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        43.
        1999.12 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 연구는 perlite를 이용한 오이의 양액재배시 적정 배지량과 근권용적을 구명하고자 용기의 크기가 2, 4, 6, 8 및 10l인 플라스틱 포트에 펄라이트를 채워 오이를 양액 재배하였다. 근권용적이 증가할수록 초장, 경경, 엽수 및 엽면적이 증가하였고, 과실수와 과실중량에서는 근권용적이 큰 8l 와 10l 의 처리구에서 가장 양호하였으며 기형과 발생률도 낮은 경향이었다. 근권용적을 6l 이상으로 하였을 때 경으로의 건물분배가 줄어들고 엽으로의 건물분배가 많았다. NAR과 CGR은 근권용적이 증가함에 따라 증가하는 경향을 보였다. 관권용적에 관계없이 본 실험 범위내에서는 LAI가 증가할수록 NAR과 CGR도 증가하는 경향을 나타내었다.
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        44.
        1999.11 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        근사단결정 다이아몬드막 성장시 입자의 정렬을 개선하기 위한 집합조직성장의 2단계 성장방법을 제안하였다. 메탄조성 4%, 기판온도 850˚C 조건에서 (100) Si 기판에 - 200V 바이어스를 인가하여 20분동안 전처리 하였다. 처리한 기판을 2%[CH4], 기판온도 810˚C에서 2~35시간동안<100> 집합조직을 지니도록 1단계로 성장시켰다. 이 시편의 성장표면을 평탄화하기 위하여 (100) 면이 성장하도록 2% [CH4], 기판온도 850˚C 조건에서 2단계 성장시켰다. 1단계 성장시간에 따른 다이아몬드막의 배열정도를 111 X-ray pole figure의 반가폭 변화를 통해 관찰하였다. 1단계 성장 후 입자정렬은 막의 두께가 증가할수록 개선되었다. 그러나<100> 집합조직의 표면조직은 피라미드 형태의 굴곡을 피할 수 없었다. 2단계 성장시 (100) 면의 성장으로 인해 막의 표면은 평탄화되었으며, 이때 입자의 정렬은 1단계 성장시간에 크게 의존하였다.
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        45.
        1999.06 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        양액재배시 적합한 배지와 배양액농도를 선발하고자 본 실험을 수행하였으며, 공시작물은 백리향(Thymus vulgaris L.)으로 하였다. 배양액의 농도는 European Vegetable R&D Center에서 개발한 herb 배양액(EC=2.4)을 0.5, 1, 2, 3배로 조제하여 사용하였다. 배지는 고형배지로 펄라이트 단용, 코코피트 단용 그리고 펄라이트와 코코피트 혼용(50:50 v/v)을 사용하였고, 비고형배지로는 DFT를 사용하여 총 4처리로 하였다. 생육은 다른 배지 처리구보다 담액수경에서 가장 좋았다. 펄라이트와 담액수경에서는 배양액농도가 높을수록 생육이 감소하였으나 코코피트는 1배, 혼용 배지는 2배 처리구에서 가장 높은 생체중을 보였다. 엽록소와 비타민 C의 함량 또한 다른 배지 처리구보다 담액수경에서 더 높은 함량을 보였다. 배지의 종류에 따른 무기물 함량은 NO3-N과 Mg를 제외하고 모두 코코피트에서 가장 높은 함량을 나타내었다. NO3-N의 함량은 담액 수경에서 1000 ppm 내외의 낮은 함량을 보였다. 따라서 본 실험의 결과, 백리향의 생육은 DFT를 사용하여 herb배양액 0.5배(EC =1.2mS/cm)농도로 재배한 처리구에서 가장 좋은 생육을 보였다.
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        46.
