AZO/Cu/AZO thin films were deposited on glass by RF magnetron sputtering. The specimens showed the preferred orientation of (0002) AZO and (111) Cu. The Cu crystal sizes increased from about 3.7 nm to about 8.5 nm with increasing Cu thickness, and from about 6.3 nm to about 9.5 nm with increasing heat treatment temperatures. The sizes of AZO crystals were almost independent of the Cu thickness, and increased slightly with heat treatment temperature. The residual stress of AZO after heat treatment also increased compressively from -4.6 GPa to -5.6 GPa with increasing heat treatment temperature. The increase in crystal size resulted from grain growth, and the increase in stress resulted from the decrease in defects that accompanied grain growth, and the thermal stress during cooling from heat treatment temperature to room temperature. From the PL spectra, the decrease in defects during heat treatment resulted in the increased intensity. The electrical resistivities of the 4 nm Cu film were 5.9 × 10-4 Ω ‧ cm and about 1.0 × 10-4 Ω ‧ cm for thicker Cu films. The resistivity decreased as the temperature of heat treatment increased. As the Cu thickness increased, an increase in carrier concentration resulted, as the fraction of AZO/Cu/AZO metal film increased. And the increase in carrier concentration with increasing heat treatment temperature might result from the diffusion of Cu ions into AZO. Transmittance decreased with increasing Cu thicknesses, and reached a maximum near the 500 nm wavelength after being heat treated at 200 °C.

AZO thin films are grown on a p-Si(111) substrate by RF magnetron sputtering. The characteristics of various thicknesses and heat treatment conditions are investigated by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Hall effect and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. The substrate temperature and the RF power during growth are kept constant at 400 ℃ and 200 W, respectively. AZO films are grown with a preferred orientation along the c-axis. As the thickness and the heat treatment temperature increases, the length of the c-axis decreases as Al3+ ions of relatively small ion radius are substituted for Zn2+ ions. At room temperature, the PL spectrum is separated into an NBE emission peak around 3.2 eV and a violet regions peak around 2.95 eV with increasing thickness, and the PL emission peak of 300 nm is red-shifted with increasing annealing temperature. In the XPS measurement, the peak intensity of Al2p and Oll increases with increasing annealing temperature. The AZO thin film of 100 nm thickness shows values of 6.5 × 1019 cm−3 of carrier concentration, 8.4 cm−2/V·s of mobility and 1.2 × 10−2 Ω·cm electrical resistivity. As the thickness of the thin film increases, the carrier concentration and the mobility increase, resulting in the decrease of resistivity. With the carrier concentration, mobility decreases when the heat treatment temperature increases more than 500 ℃.

파종시기에 따른 삼백초의 생산성을 구명하여 재배법 확립의 기초자료를 제공하고자 10월 20일 파종 등 4처리를 두어 2010년부터 3년간 시험한 결과를 요약 하면 다음과 같다. 1. 출아는 10월 20일(전년) 파종에서 빨리 시작되었으며, 최종출아수도 4월 10일의 12.0개/m2에 비하여 10.7개/m2 많았다. 2. 줄기의 생육도 10월 20일 파종에서 초장과 경태가 길거나, 굵었으며, 분지와 분얼수도 많았다. 3. 엽의 생육 중 상품엽수는 10월 20일 파종에서 많았으나, 엽장, 엽폭, 비상품 엽수는 파종시기 간에 차이가 인정되지 않았다. 4. 상품 경엽 건물수량과 근경 건물중은 10월 20일 파종에서 많아, 4월 10일 파종 대비 경엽수량 77% 증수되었고, 근경 건물중 32.5 g/m2 무거웠다.

