의 전기적 특성을 조사하였다. SNO 타겟과 T a2 O5 타켓의 출력비에 따른 STNO 박막의 성장 결과 70W/170W의 출력비에서 성장된 STNO박막에서 Ta의 양이 상대적 맡은 x=0.4였으며 가장 우수한 C-V 특성 및 누설 전류 특성을 보였다. 이 조성에서 성장된 STNO박막은 3-9V외 인가전압에서 메모리 윈도우 갑이 0.5-8.3V였고 누설전류밀도는 -6V의 인가전압에서 7.9×10-8A /cm2였다.
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        400.
        2001.04 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        아크이온 플레이팅 장치를 이용하여 STD61강 기판 위에 이온질화 전처리를 행하거나 하지 않은 후, CrN 박막을 증착하고, 대기중 700~900˚C의 온도에서 40시간동안 이들에 대한 산화거동을 연구하였다. 산화거동은 열중량분석기, X선회절기, EDS, SEM을 이용하여 조사하였다. 증착된 CrN박막은 CrN과 Cr2N의 두 상으로 구성되어 있었다. CrN박막은 보호적 Cr2O3층을 형성하여 기판을 산화로부터 보호하였다. 이온질화처리는 CrN박막의 내산화성에 영향을 주지 않았다.
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