In this study, we undertook detailed experiments to increase hydrogen production efficiency by optimizing the thickness of titanium dioxide (TiO2) thin films. TiO2 films were deposited on p-type silicon (Si) wafers using atomic layer deposition (ALD) technology. The main goal was to identify the optimal thickness of TiO2 film that would maximize hydrogen production efficiency while maintaining stable operating conditions. The photoelectrochemical (PEC) properties of the TiO2 films of different thicknesses were evaluated using open circuit potential (OCP) and linear sweep voltammetry (LSV) analysis. These techniques play a pivotal role in evaluating the electrochemical behavior and photoactivity of semiconductor materials in PEC systems. Our results showed photovoltage tended to improve with increasing thickness of TiO2 deposition. However, this improvement was observed to plateau and eventually decline when the thickness exceeded 1.5 nm, showing a correlation between charge transfer efficiency and tunneling. On the other hand, LSV analysis showed bare Si had the greatest efficiency, and that the deposition of TiO2 caused a positive change in the formation of photovoltage, but was not optimal. We show that oxide tunneling-capable TiO2 film thicknesses of 1~2 nm have the potential to improve the efficiency of PEC hydrogen production systems. This study not only reveals the complex relationship between film thickness and PEC performance, but also enabled greater efficiency and set a benchmark for future research aimed at developing sustainable hydrogen production technologies.

이 연구는 영웅의 여정과 여성 영웅의 여정 이론을 결합하여, 영화 <에브리씽 에브리웨어 올 앳 원스>의 여성 캐릭터 에블린의 성장 과정을 깊이 있게 탐구하고 이야기 구조와 여성 정체성의 시각에서 연구한다. 본 논문은 먼저 에블린의 성장 과정을 서술적인 관점에서 분석하여 캐릭 터의 출발, 계몽, 귀환의 핵심 순간을 주목하고 개인적인 성장의 궤적을 밝혀낸다. 그다음은 여성 영웅의 여정 이론을 적용하여 여성 캐릭터의 독특한 특성과 경험에 초점을 맞추며, 성장 과정에서 직면한 어려움, 의 식 형성, 정체성 인식 등을 연구하고 그들이 마주한 어려움을 탐색한다. 이야기 관점에서 볼 때, 에블린은 평범한 존재에서 점차 모험과 도전을 통해 내면의 강력한 힘과 영향력을 드러내는 여성으로 변화한다. 여성의 시각에서 볼 때, 에블린은 성별 역할의 제약을 극복하고 자신의 독립적 이고 강인한 여성 본성을 깨닫고 자신의 여성적 특성을 받아들인다. 두 이론의 결합은 여성 캐릭터가 성장 과정에서 직면한 어려움과 도전, 그 리고 독특한 경험과 특성으로 다양성을 드러내는 것을 드러낸다. 본 연 구는 풍부하고 다양하며 깊이 있는 여성 캐릭터를 창작하는 데에 영감을 준다. 영웅의 여정과 여성 영웅의 여정 이론을 결합함으로써 창작자들에 게 캐릭터의 성장 과정에서 복잡하고 깊이 있는 서술 구조와 여성 정체 성 인식의 방법을 제공할 수 있다.

ZnO thin films are of considerable interest because they can be customized by various coating technologies to have high electrical conductivity and high visible light transmittance. Therefore, ZnO thin films can be applied to various optoelectronic device applications such as transparent conducting thin films, solar cells and displays. In this study, ZnO rod and thin films are fabricated using aqueous chemical bath deposition (CBD), which is a low-cost method at low temperatures, and environmentally friendly. To investigate the structural, electrical and optical properties of ZnO for the presence of citrate ion, which can significantly affect crystal form of ZnO, various amounts of the citrate ion are added to the aqueous CBD ZnO reaction bath. As a result, ZnO crystals show a nanorod form without citrate, but a continuous thin film when citrate is above a certain concentration. In addition, as the citrate concentration increases, the electrical conductivity of the ZnO thin films increases, and is almost unchanged above a certain citrate concentration. Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cell substrates are used to evaluate whether aqueous CBD ZnO thin films can be applicable to real devices. The performance of aqueous CBD ZnO thin films shows performance similar to that of a sputter-deposited ZnO:Al thin film as top transparent electrodes of CIGS solar cells.

