본 연구는 저염분 상태에서 수온 및 사육밀도와 같은 환경요인이 흰다리새우(Litopenaeus vannamei)의 성장에 미치는 영향을 조사하기 위하여 수행하였다. 연구 결과, 흰다리새우는 저 염분 상태에서 전반적으로 수온이 높을수록 생존율이 높게 나타났고, 사육밀도가 낮을수록 생 존율이 높아졌다. 사료효율에 관한 연구에서는 수온이 높을수록 증체량(WG)이 증가하였고, 사 육밀도가 증가할수록 증체량은 감소하였다. 수온이 높을수록(수온 31℃) 성장 속도가 빨랐다. 또한 사육밀도에 따른 성장도의 평가에서도 사육밀도가 낮은 상태에서 성장 속도가 빨라지는 것을 확인하였다. 본 연구 결과를 흰다리새우의 최적 성장을 위한 적정 사육밀도 및 사육수온 의 결정에 유용하게 적용되리라 사료된다.
본 연구는 생육초기 저온 저일조 조건이 토마토의 수량 및 품질에 미치는 영향을 구명하기 위해서 수행되었다. 비가림 하우스에서 정식 후 17일에 측창 개폐와 차광막을 이용하여 26일간 저온, 저온차광 처리하였다. 처리기간 동안의 토마토 GDD를 산출한 결과 저온 처리로 인해 GDD가 5.5% 감소하였다. 차광 처리에 의한 평균 일사량을 분석한 결과 대조구 대비 차광처리가 25.3% 수준이었으며, 일 최고광량의 평균을 분석한 결과 대조구, 차광처리가 각각 634, 156W·m -2였다. 처리 결과 저온차광에 의하여 엽수, 엽면적, 생체중, 건물중, SPAD를 분석한 결과 차광에 처리에 의하여 생육이 저하된 것을 볼 수 있었으며 초장은 웃자란 것을 확인할 수 있었다. 수량을 분석한 결과 첫 수확일은 정식 후 63일로 동일 하였으나 무처리구, 저온처리, 저온 강차광 순으로 각각 177, 99, 53g/plant 로 최대 3.3배까지 차이를 보였으며, 최종 수확일인 정식 후 87 일의 누적수량은 각각 1734, 1131, 854g/plant로 생육 초기 저온, 저온차광 처리에 의하여 수량이 각각 34.8, 50.7% 감소한 것을 확인할 수 있었다. 처리와 수확기에 따른 토마토의 품질을 조사한 결과 당도와 산도는 처리 및 수확기에 따른 차이가 없었다. 처리에 따른 광합성 특성을 조사하기 위하여 이산화탄소반응 곡선을 작성하고 광합성 기구의 생화학적 모델을 활용하여 분석한 결과 최대 광합성 속도와 J, TPU, Rd는 온도에 따른 차이를 보이지 않았으나 차광에 의하여 감소된 것을 확인할 수 있으며, Vcmax의 경우 저온과 차광에 따라서 값이 감 소되는 것을 확인할 수 있었다. 이로 보아 정식 후 생육초기 저 온 저일조는 토마토의 초기생육과 광합성능력을 감소시키며, 생육이 진행되면서 생육에 대한 차이가 없어지거나 줄어들고 품질 변화도 나타나지 않았지만 누적 수량이 감소하기에 이를 방지하기 위해서는 생육초기 저온 및 저온저일조 등 이상기상 발생시 보온 및 보광이 필요하다.