        1999.03 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        MOCVD를 이용하여 SiO2로 패턴된 GaN/sapphire 기판상에서 NH3유량과 성장온도가 GaN 성장의 선택성과 성장 특성에 미치는 영향을 조사하였다. NH3유량을 500~1300sccm, 성장온도를 950~1060˚C로 변화시켜 성장변수에 따른 영향을 주사전자현미경으로 관찰하였다.NH3유량이 증가할수록 성장선택성이 향상되었으나 기판윈도우에서 성장되는 GaN 형상변화에는 큰 영향을 미치지 못하였다. 성장온도가 높을수록 GaN의 성장선택성이 향상됨이 관찰되었다. 패턴 모양을 원형, 선형, 방사선모양(선형 패턴을 30, 45˚로 회전)으로 제작하여 GaN 성장을 수행한 후 관찰한 결과 1101으로 이루어진 Hexagonal 피라밋 형상과 마스크층 위로의 측면성장을 얻을 수 있었으며, 성장조건에 따른<1100>와<1210>의 방향으로의 측면성장속도의 차이를 관찰할 수 있었다.
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        47.
        1999.03 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        DC마그네트론 스퍼터링 방식으로 Ti/SiO2/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O2(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 500˚C로 유지하여 Pt박막을 증착하고 600˚C에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 30~40μΩ.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을 나타내었으며 600˚C의 고온에서 장시간 열처리를 실시하여도 전기저항율이나 우선 배향성의 변화, 박막내 미세 결함 및 열적응집현상 등이 발생되지 않았다.
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        49.
        1998.06 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 연구는 양액재배 카네이션의 생육을 증진시키기 위하여 최적 재배작형과 배지 종류를 구명코자 실시되었다. coir, perlite, coir+perlite(1:1. v/v)등 3 종류의 배지와 5월 1일 정식, 9월 1일 정식 등 2 종류의 작 형에서 재밴한 후 생육을 조사 비교하였다. 절화 수확기에 초장과 줄기의 직경은 5월 1일에 정식한 식물 보다 9월 1일에 정식한 식물에서 컸다. 5월 1일에 정식한 경우는 식물체 줄기의 직경과 초장생장이 극히 저조하여 매우 약해졌다 꽃의 폭과 무게도 9월 1일에 정식한 식물체가 5월 1일에 정식한 식물체보다 증가되었다 꽃잎수는 정식시기에 따라 뚜렷한 경향을 보이지 않았다 개화소요일수는 5월 1일에 정식한 경우가 9월 1일에 정식한 경우보다 50일 이상 단축되는 결과를 보였다 재배배지별로는 처리간 큰 차이는 보이지 않았지만 coir를 사용했을 때 초장과 꽃잎수가 증가되었다. 실험결과 카네이션의 양액재배에서는 고온기를 회피한 작형, 예컨데 9월 상순, 중순에 정식할 필요가 있고 재배배지로 coir의 사용이 긍정적인 것으로 확인되었다
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        50.
        1998.01 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        RF 스퍼터링법으로 (001)Si 기판위에 AIN완충층을 성장하고, 그 위에 HVPE법으로 GaN를 성장하였다. GaN의 성장률은 1030˚C의 온도에서 AIN완충충의 두께가 각각 500Å과 2000Å 일때 65μm/hr와 84μm/hr로서 AIN완충층의 두께가 증가함에 따라 증가하였다. AIN완충층위에서 GaN의 성장초기에는 수 μm크기의 결정들이 임의의 방향으로 성장된 후 성장시간이 경과함에 따라 수평방향으로의 성장에 의하여 합쳐지게 되며, c-축 방향으로 배향된 평탄한 표면을 갖는 다결정체가 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 광루미네센스(PL)스펙트럼에서는 3.482eV에서 자유여지자에 의한 발광과 3.7472eV에서 반치폭이 9.6meV인 도너 구속여기자 발광 및 3.27eV 부근에서의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합과 LO포는 복제에 의한 발광이 나타났다. 그러나 2.2eV부근에서의 황색발광은 관찰되지 않았다.
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        51.