리튬금속전지(LMB)는 매우 큰 이론 용량을 갖지만 단락(short circuit), 수명 감소 등을 야기하는 덴드라이트(dendrite) 가 형성되는 큰 문제점을 갖고 있다. 본 연구에서는 poly(dimethylsiloxane) (PDMS)에 graphene oxide (GO) nanosheet를 고르게 분산시킨 PDMS/GO 복합체를 합성하였고 이를 박막 형태로 코팅하여 덴드라이트의 형성을 물리적으로 억제할 수 있는 막의 효과를 이끌어내었다. PDMS의 경우, 그 자체로는 이온 전도체가 아니기 때문에 리튬 이온의 통로를 형성시켜 리튬 이온의 이동을 원활하게 하기 위하여 5wt% 불산(HF)으로 에칭하여 PDMS/GO 박막이 이온전도성을 가질 수 있도록 하였다. 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM)을 통해 전면 및 단면을 관찰하여 PDMS/GO 박막의 형상을 확인하였다. 그리고 PDMS/GO 박막을 리튬금속전지에 적용하여 실시한 배터리 테스트 결과, 100번째 사이클까지 쿨롱 효율(columbic efficiency) 이 평균 87.4%로 유지되었고, 박막이 코팅되지 않은 구리 전극보다 과전압이 감소되었음을 전압 구배(voltage profile) 를 통해 확인하였다.

Single crystals, which have complexed composition, are fabricated by solid state grain growth. However, it is hard to achieve stable properties in a single crystal due to trapped pores. Aerosol deposition (AD) is suitable for fabrication of single crystals with stable properties because this process can make a high density coating layer. Because of their unique features (nano sized grains, stress inner site), it is hard to fabricate single crystals, and so studies of grain growth behavior of AD film are essential. In this study, a BaTiO3 coating layer with ~ 9 μm thickness is fabricated using an aerosol deposition method on (100) and (110) cut SrTiO3 single crystal substrates, which are adopted as seeds for grain growth. Each specimen is heat-treated at various conditions (900, 1,100, and 1,300℃ for 5 h). BaTiO3 layer shows different growth behavior and X-ray diffraction depending on cutting direction of SrTiO3 seed. Rectangular pillars at SrTiO3 (100) and laminating thin plates at SrTiO3 (110), respectively, are observed.

Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe) thin film solar cells areone of the most promising candidates for photovoltaic devices due to their earth-abundant composition, high absorption coefficient and appropriate band gap. The sputtering process is the main challenge to achieving high efficiency of CZTSSe solar cells for industrialization. In this study, we fabricated CZTSSe absorbers on Mo coated soda lime glass using different pressures during the annealing process. As an environmental strategy, the annealing process is performed with S and Se powder, without any toxic H2Se and/or H2S gases. Because CZTSSe thin films have a very narrow stable phase region, it is important to control the condition of the annealing process to achieve high efficiency of the solar cell. To identify the effect of process pressure during the sulfo-selenization, we experiment with varying initial pressure from 600 Torr to 800 Torr. We fabricate a CZTSSe thin film solar cell with 8.24 % efficiency, with 435 mV for open circuit voltage(VOC) and 36.98 mA/cm2 for short circuit current density(JSC), under a highest process pressure of 800 Torr.

This experiment was conducted to establish proper irrigation method for water spinach, subtropical vegetable in plastic film house soils to prepare to future global warming of the Korean peninsula. The evaluation of irrigation with 4 different levels as −20, −40, −50 kPa as a starting point(water potential) were compared to –33 kPa as control. All treatments were ended when water potential reached at –10 kPa respectively. The amount of irrigated water, N content, plant growth and fresh yield were investigated. As a result, water potential was correlated positively with irrigation starting point in cultivation period and irrigation times, but the amount water irrigated per time, N content of harvested plant, fresh and dry yield showed negative correlation. The contents of crude protein, P, K, Ca, Fe of harvested part were most high in –50 kPa treatment. We concluded that –50 kPa was optimal irrigation starting point for water spinach cultivation in unheating plastic film house.

GaN is most commonly used to make LED elements. But, due to differences of the thermal expansion coefficient and lattice mismatch with sapphire, dislocations have occurred at about 109~1010/cm2. Generally, a low temperature GaN buffer layer is used between the GaN layer and the sapphire substrate in order to reduce the dislocation density and improve the characteristics of the thin film, and thus to increase the efficiency of the LED. Further, patterned sapphire substrate (PSS) are applied to improve the light extraction efficiency. In this experiment, using an AlN buffer layer on PSS in place of the GaN buffer layer that is used mainly to improve the properties of the GaN film, light extraction efficiency and overall properties of the thin film are improved at the same time. The AlN buffer layer was deposited by using a sputter and the AlN buffer layer thickness was determined to be 25 nm through XRD analysis after growing the GaN film at 1070˚C on the AlN buffer CPSS (C-plane Patterned Sapphire Substrate, AlN buffer 25 nm, 100 nm, 200 nm, 300 nm). The GaN film layer formed by applying a 2 step epitaxial lateral overgrowth (ELOG) process, and by changing temperatures (1020~1070˚C) and pressures (85~300 Torr). To confirm the surface morphology, we used SEM, AFM, and optical microscopy. To analyze the properties (dislocation density and crystallinity) of a thin film, we used HR-XRD and Cathodoluminescence.