팽이버섯 재배 단계별 환기는 이산화탄소 농도를 배양 시 3,000~4,000 ppm, 발이 및 억제 시 1,000~1,500 ppm, 생육 단계에서는 2,500~3,000 ppm 정도가 되도록 관리하는 것을 지침으로 하고 있으나(농촌진흥청, 2009), 균사가 자라고 있는 배양병 내부의 이산화탄소 농도에 대해서는 연구가 전무한 실정이다. 배양병 내부에 고농도로 존재하는 이산화탄소로 인하여 호기성인 균사가 배양 초기에 대수기로 왕성하게 전환되지 못함으로써 균사 세포내에 영양을 축적할 시간이 줄어들고, 이로 인하여 재배기간이 길어지거나 왕성한 균사 축적이 곤란하여 결국에는 생식 생장으로의 전환시 자실체 수량이 적게 나오는 결과가 초래된다. 본 시험은 팽이버섯 병 재배 시 균사 배양을 최적화하는 방법으로 원활한 통기가 무엇보다 중요하다는 인식하에, 병 내부에 축적된 이산화탄소의 배출과 원만한 산소 공급이 가능하도록 배양병 뚜껑을 개량함으로써 병 내부의 통기성 개선에 관한 기초자료를 얻고자 수행하였다. 1. 배양기간 중 병 내부의 이산화탄소 농도는 종균 접종 후 배양기간이 경과함에 따라 증가 하여 15일 후 가장 높았다가 이후 감소하는 경향을 보였다. 병 뚜껑의 통기구멍 크기별로는 통기구멍이 커짐에 따라 감소하였고, 21 mm와 28 mm 처리에서는 관행 뚜껑 대비1/2 수준으로 낮았다. 2. 배양일수는 관행 뚜껑 20일에 비해 통기구멍 처리에서 1~2일 단축되었다. 3. 배양기간 중 오염 발생율은 병 뚜껑의 통기구멍 크기가 커짐에 따라 증가하였으며, 28mm 처리에서 90.6% 오염되었다. 4. 갓 직경은 통기구멍 크기 7~14 mm에서, 대 직경은 28 mm에서, 대 길이는 7~21 mm에서 각각 관행에 비해 크거나 길었다. 5. 유효경수는 통기구멍 처리에서 감소하는 경향이었고, 통기구멍 크기 21 mm 이상에서 큰 폭으로 감소하였다. 병당 수량은 통기구멍 처리별 차이가 없었으나, 수확량은 관행 뚜껑 대비 통기구멍 처리에서 3.9~89.6% 감소하였다. 이상의 결과에서 배양병 뚜껑의 통기구멍 처리는 병 내부의 통기성 개선에 효과가 있는 반면 배지 오염 발생율을 큰 폭으로 증가시켜 추후 통기성 개선과 오염율 최소화를 만족시킬 수 있는 효율적인 방법이 연구되어야 할 것으로 판단되었다.

노루궁뎅이버섯(Hericium erinaceum)은 분류학적으로 담자균강, 민주름목, 노루궁뎅이과에 속하는 식용버섯이다. 오래 전부터 식용 및 약용버섯으로 이용되어 왔으며 가을철 활엽수의 고목이나 생목에서 발생하는 버섯으로 중국에서는 후두균(喉頭菌), 영명으로 Monkeyhead mushroom 이라고 칭하고 있으며 일본에서는 Yamabushitake로 불려지고 있다. 또한 노루궁뎅이버섯은 고급요리 및 건강증진식품으로 손색이 없으며 의학적으로도 매우 잠재성이 높은 버섯이라고 알려졌다. 1950년대 말까지 노루궁뎅이는 깊은 산속에서만 채집되어 대량생산이 어려웠다. 하지만 인공재배가 가능하게 되었고 현재는 사탕수수박, 톱밥, 목화씨껍질, 옥수수속, 볏짚 등의 여러 재배재료를 이용하여 미강이나 밀기울, 석고 등의 영양원을 첨가시켜 노루궁뎅이를 재배하고 있다. 따라서 본 실험은 노루궁뎅이버섯의 기초시험과 충북도내에서 생산되는 농산부산물을 이용한 염가배지개발 기술을 제공할 목적으로 본 연구를 수행한 결과는 다음과 같다. 1. 노루궁뎅이버섯 균사생장량은 25℃에서 균체량 0.563g/20day로 가장 양호하였으며, pH4～5에서 균사생장이 0.184～0.187g/16일로 높게 나타났다. 따라서 H. eriaceum균사는 산성을 선호하는 것으로 나타났고, 균사생장에 약산성(pH 5.5～6.5)을 선호하는 느타리와는 미미한 차이를 보였으나 일반적으로 버섯은 산성배지에서 잘 자라는 것으로 나타났다. 2. 배지별 균사생장량은 고추대 추출배지에서 25.4mm/7day로 나타나 대조구인 참나무톱밥배지에서 29.6mm/7day의 균사생장량에 가깝고, 균사밀도는 참나무톱밥배지와 고추대배지에서 양호하게 나타났다. 3. 배지처리에 따른 H. eriaceum의 수량은 참나무톱밥+고추대+쌀겨의 혼합비율을 2:2:1로 처리한 배지에서 95.1g/병의 수량을 얻을 수 있어 염가재료인 고추대를 활용한다는 측면에서 좋을 것으로 사료된다.