        1997.11 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        LED와 LD의 수명과 효율은 결정에 존재하는 결함의 밀도에 반비례하며, 이러한 결함의 밀도는 적당한 기판을 사용하거나, 기판의 표면을 적절하게 제어함으로써 줄일 수 있다. GaN성장시 원자 단위의 매끄러운 표면은 완충충 성장이나 질화처리를 함으로써 얻어질 수 있다. 이렇게 얻어진 원자 단위의 매끄러운 표면에 의해 기판과 박막상이의 계면 자유에너지가 감소하기 때문에 2D성장이 촉진된다. 사파이어(AI2O3(0001))기판을 사용한 GaN 왕충충성장과 진화처리에 대한 최적조건은 AFM(Atomic Force Microscope)측정 결과에 의해 결정되었다. AFM에 의해 얻어진 표면 평활도의 개념은 사파이어 기판을 사용한 GaN박막성장의 최적조건을 결정하는 데 있어서 높은 신뢰도를 가질 수 있다.
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        53.
        1997.06 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 1000˚C에서 1100˚C로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60μm/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 1100˚C에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 930˚C에서 770˚C로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 770˚C의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15μm/hr에서 60μm/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.
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        54.
        1997.06 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        TMS(tetramethysilane, Si(CH3)4)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 β-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H2유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.
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        55.
        1995.12 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        본 실험은 배수성과 통기성이 우수한 양액 재배 배지로써 perlite와 구입이 용이한 왕겨 및 훈탄의 혼합배지를 이용하여 스티로폼 성형베드 및 상자, 플라스틱 자루, 폿트 등의 재배용기의 차이와 배지의 종류에 따른 양액재배 오이의 생육 및 수량반응을 구명하고자 수행하였 다. 1. 스티로폼베드와 상자가 다른 용기보다 초장이 높게 나타났으며, 스티로폼 상자를 용기로 사용할 때 펄라이트 단용처리구가 275.5cm, 왕겨 혼합처리구가 277.0cm로 초장이 가장 높았다. 2. 엽면적은 스티로폼 성형베드와 상자가 가장 높게 나타났고, 자루재배, 폿트재배의 순으로 나타났다. 스티로폼 성형베드와 상자의 경우에는 펄라이트 단용>왕겨 혼합배지>훈탄 혼합배지의 순으로 나타났으나, 자루재배에서는 왕겨, 폿트재배에서는 왕겨 혼합배지에서 엽면적이 높게 나타났다. 3. 과실수량은 스티로폼 상자를 용기로 한 펄라이트 단용구가 2097.1g으로 가장 많았으며 과수도 13.4개로 높게 나타났다. 4. 상품과율은 스티로폼 베드와 상자에서 70%이상을 나타냈으나 자루재배와 폿트재배에서는 70%이하로 나타났다. 5. 곡과율과 선세과는 자루재배에서 10%이상으로 높게 나타난 반면 스티로폼 상자에서는 낮게 나타났다.
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        56.
        1995.06 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        고형배지경에서 배양액농도가 토마토의 생육에 미치는 영향을 구명하고자 본 실험을 수행하였다. 배지는 펄라이트, 버미클라이트 및 피트모스를 사용하였으며, 묘들은 육묘기 때에는 0.5, 1, 2, 3 및 5mS/cm의 각기 다른 배양액농도로 재배되었고 정식후에는 1, 2 및 3mS/cm의 농도로 옮겨져 재배되었다. 육묘기 때에 배양액농도를 0.5mS/cm에서 3.0mS/cm로 높임에 따라 유묘의 광합성속도는 3가지 종류의 배지에서 모두 증가하였으며, 0.5-3.0mS/cm 범위 이상의 농도에서는 광합성속도가 감소하였다. 초장, 엽장, 엽폭, 경경 및 지상부 건물중은 펄라이트에서는 배양액농도를 0.5mS/cm에서 5mS/cm로 높임에 따라 계속 증가하는 경향을 보였으며, 버미클라이트에서는 2-5mS/cm에서 높았으며, 피트모스에서는 3mS/cm일 때 가장 높았다. 따라서 묘의 초기생장에 대한 배지별 적정배양액농도는 배지에 따라 차이가 있는데, 펄라이트에서는 3-5mS/cm, 버미클라이트와 피트모스에서는 각각 2-5mS/cm, 3mS/cm인 것으로 나타났다. 정식 후에 배양액농도를 1mS/cm에서 3mS/cm로 높임에 따라 3가지 종류의 배지에서 모두 건물중이 크게 증가하였다. 그러나, 육묘기와 정식 후에 계속하여 5mS/cm의 고농도로 재배한 것들의 건물중은 단지 조금 증가하였다.