본 연구는 주요 봄배추 품종에 대하여 야간 저온처리가 생육 및 추대에 미치는 영향을 평가하여 봄배추 육묘 시 안정 환경관리의 기준을 설정하고자 수행하였다. 시험에는 '춘광' 등 주요 봄배추 7품종을 이용하였으며 생육상을 이용하여 야간에 5℃ 및 10℃의 저온처리를 실시하였다. 처리시점은 파종 후 5, 10 및 15일째부터, 처리기간은 각 처리시작 시점부터 5, 10 및 15일간으로 각각 조합 처리한 후 포장에서의 생육 및 추대 여부를 조사하였다. 시험에 사용한 모든 품종에 있어서 최대 5℃에서 15일간의 야간 저온처리에 의하여 유묘생육은 크게 저하하였으나 재배기간 동안 추대는 일어나지 않았으며 정식 90일 후 정상적인 수확이 가능하였다. '춘광' 품종에 대한 육묘기 야간 저온처리 개시 시점과 처리기간의 복합 처리 결과, 낮은 온도조건으로 어린식물체의 상태에서 처리기간이 길어짐에 따라 묘 생체중이 대조구에 비해 최대 59.3%까지 크게 감소되었다. 반면 저온처리 후 생육이 극도로 억제된 묘는 정식 후 생육이 다시 회복되어 수확시 생체중은 대조구 대비 72.3~110%의 범위를 나타내어 모든 처리구에서 정상적인 수확이 가능하였다. 또한 5℃ 또는 10℃에서 최대 15일간의 육묘기 야간저온 처리에 의한 추대 현상은 관찰되지 않았다. 본 연구를 통해 봄배추 주요 품종에 대한 육묘기 야간 저온이 생육에 미치는 영향은 제한적으로 나타났다. 육묘기간 동안 단기간 5℃ 이하의 저온에 노출된 경우에도 주간의 적정한 온도관리와 포장에서의 기후조건에 따라 추대를 지연시키거나 방지시킬 수 있을 것으로 생각된다.
지온상승억제 효과는 차광망(50%) +냉각수순환 평균 18.8oC(최고 23oC)가 가장 좋았으며, 차광망(50%) +지 하수순환 23.2oC(28.5oC), 차광도포제(30%)와 차광망 (50%)이 각각 24oC(최고 30oC) 순으로 나타났다. 고온기 근권냉각수 순환 효과가 가장 큰 모데나 품종은 절화장이 95.9 cm, 생체중이 67.0 g으로 가장 좋게 나타났다. 처리별 수량증가는 차광망(50%)처리에 비해 차광망(50%) +냉 각수순환이 121%로 가장 많았고, 차광망(50%) +지하수 순환, 차광도포제(30%)는 각각 59%와 65% 증가하였다. 하우스내부 야간온도를 8oC로 관리하였을 때 근권온수 순환이 평균 18oC 유지하여 무처리에 비해 약 8oC 정도 지온상승효과가 있는 것으로 나타났다. 동절기 지하부 온수순환처리에 의한 알스트로메리아 생육은 아스펜, 모데나, 샤넬 품종에서 절화장, 생체중 등 생육이 가장 좋았으며, 보르도 품종은 절화장이 다소 작게 나타났다. 근권온수 순환처리가 생육을 증가시킨 결과로 아스펜 등 4품종 모두에서 꽃목길이, 꽃목경경, 꽃수 및 꽃무게 등절화품질 또한 증가하였다. 생산량 또한 크게 증가하여 모데나 품종에서 38% 이상으로 가장 높았고, 아스펜, 보르도, 샤넬 순이었다.
In this study, a low temperature growth of high-quality carbon nanotubes on glass substrate using a local surface heating without heating damage to substrate was tried and characterized. The local joule heating was induced to only Ni/Ti metal film on glass substrate by applying voltage to the film. It was estimated that local surface joule heating method could heat the metal surface locally up to around 1200℃ by voltage control. We could successfully obtain high-quality carbon nanotubes grown at 300℃ by applying 125 V for joule heating as same as carbon nanotubes grown at 900℃.