A stoichiometric mixture of evaporating materials for ZnAl2Se4 single-crystal thin films was prepared in a horizontalelectric furnace. These ZnAl2Se4 polycrystals had a defect chalcopyrite structure, and its lattice constants were a0=5.5563Åand c0=10.8897Å.To obtain a single-crystal thin film, mixed ZnAl2Se4 crystal was deposited on the thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by a hot wall epitaxy (HWE) system. The source and the substrate temperatures were 620oCand 400oC, respectively. The crystalline structure of the single-crystal thin film was investigated by using a double crystal X-ray rocking curve and X-ray diffraction ω-2θ scans. The carrier density and mobility of the ZnAl2Se4 single-crystal thin filmwere 8.23×1016cm−3 and 287m2/vs at 293K, respectively. To identify the band gap energy, the optical absorption spectra ofthe ZnAl2Se4 single-crystal thin film was investigated in the temperature region of 10-293K. The temperature dependence ofthe direct optical energy gap is well presented by Varshni's relation: Eg(T)=Eg(0)−(αT2/T+β). The constants of Varshni'sequation had the values of Eg(0)=3.5269eV, α=2.03×10−3eV/K and β=501.9K for the ZnAl2Se4 single-crystal thin film.The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the ZnAl2Se4 were estimated to be 109.5meVand 124.6meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicatethat splitting of the ∆so definitely exists in the Γ5 states of the valence band of the ZnAl2Se4/GaAs epilayer. The threephotocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the A1-, B1-exciton for n=1 and C21-exciton peaks for n=21.

한지형 마늘의 엽초유인 방법에 따른 마늘 엽 생육과 수량 에 미치는 영향을 구명하고자 관행유인, 비닐절개유인, 일시제 거유인 등 3처리를 두어 실험을 실시한 결과, 초장은 생육 초 기 일시제거유인에서 좋았으나, 생육 후기로 갈수록 차이가 없 었으며, 엽초경은 4월 상순까지는 비슷한 생육을 보였으나, 생 육후기로 갈수록 일시제거유인에서 저조하였다. 엽록소 함량 은 비닐 일시제거 유인에서 SPAD값이 46.0~62.5로 변화폭이 컸던 반면, 관행유인은 3.0(SPAD값)으로 변화폭이 적었다. 엽 초유인 방법별 토양온도는 관행 및 비닐절개 유인에서 최고· 최저 온도차가 비닐 일시제거유인에서는 14oC로 온도의 변화 폭이 컸다. 구중은 관행 및 비닐 절개 유인에서 무거웠으며, 1,000당 투하노동력은 비닐절개구와 비닐 일시제거구에서 관 행 66.5시간/2인 대비 각각 17.3%와 18.3%의 점감효과가 있 었고, 1,000당 수량은 비닐절개 유인이 751 kg로 관행유인 686 kg에 비해 9% 증수되었다.

본 연구는 비닐하우스 피복재인 폴리오레핀(PO)계 필름의 효과를 구명하고자 관행의 피복필름(PE + EVA)과 비교하여 피복재별 물리적 특성과 상추와 오이의 생육 및 수량을 검토하였다. 인장강도, 인열강도 등 피복재의 물리적 특성은 일반필름보다 PO필름이 우수하였다. 400~700 nm의 광합성유효광의 투과율은 일반필름에 비해 PO필름이 4.1% 높았고, 전체 광선투과율(300~1,100 nm)도 PO필름이 4.3% 높았다. 하우스 내의 주간 평균기온은 일반필름보다 PO필름이 1.5℃ 높았고, 야간 평균기온도 PO필름이 0.8℃ 높게 유지되었다. 주야간 상대습도는 필름 간에 유의적 차이가 없었다. 엽록소 함량은 오이의 경우 필름 간 유의적 차이는 없었으나 일반필름에 비해 PO필름이 엽록소 a가 약간 높았으며, 상추는 PO필름이 일반필름보다 유의하게 높았다. 수확기 오이 생육에 있어서 초장, 엽면적, 생체중 및 건물중 모두 일반필름보다 PO필름을 피복한 하우스에서 크고 무거웠다. 수확한 오이의 과실 수량은 일반필름에 비해 PO필름이 14.0% 높았고, 상추 수량도 일반필름보다 PO필름이 13.6% 높았다.

