본 연구에서는 정밀관수를 위한 관수시간, 점적라인 설치 등 관수시스템 설계를 위한 기초 데이터를 얻고자 점적관수 시 토성에 따른 물의 수분함량변화를 공간적, 시간적 변이의 차이를 구명하였다. 20cm의 간격의 노즐로 설치된 1열 점적관을 이용 관수 하였을 경우 양토와 사양토내의 수분은 중심을 따라 대칭 형태를 유지하면서 이동하였으나 수분확산 폭은 양토가 더 넓고 속도가 느린 경향을 나타내었다. 상대적으로 높은 모래성분 함량을 갖는 양질사토의 경우는 낮은 수분 보유력으로 인하여 위치별 수분함량의 변화는 상대적으로 낮았으며 그만큼 물 빠짐정도가 큰 것으로 나타났다. 관수개시점과 종말점을 고려하였을 때 사양토의 경우 20cm 깊이에서 관수개시 30분 후에 수분의 포화가 이루어졌으나 양토와 양질사토의 경우는 약 80분이 소요되어 효율적인 수분공급 측면에서 관수시간은 토성별로 달리해야 하는 것으로 나타났다. 깊이 10cm에서의 시간에 다른 토양수분의 감쇠특성은 지수함수의 형태를 나타내었으며 토양별 안정된 상태에서의 수분함량은 양토, 사양토, 양질사토 각각 17.6%, 6.2%, 4.2%로 예측되어 토성에 따라 잔여수분함량은 차이가 있음을 확인하였다. 토양수분함량과 토양수분퍼텐셜과의 관계를 나타내는 수분특성곡선은 시험 토양의 경우 모두 높은 결정계수를 갖는 지수함수로 근사가 가능하여 수분퍼텐셜을 이용하여 측정하는 재배시스템에서 대응하는 수분함량 예측에 유용한 관계식을 얻었다.

In this study, catalytic decomposition of chlorobenzene, a model compound of dioxin, was investigated. Catalysts made of a mesoporous material SBA-15 were used. The effect of Pt impregnation on the catalytic activity was evaluated. The catalysts were characterized using BET and NH₃-TPD. The catalytic activity for chlorobenzene removal reaction was shown to increase with the acid amount of catalysts. Addition of Pt to Al-SBA-15 was also shown to enhance the catalytic activity.

Graphene has been effectively synthesized on Ni/SiO2/Si substrates with CH4 (1 SCCM) diluted in Ar/H2(10%) (99 SCCM) by using an inductively-coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition. Graphene was formed on the entire surface of the 500 nm thick Ni substrate even at 700 ˚C, although CH4 and Ar/H2 gas were supplied under plasma of 600 W for 1 second. The Raman spectrum showed typical graphene features with D, G, and 2D peaks at 1356, 1584, and 2710 cm-1, respectively. With increase of growth temperature to 900 ˚C, the ratios of the D band intensity to the G band intensity and the 2D band intensity to the G band intensity were increased and decreased, respectively. The results were strongly correlated to a rougher and coarser Ni surface due to the enhanced recrystallization process at higher temperatures. In contrast, highquality graphene was synthesized at 1000 ˚C on smooth and large Ni grains, which were formed by decreasing Ni deposition thickness to 300 nm.

We report on the light-emitting diode (LED) characteristics of core-shell CdSe/ZnS nanocrystal quantum dots (QDs) embedded in TiO2thin films on a Si substrate. A simple p-n junction could be formed when nanocrystal QDs on a p-type Si substrate were embedded in ~5 nm thick TiO2 thin film, which is inherently an n-type semiconductor. The TiO2 thin film was deposited over QDs at 200˚C using plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition. The LED structure of TiO2/QDs/Si showed typical p-n diode currentvoltage and electroluminescence characteristics. The colloidal core-shell CdSe/ZnS QDs were synthesized via pyrolysis in the range of 220-280˚C. Pyrolysis conditions were optimized through systematic studies as functions of synthesis temperature, reaction time, and surfactant amount.

잉크를 사용하여 프린트된 그림의 화질은 잉크사용량의 증가에 따라 개선된다. 50% 정도 종이 표면을 도포할 수 있는 잉크는 점퍼짐 현상에 의하여 실제 도포율이 95% 정도까지 높아지며 따라서 더 많은 잉크를 사용하더라도 높은 화질의 개선을 기대할 수 없다. 광택의 측정을 이용하여 측정된 도포율에 대한 화질향상 정도를 비교하였더니 같은 결과를 얻을 수 있었다. 그러나 표면이 매끄럽지 못할 경우에는 종이표면의 굴곡 때문에 같은 100%의 도포율임에도 더 많은 잉크사용이 더 우수한 화질을 줄 수 있다.

오래된 사진의 표면은 빛, 습도, 온도변화 등의 영향으로 손상되어 있으며 이러한 표면의 변화는 표면광택의 측정을 통하여 연구될 수 있다. 전통적으로 사용되어온 사진필름과 인화지를 선택하여 손상되기 전후의 광택을 측정하여 광택손실과 표면손상의 관련을 연구하였다. 상용광택기의 작은 입사각에 따른 둔감한 광택측정은 gonioglossmeter의 값으로 대치될 수 있으며 퇴행화상의 감도손실을 고려할 때 더 좋은 결과를 보여준다. 사진손상의 정도를 수치화 할 수 있는 방법을 제시하는 광택측정은 오래된 사진의 손상정도를 측정하는 방법뿐아니라 손상을 최소화 할 수 있는 사진보관 방법을 연구하는데 있어서도 매우 유용하게 사용될 수 있다.