This study was conducted to analyze the variations of air temperature, relative humidity and pressure in a low pressure chamber for plant growth. The low pressure chamber was composed of an acrylic cylinder, a stainless plate, a mass flow controller, an elastomer pressure controller, a read-out-box, a vacuum pump, and sensors of air temperature, relative humidity, and pressure. The pressure leakage in the low pressure chamber was greatly affected by the material and connection method of tubes. The leakage rate in the low pressure chamber with the welding of the stainless tubes and a plate decreased by 0.21kPa·h-1, whereas the leakage in the low pressure chamber with teflon tube and rubber O-ring was given by 1.03kPa·h-1. Pressure in the low pressure chamber was sensitively fluctuated by the air temperature inside the chamber. An elastomer pressure controller was installed to keep the pressure in the low pressure chamber at a setting value. However, inside relative humidity at dark period increased to saturation level.. Two levels (25 and 50kPa) of pressure and two levels (500 and 1,000sccm) of mass flow rate were provided to investigate the effect of low pressure and mass flow rate on relative humidity inside the chamber. It was concluded that low setting value of pressure and high mass flow rate of mixed gas were the effective methods to control the pressure and to suppress the excessive rise of relative humidity inside the chamber.
Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400˚C on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O2 and N2O to improve the performance of polycrystalline Si thin film transistors. In conventional high-temperature N2O annealing, nitrogen can be supplied to the Si/SiO2 interface because a NO molecule can diffuse through the oxide. However, it was found that nitrogen cannot be supplied to the Si/SiO2 interface by plasma oxidation as the N2O molecule is broken in the plasma and because a dense Si-N bond is formed at the SiO2 surface, preventing further diffusion of nitrogen into the oxide. Nitrogen was added to the Si/SiO2 interface by the plasma oxidation of mixtures of O2/N2O gas, leading to an enhancement of the field effect mobility of polycrystalline Si TFTs due to the reduction in the number of trap densities at the interface and at the Si grain boundaries due to nitrogen passivation.
동계의 노지 및 무가온 하우스 재배시에 통기성 간이 피복재의 효과적인 보온방법과 GA3 처리로 일상추의 생육 촉진효과를 구명하기 위하여 공시재료를 청치마상추와 적치마상추로 하였다. 농PO계 필름하우스 내에서 ‘파스라이도’ 피복재를 이용하여 10월 26일부터 처리한 직접피복(1), 11월 5일부터 처리한 직접피복(2) 및 터널피복 후, 수확 일주일 전에 GA3를 식물체에 엽면살포하여 그 효과를 조사하였다. 평균기온과 상대습도는 대체로 직접+터널피복, 직접피복 및 대조구의 순으로 높았다. 청치마상추와 적치마상추의 생육은 대체로 직접+터널피복, 직접피복(1), 직접피복(2), 터널피복, 대조구의 순이었고, 또 GA3처리는 생육을 촉진시켰다. 엽록소 함량은 대조구, 터널피복, 직접피복(2), 직접피복(1), 직접+터널피복의 순으로 높았다 GA3천리에 의해서 엽록소의 함량은 반대로 저하하였다. 청치마상추와 적치마상추의 생체중은 직접+터널피복, 직접피복(1). 직접피복(2), 터널피복, 대조구의 순이었고 건물중도 같은 경향이었다. GA3처리는 생체중과 건물중을 약간 증가시켰다. 그러나 대조 구간에 비교한 결과 적치마상추의 생체중과 건물중이 청치마상추보다 낮았다
저온기에 통기성 간이 피복재의 피복방법에 의한 보온환경이 잎상추의 생육촉진에 미치는 영향을 구명하기 위하여 농PO계 필름하우스내에서 '파스라이도' 피복재를 이용하여 직접피복, 터널피복 및 직접+터널피복 처리구 하에서 10월 13일부터 10월 31일가지 18일간 청상추와 적상추를 재배하여 그 효과를 검토하였다. 평균기온, 지온, 엽온과 상대습도는 피복의 효과가 현저하여, 직접+터널, 직접피복, 터널피복 및 대조구의 순으로 높았으며, 광합성유효광량자속은 역순위였다. CO2의 농도는 주간보다 야간에 현저히 증가하였는데, 직접피복에서 가장 높았으며, 다음은 직접+터널피복, 터널피복, 대조구의 순으로 높았으나 그 차이는 매우 낮았다. 청상추와 적상추의 초장, 엽수 및 엽면적 등은 직접+터널, 직접피복, 터널피복의 순으로 촉진되었으나 통계적인 유의차는 없었다.