종균(spawn) 이라는 기원은 옛날 프랑스어 espandre에서 왔으며 “전파시키다” 혹은 “퍼지다”라는 의미이고 espandre 는 라틴어로 expandere에서 왔는데 “전파시키다”라는 뜻이다(Chang등. 1989). 종균은 Websters 의 사전에는 “곰팡이 균사, 특히 식용하기 위해서 버섯을 키우거나 번식시키기 위한 균사” 라고 했다. 양송이 재배에서 종균은 버섯 균사가 배지에 완전히 성숙되어 포화 상태에 있는 것으로 버섯 생산을 위한 번식 씨앗으로 이용되는 것을 말한다. 종균 접종이라는 뜻은 버섯을 재배할 배지에 심는 것을 말한다. 종균제조에 쓰이는 기질은 버섯 종류에 따라 서로 다르며, 기질은 서로 혼합하여 사용할 수도 있다. 배지에 쓰이는 재료로는 곡립(밀, 수수), 절단볏집, 톱밥, 폐면, 왕겨, 목화씨, 껍질 등으로 곡립종균과 볏짚종균이 많이 사용된다(조등. 1995). 현재 사용되고 있는 종균은 대부분 톱밥과 미강을 기질로 한 배지에 균주를 접종하여 배양한 톱밥종균을 사용하고 있는 실정이다. 본 연구에서는 톱밥종균을 대체할 수 있는 곡립종균의 개발을 위해서 적정기질과 접종량 등에 따른 느타리버섯의 생육특성에 관한 몇 가지 시험 결과를 보고하고자 한다. 1. 느타리버섯 종균제조시 기존 톱밥종균의 균사생장(70.2mm/7일) 보다 밀을 사용한 배지에서 3.3mm 정도 빨랐으며 균사밀도도 높았다. 2. 밀배지 2kg 처리에서 균사배양일수가 33.2일로 가장 빨랐으며 균배양 중 배지혼합회 수가 3.5일로 적었다. 3. 그러나 2kg의 밀배지에서 평당 종균소요량이 4kg 보다 1.9～2.4팩 정도 많이 소요되었으며, 종균분쇄시간은 4kg 처리에서 3.1시간/60평/1인으로 가장 적게 소요되었다. 4. 톱밥종균과 밀종균 간의 버섯생육상황은 큰차이를 보이지 않았다. 따라서 기존에 사용되어지고 있는 느타리버섯 재배용 톱밥종균의 불편함을 밀을 이용한 곡립종균으로 해결 될 수 있을 것으로 사료된다.

