The value of the mode I interlamina fracture toughness, GIC, is calculated by experimental compliance method, modified compliance method and beam theory. The value of the mode II interlamina fracture toughness, GIC, is evaluated by beam method, theory beam theory and compliance method. This paper describes the effect of load pint displacement rate and speicimen geometries for mode I and II interlaminar fracture toughness of glass fiber reinforced plastic composites by using double cantilever beam (DCB) and end notched flexure (ENF) specimen. For the load point displacement rate of increases whereas the value of 2,6 and 10 mm/min the value of GIC decrease as load point displacement rate increases whereas the value of GIC is found to be no significant effect. The value of GIC decreases as initial crack length increases. The fractured surface of the DCB and ENF samples are examined by scanning electron microscopy (SEM).

분산특성이 다른 두 종류의 Ag 분말과 점도가 다른 두 종류의 유리를 사용하여 Ag 후막 도체를 제조하고 이들이 후막의 미세구조에 어떠한 영향을 미치고 그 미세구조가 전기특성에 미치는 영향을 조사하였다. Ag 분말의 분산특성이 좋을수록 그리고 사용된 유리의 점도가 낮을수록 후막의 미세구조는 잘 발달된 치밀한 조직을 보였으며 면저항값도 감소하였다. 이는 Ag 분말의 분산특성이 좋을수록 용융 유리에 의한 Ag 입자들의 미세 재배치의 속도가 빨라지고, 또한 유리의 점도가 낮을수록 모든 미세구조 발전단계에서 그 속도가 증가하기 때문이며. 이러한 미세조직의 치밀화가 후막의 면저항값을 제어하기 때문이다. 소성시간이 증가하여도 더 이상 전기저항값의 저하가 없는 저항감소의 포화시간이 존재함을 확인하였으며, 이 포화시간 역시 후막의 미세구조에 크게 의존함을 알 수 있었다

재래식과 마이크로파 열원으로 알루미나 기판을 PbO-ZnO-B2O3계 유리로 봉착하였을 때, 봉착용 유리의 결정화 거동 및 알루미나 기판과의 봉착상태를 조사하였다. 재래식 열처리된 시편에 비하여 마이크로파 열처리된 시편은 짧은 시간과 낮은 온도에서 열처리 되었음에도 불구하고 모유리 내에서 PbTiO3 결정이 잘 성장하였고, 높은 결정화를 보여주었다. 또한, 마이크로파 봉착 시편은 양호한 상태를 보여주었고, 봉착 곡강도는 거의 비슷하였다.

평판디스플레이용 진공패널의 제작시 진공으로 유지된 패널을 구성하는 유리판이 받는 응력과 변위를 계산하였다. 유리판의 두께, 패널의 크기 및 실링폭의 크기를 변수로 하여 실제로 진공패널을 제작한 후 패널의 파괴양상과 변위를 측정하였다. 유리판의 파괴양상과 변형측정을 통하여 유리판에 걸리는 최대응력은 테두리부분에 걸리는 것을 확인하였다. 제작된 진공패널이 갖는 응력분포 및 변위의 분포는 패널을 진공실링할 때 사용한 실런트의 폭에 크게 의존하였다. 패널의 실링폭이 커질수록 모서리가 완전 고정된 조건으로 계산한 결과와 유사하였다. 두께가 3mm인 유리판을 사용해서 80×120textrmmm2</TEX> 크기의 패널을 제작할 때 실링폭이 20mm인 경우 측정된 변위는 57μm였으며, 이 값은 모서리가 완전히 고정된 조건으로 계산한 갈인 54μm와 비슷하였다.

실험계획법을 이용하여 유리분말의 소결시 그 기공량에 영향을 미치는 각종 소결조건의 영향을 정량적으로 조사하였다. 본 실험범위내에서 결합제 유리의 총기공량, 개기공량 그미고 폐기공량은 모두 소결온도에 의해 가장 큰 영향을 받고 그 다음으로 소결온도에서의 유지시간에 의해 영향을 받으며 승온속도의 경우 그 영향이 상대적으로 미미함을 확인할 수 있었다. 이러한 결과들로부터 실제공정에 있어 승온속도보다는 다른 소결인자, 특히 소결온도를 조절하는 것이 결합제 유리의 기공량 조절에 가장 중요하리라 판단되며 실험계획법을 이용함으로써 보다 정확한 공전조건을 모색할 수 있었다.

사진식각 공정으로 종횡비가 매우 큰 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 제작에는 압축응력에 강하고 전기적 절연체인 감광성 유리를 사용하였다. 감광성 유리는 석영기판 위에 크롬이 패턴된 마스크를 사용하여 파장이 312nm인 자외선에 노광되었다. 500˚C 이상의 열처리공정을 거친 후 초음파 분위기에서 10%의 불산용액으로 식각함으로써 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 최종 형상은 감광성 유리의 두께, 마스크 패턴, 자외선 노광조건 및 식각조건에 크게 의존하였으며, 종횡비가 30이상인 스트라이프 구조의 유리 미세구조물을 제작할 수 있었다.