TMGa와 유전체 장벽방전에 기초한 질소함유 활성종을 이용하여 (0001) 사파이어 기판위에 GaN 박막을 저온에서 성장시켰다. III-V 질소화합물 반도체의 에피막 성장에 있어서 암모니아는 유기금속 화학증착법에서 지금까지 알려진 가장 보편적인 질소 공급원이며 충분한 질소공급을 위해 1000˚C 이상의 고온 성장이 필수적이다. GaN 박막을 비교적 저온에서 성장시키기 위하여 질소 공급원으로 암모니아 대신 유전체 장벽방전을 이용하였다. 유전체 장벽방전은 전극사이에 유전체 장벽을 설치하여 arc를 조절하는 방전이며 수 기압의 높은 공정압력보다 훨씬 높으므로 기판표면까지 전달하는데도 이점이 있다. GaN 박막의 결정성과 표면형상은 성장온도, 완충층에 따라 변화하였으며, 700˚C의 저온에서도 우수한 (0001) 배향성을 갖는 GaN 박막을 성장할 수 있었다.
Multitarget bias cosputter deposition(MBCD)에 의해 저온(200˚C)에서 NaCI(100)상에 정합CoSi2를 성장시켰다. X-선회절과 투과전자현미경에 의해 증착온도와 기판 bias전압에 따른 각각 silicide의 상전이와 결정성을 관찰하였다. Metal induced crystallization(MIC) 과 self bias 효과에 의해 200˚C에서 기판전압을 인가하지 않은 경우에도 결정질 Si이 성장하였다. MIC현상을 이론 및 실험적으로 고찰하였다. 관찰된 상전이는 Co2Si → CoSi → Cosi2로서 유효생성열법칙에 의해 예측된 상전이와 일치하였다. 기판 bias전압 인가시 발생한 이온충돌에 의한 충돌연쇄혼합(collisional cascade mixing), 성장박막 표면의 in situ cleaning, 핵생성처(nucleation site)이 증가로 인하여 상전이, CoSi(111)우선방위, 결정성은 증착온도에 비해 기판bias전압에 더 큰 영향을 받았다. 200˚C에서 기판 bias전압을 증가시킴에 따라 이온충돌에 의한 결정입성장이 관찰되었으며, 이를 이온충독파괴(ion bombardment dissociation)모델에 의해 해석하였다. 200˚C에서의 기판 bias전압증가에 따른 결정성변화를 정량적으로 고찰하기 위해 Langmuir탐침을 이용하여 EAr, α(Vs)를 계산하였다.
본(本) 실험(實驗)은 벼에 있어서 냉해(冷害)로 인(因)하여 매년(每年) 막대한 수확량(收穫量)의 감소(減少)를 생육시기별(生有時期別) 생장조절제(生長調節劑) 처리(處理)에 의한 재배적(栽培的) 방법(方法)을 통하여 그 피해(被害)를 감소(減少)시키고, 생장조절제(生長調節劑)에 대한 벼의 생리학적(生理學的) 활동(活動)과 농업적(農業的) 특성(特性), 수량구성요소(收量構成要素), 근활력(根活力), Chlorophyll 함량(含量) 등(等)의 변화(變化)를 통하여 수확량(收穫量)에 관계(關係)는 요소(要素)를 규명(糾明)하고, 벼 재배(栽培) 방법(力法)에 있어서 기초(基礎) 자료(資科)로써 이용(利用)하고자 실시(實施)하여 얻은 실험결과(實驗結果)는 다음과 같다. 저온(低溫)조건하에서 처리(處理)된 모든 생장조절제(生長調節劑)는 농도(濃度)에 관계(關係)없이 초장(草長), 분니 등의 벼 생유지연(生有遲延)을 다소 경감(輕減)시켰으며, 특(特)히 ABA는 농도(濃度)에 관계(關係)없이 초장(草長), 분니수등에 있어서 다른 생장조절제(生長調節劑)보다 그 효과(效果)가 두드러진 것을 알 수 있었다. 저온(低溫) 조건하(條件下)에서의 chlorophyll함량(含量)은 무처리구(無處理品)에 비하여 감소(減少)되나 식물생장조절제(植物生長調節劑)를 처리(處理)함으로써 Chlorophyll함량(含量)이 증가(增加)되었고, 또한 근활력(根活力)도 chlorophyll함량(含量)과 같은 경향(傾向)을 나타내었다. 생육(生有) 초기(初期)의 생장(生長) 조절제(調節劑)의 처리(處理)는 수량(收量) 구성요소(構成要素)의 감소(減少)를 경감(輕減)시켜 주었으며, 이는 수량(收量)에 직후(直接) 영향(影響)을 미쳐 냉해(冷害)로 인(因)한 수량감소(收量減少)를 경향(經向)시켰으며, 특(特)히 Abscissic acid처리(處理)의 효과(效果)는 뚜렷하게 나타났다. 그러나 저온하(低溫下)에서 수잉기때 생장조절제(生長調節劑) 처리(處理)는 영양생장(營養生長)에 별다른 효과(效果)를 나타내지 않았으나 수량구성요소(收量構成要素)에는 다소 영향(影響)을 미쳐 수량(收量)에 관여(關與)하는 것으로 나타났다. 저온조건하(低溫條件下)에서의 생장조절제(生長調節劑)의 처리(處理)는 처리시기(處理時期)에 따라 다소 차이(差異)가 있지만 수량손실(收量損失) 경감(輕減)에 크게 영향(影響)을 미친 것으로 사료(思料)된다.