현재 재배되는 팽이버섯은 대부분이 외국 도입 백색계통으로 로열티 절감과 다양한 소비자 요구에 부응하고자 맛과 향이 뛰어난 갈색계통의 팽이버섯인 ‘금향’을 육성하였으며, 생리적 특성과 자실체 특성, 유연관계 등을 조사한 결과는 다음과 같다. 1. 선발계통 균주는 온도 15℃ 이하에서는 균사생장이 0.9～2.0cm였고, 20～25℃에서는 2.7～3.6cm로 가장 좋았으며, 30℃에서는 1.1～2.2cm로 저조하였다. 2. pH별 균사 생장은 3.4～3.8cm로 큰 차이가 없었다. 3. 배지별 생육은 MCM, MEM 배지에서 균사생장과 밀도가 좋았으며, Wa 배지는 균사밀도가 매우 저조하였다. 4. 최종 선발된 D-1-10(금향)의 배양일수가 2일, 초발이일수 2일 정도 빠르고, 전반적인 생육 일수가 대조품종 갈뫼보다 5～7일 정도 빨랐다. 5. D-1-10의 자실체 수량은 850ml 병당 169g, 유효경수는 427개, 대의 길이가 96.1cm로 대조품종보다 8% 정도 수량이 좋았다. 6. 균주간 대선형성 결과 육성 품종인 D-1-10은 다른 육성 모본 간에는 대선이 형성되었으나, 선발 계통 간에는 대선을 형성하지 않았다. 7. 팽이 균주를 PCR로 분석한 결과, 3개의 UFPF primer는 75%에서 크게 4개의 그룹으로 나타났다.

최근 수입 의존도가 높은 버섯 배지 원료가격이 급등하여 농가 경영비가 가중되는 실정이다. 본 시험은 쉽게 구할 수 있는 농산부산물인 왕겨를 이용하여 느타리버섯 재배용 저가 배지를 개발하고자, 수한느타리를 시험재료로 사용하고 포플러톱밥:비트펄프:면실박=6:1:1(v/v)의 관행 배지 중 톱밥을 왕겨로 대체하여(혼합 비율 25, 50, 75, 100%) 배지 오염율, 자실체의 특성 및 수량 등을 조사하였다. 1. 푸른곰팡이에 의한 배지 오염율은 왕겨 저장기간이 길어질수록 급격히 증가되어, 1차시험에서는 0.8%, 2차에는 8.5%, 3차에는 12.4%가 감염되었고, 3차 시험의 왕겨 100% 처리구는 25%였다. 2. 총 생육일수는 왕겨 혼합비율이 높아질수록 발이일수 및 생육일수가 지연되어 1∼2일 늦어지는 경향이었다. 3. 버섯 생육도 같은 경향으로 유효경수 및 개체중이 저하되어 수량은 왕겨 혼합비율이 높아질수록 각각 8∼25% 정도 감소되었다. 4. 왕겨를 이용한 배지는 농가의 배지 재료 구입비 부담을 줄일 수는 있지만, 푸른곰팡이 감염에 의한 배지 오염, 재배사 오염 등 농가에 상당한 피해가 우려되었다.

충북지역 포도 주산단지인 청원, 옥천, 영동 지역에서 포도 주요해충별 발생밀 도를 조사하여, 방제적기를 설정하였다. 발생밀도에 따른 주요 해충별 방제적기는 애무늬고리장님노린재가 5월 상순, 이슬애매미충과 이마점애매미충은 6월 중순 과 8월 상순, 포도들명나방은 6월 중순과 8월 상순, 갈색여치는 6월 중순, 그리고 꽃매미는 5월 상․중순이었다. 포도 해충의 종합방제를 위하여 해충별 방제적기를 근거로 포도에 등록된 농약을 3회(5월 상․중순, 6월 중순, 8월 상순) 살포하고, 10 월 말까지 해충별 밀도변화를 조사하였다. 포도해충 방제력에 의한 3회 농약 살포 후 해충밀도를 조사한 결과, 청원지역에서 발생된 해충은 애무늬고리장님노린재, 이슬애매미충, 이마점애매미충, 포도들명나방 이었으나 발생밀도가 높지 않았다. 옥천지역에서 발생된 해충은 애무늬고리장님노린재, 이슬애매미충, 이마점애매미 충, 포도들명나방이었고, 이슬애매미충의 밀도가 가장 높았다. 영동지역에서 발생 된 해충은 공깍지벌레, 포도곱추잎벌레, 애무늬고리장님노린재 이었다. 포도원에 발생된 해충은, 방제적기인 5월 상.중순, 6월 중순, 8월 상순에 3회 약제방제하면, 포도에 피해를 줄 정도의 해충 발생은 없었다