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        57.
        2022.07 KCI 등재 서비스 종료(열람 제한)
        This study aimed to evaluate the growth of Cichorium intybus, Brassica juncea, and Lactuca sativa at varying seed ratios, and to suggest an efficient management plan for sustainable indoor agriculture systems. It was treated with mixed sowing as follows: 30 chicory seeds (chicory alone: CC), 22 chicory seeds + 8 lettuce seeds (C3L1), 20 chicory seeds + 10 lettuce seeds (C2L1), 15 chicory seeds + 15 lettuce seeds (C1L1) as intraspecies, and 30 mustard seeds (mustard alone: MC), 22 mustard seeds + 8 lettuce seeds (M3L1), 20 mustard seeds + 10 lettuce seeds (M2L1), 15 mustard seeds + 15 lettuce seeds (M1L1) as interspecies. The study identified the competitive response in seed germination between Cichorium intybus and Lactuca sativa, and in the C3L1 experimental group, Lactuca sativa had the highest leaf length, root length, chlorophyll content, and fresh weight. Therefore, the higher the ratio of Cichorium intybus, the higher the growth and productivity of Lactuca sativa; however, higher the ratio of Lactuca sativa, the lower the growth of Cichorium intybus. Furthermore, the nitrogen and potassium content in the substrate was the highest in the C3L1 experimental grorp which had the highest seeding rate of the Cichorium intybus. Comparing the groups Brassica juncea and Lactuca sativa, the higher the seeding ratio of Lactuca sativa, the higher the growth and productivity of Brassica juncea. Therefore, a companion seeding of Brassica juncea and Lactuca sativa is beneficial; this could be effective in having a high seeding ratio of Lactuca sativa.
        58.
        2019.09 KCI 등재 서비스 종료(열람 제한)
        The aim of this study was to determine the effects of different compositions of environmental substrates on hydroponic tomato cultivation. Three different substrates were used in coir chip:dust (v/v=50:50; CP1), coir chip:dust (v/v=80:20; CP2), and rock wool cube with CP2 (CPR). The amount of irrigation during the cultivation period was 190 mL/(plant·time) in all substrates. The pH and EC were 5.8-6.2 and 2.6-2.9 dS/m, respectively. The drainage rate in CP1 was 31%, in CP2 was 36%, and in CPR was 29%. The growth of tomato plants in terms of height was higher in CP1 and CPR. The leaf area was greater in CP2. The fresh and dry weights were greater in CP2 and CPR treatments. The net photosynthesis in CP2 (19.31 μmol CO2/m2s) and root activity in CP2 were higher among all three treatments. The soluble solid content of fruit was not significantly different among treatments. The yield per plant in CP2 and CPR treatments was 17% greater than the yield per plant in CP1. Therefore, the most suitable substrate for hydroponic tomato cultivation is the substrate mixed with coir chip:dust (v:v=80:20; CP2), i.e., CPR.
        60.
        2012.01 KCI 등재 서비스 종료(열람 제한)
        The effects of substrate size on the growth of microphytobenthos Achnanthes sp., Amphora sp., Navicula sp. and Nitzschia sp. were examined using glass beads in order for phytoremediation in the benthic layer of coastal waters. The glass beads used in this study were 0.09~0.15 mm (G.B 1), 0.25~0.50 mm (G.B 2), 0.75~1.00 mm (G.B 3) and 1.25~1.65 mm (G.B 4). No addition of glass bead used as control. The specific growth rate and maximum cell density of four microphytobenthos species were increasing with decreasing size of glass beads. Moreover, the control experiment without added attachment substrates showed the lowest specific growth rate and maximum cell density. Therefore, the suitable attachment substrates for mass culture of microphytobenthos seems to be important in order for phytoremediation using microphytobenthos.
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