Hayward/Bruno 나무의 눈은 에서 피해를 입었으나 -15와 의 저온에서는 심한 피해를 나타내었다. 표피조직은 눈보다 정노에 더 예민하였다. 그리고 저온에 처리후 화분에 재식된 Kiwifruit tree는 , 와 의 처리에서는 생존하였고 눈의 싹이 터졌다. 그러나 에서 처리한 나무는 접수에서는 전연 싹이 터지 않았고, 대목에서 새로운 가지가 발생되었다. 저온에 의한 Kiwifruit tree의 반응으로는 전개된 잎의 표면에 황색의 반점이 나타났고, 또 새로 발생한 가지가 신장 생장이 되지 않았다. 그래서 앞으로 이러한 저온에 대한 피해를 막기 위하여 저온에 강한 대목의 선발이 필요하다고 믿는다.
This study was conducted to determine the effect of low temperature and low radiation conditions on the yield and quality of hot pepper at an early growth stage in Korea. In plastic greenhouses, low temperature, low temperature with covered shading treatments were set 17 to 42 days after transplanting. The pepper growing degree days decreased by 5.5% due to the low temperature during the treatment period. Radiation decreased by 74.7% due to the covered shading. After commencing treatments, pepper plant growth decreased with low temperature and low radiation. Analysis of the yield showed that the first harvest was delayed by low radiation. The cumulative yields of 119 days after transplanting were 1,956, 2,171, and 2,018 g/m2 for control, low temperature, and low temperature with low radiation respectively. Capsaicin and dihydrocapsaicin concentrations in pepper fruit decreased with low temperature and low radiation. To investigate the photosynthetic characteristics according to the treatment, the carbon dioxide reaction curve was analyzed using the biochemical model of photosynthesis. Results showed that the maximum photosynthetic rate, Vcmax (maximum carboxylation rate), J (electric transportation rate), and TPU (triose phosphate utilization) decreased at low temperatures; the maximum photosynthetic rate, J, and gm (dark respiration rate) were reduced by shading. These results indicate that low temperature and low radiation can retard early growth, yield, and quality, but these can also be recovered 119 days after planting. Based on the results, the yield and quality of pepper can recover from abiotic stresses with proper cultivation.