정압분자동역학 시뮬레이션에 의하여 주기경계조건을 지닌 L-J 입자들로 구성된 계의 액체-유리-결정 전이를 연구하였다. 원자체적과 엔탈피는 가열 및 냉각과정에서 온도의 함수로 계산되었다. 반경분포함수로부터 유도된 Wendt-Abraham비와 단거리규칙도를 나타내는 각도분포함수를 분석하여 액체, 유리 및 결정상태를 구분하였다. 초기 fcc 결정을 가열하여 얻은 액체상은 급냉시에 비정질화하나 서냉시엔 결정화하였다. 급냉으로 생긴 유리는 다시 서서히 가열하면 fcc로 결정화하였다. 자유표면을 지닌결정은 표면에서부터 용해가 시작되어 벌크에 비하여 낮은 온도에서 녹고 냉각시에는 빠른 냉각속도에서도 결정화가 쉽게 일어나는 경향을 보였다.

단사정 HBO2 분막을 무기접착제로 이용하여 선택적 레이저 소결 기술을 적용시켜 알루미나-글래스 복합재료를 제조하였다. 만들어진 green SLS 시험편을 여러 온도에서 열처리하여 글래스-세라믹 복합재료를 얻었다. 글래스의 양이 많을수록 복합재료는 높은 밀도와 높은 굽힘강도를 보여주었다. 열처리 온도 900˚C에서 복합재료는 최대 밀도와 최대 강도를 나타낸다. 이것은 글래스의 낮은 점도로 인한 좋은 유동성 때문에 글래스의 재분배가 이루어졌기에 가능하다고 생각되어진다. 그리고 기공이 많은 열처리한 SLS 시험편에 콜로이드 실리카를 주입시켜 치밀화시켰다.

수직형 FHD증착법을 사용하여 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 실리카 유리미립자를 형성하였으며, SEM, ICP-AES, XRD, TGA-DSC을 사용하여 그 특성을 분석하였다. XRD측정을 통해, 미립자 형성시 사용된 화염온도(1300˚C-1500˚C)와 기판온도(-200˚C)가 SiO2-P2O5계 미립자를 비정질상태로 형성하였으며, SiO2P2O5-B2O3와 SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 미립자에서는 B2O3, BPO4, GeO2의 결정성피크들을 관찰하였다. TGA-DSC 열분석을 통해, SiO2와 SiO2-P2O5는 온도변화에 따른 질량변화가 없었으며, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계의 경우 질량감소를 동반한 유리전이에 따른 분자이완현상 및 결정화나 회복반응을 나타내고 있다. 질량감소는 미립자가 결정상태일때 가속되는 경향을 나타냈으며, DSC열분석을 통해 SiO2, SiO2-P2O5, SiO2P2O5-B2O3-GeO2계 유리미립자들의 고밀화가 시작되는 온도를 각각 1224˚C, 1151˚C, 953˚C, 1130˚C에서 관찰하였다.

본 연구는 이온교환에 의한 Li2O-AI2O3 계 결정화유리의 강화에 관한 연구이다. 모유리의 이온교환 전후의 강도를 비교하였으며, 결정화유리의 결정화전후에 이온교환에 따르는 강도를 상호 비교하였다. 그 결과 모유리의 Na+이온교환에 따른 최대 강도값은 450˚C-3hr의 열처리 조건하에서 최고 6배(60Kg/mm2)의 강도값을 나타내었으며, 결정화후 이온교환에 따른 강도증가는 450˚C-1hr의 열처리 조건하에서 최고 10배의 강도증대효과를 보였다. 한편 과도한 이온교환 열처리조건하에서는 응력이완현상을 나타냄을 알 수 있었다.

대면적 정전 접합 장치를 고안 및 제작하여 Si과 glass를 정전 접합시켰다. 여러 온도에서 정전 접합 후 접합 면적을 측정하였으며 접합이 이루어진 경우 그 접합 면적이 90%를 넘었다. 접합시 전류를 측정하여 접합 강도와의 관계를 살펴보였다. 잔류 공공을 생성시키는 원인은 재료의 표면 거칠기 차이나 전극의 모양보다는 불순물 입자에 의한 것임이 밝혀졌고 같은 크기의 불순물 입자에 대한 공공의 크기는 접합 온도가 높을수록 감소하였다. 정전 접합에 미치는 불순물의 영향을 공공의 크기 및 불순물 입자의 크기를 측정하여 살펴보았다.

구동 IC를 유리기판 위의 Al패드 전극에 연결하는 LCD(Liquid Crystal Display) 모듈을 실장하는 Chip On Glass (COG) 기술을 개발하기 위하여 기존에 잘 알려진 기술 가운데 실제로 적용 가능성이 가장 유망한 이방성 도전 접착제 (ACA, Anisotropic Conductive Adhesives)를 사용한 공정에 대하여 조사하였다. ACA 공정은 본딩 부분에 ACA 수지를 균일하게 분포시키는 공정과 자외선을 조사하여 수지를 경화하여 칩을 실장하는 공정의 2단계로 진행하였다. 칩에 가해준 하중은 2-15kg이었고 칩의 예열 온도는 120˚C이었다. 이방성 도전체는 Au 또는 Ni이 표면 피막 재료로 사용된 것을 사웅하였으며 전도성 입자의 갯수가 500, 1000, 2000, 4000개/mm2이며 크기가 5, 7, 12μm이었다. ACA 처리의 결과 입자 크기가 5μm이고 입자 밀도는 4000개/mm2일 경우가 대단히 낮은 접촉 저항 및 가장 안정된 본딩 특성을 나타냈었다.