우리나라의 남부지역에서 콩의 비닐피복 재배시에 적정파종시기를 구명하고자 본 시험에서 주요 특성 및 수량성을 비교한 결과는 다음과 같다. 1. 비닐피복재배에서 파종기가 빠를수록 그리고 영양생장기 중 V6 stage 까지는 생육일수가 많이 단축되었으나 그 이후는 단축효과는 점차로 적었다. 2. 콩의 개화에 필요한 평균소요일수는 노지재배에서 컸고 성숙에 필요한 평균소요일수는 비닐피복 재배에서 컸다. 3. 콩의 비닐피복 재배시 R5 stage의 건물중은 노지재배보다 무겁고 엽면적지수도 최적엽면적지수인 5~7의 범위에 포함되었다. 4. 비닐피복 재배시 5월 25일 및 6월 10일 파종에서 콩의 립수가 많고 백립중이 무거워 수량이 높았다 5. 단백질함량은 비닐피복 재배에서 낮고 파종기간 차이가 없었으며 지방함량은 재배양식 및 파종기간 비슷하였다. 한편비닐피복 재배시 지방산 C18:1의 함량은 5월25일 및 6월 10일 파종에서 많았고 C18:3은 재배양식 및 파종기간 차이가 없었다. 6. 아이소플라본 함량은 비닐피복 재배에서 그리고 파종기가 늦을수록 많았다.

We studied the initial reaction mechanism of Zn precursors, namely, di-methylzinc (Zn(CH3)2, DMZ) and diethylzinc (Zn(C2H5)2, DEZ), for zinc oxide thin-film growth on a Si (001) surface using density functional theory. We calculated the migration and reaction energy barriers for DMZ and DEZ on a fully hydroxylized Si (001) surface. The Zn atom of DMZ or DEZ was adsorbed on an O atom of a hydroxyl (-OH) due to the lone pair electrons of the O atom on the Si (001) surface. The adsorbed DMZ or DEZ migrated to all available surface sites, and rotated on the O atom with low energy barriers in the range of 0.00-0.13 eV. We considered the DMZ or DEZ reaction at all available surface sites. The rotated and migrated DMZs reacted with the nearest -OH to produce a uni-methylzinc (-ZnCH3, UMZ) group and methane (CH4) with energy barriers in the range of 0.53-0.78 eV. In the case of the DEZs, smaller energy barriers in the range of 0.21-0.35 eV were needed for its reaction to produce a uni-ethylzinc (-ZnC2H5, UEZ) group and ethane (C2H6). Therefore, DEZ is preferred to DMZ due to its lower energy barrier for the surface reaction.

본 연구는 플라스틱하우스 수박 재배 시 육묘 포트종류와 그 정식 방법이 정식 후 생육 및 과실 특성에 미치는 영향을 알아보기 위해 수행하였다. 잎의 수, 면적 및 광합성률, 초장, 생체중량 모두 정식 후 시간이 경과하면서 관행포트 묘에 비해 이중플라스틱포트 묘에서 우수한 경향을 나타내었다. 수확과의 과고, 과폭 및 과중도 이중플라스틱포트 묘에서 다른 포트 묘에 비해 다소 큰 경향이었다. 과피두께는 사각형피트포트 묘에서 가장 얇았고 관행포트 묘에서 가장 두꺼웠으며, 배꼽 직경은 과피두께 결과와 반대의 경향을 나타내었다. 그리고 이중플라스틱포트 묘의 정식 깊이에 따른 초기 생육은 포트 높이의 2/3 정도에서 가장 우수하였다.

참외 하우스 피복필름 장기사용을 위하여 필름두께, 적외선 흡수율, 자외선 투과율이 다른 Polyolefin ilm(일본산, J-1, J-2, J-3)을 2006년 1월 16일 피복하여 3년 사용한 처리구와 한국의 참외 재배농가에서 관행으로 사용하는 Polyethylene film(K-1)을 2008년 1월 16일 피복하여 1년 사용한 처리구를 대조구로 설치하여 피복필름의 장기사용 가능성을 검토한 결과, 보온성은 J-2 처리구에서 가장 높았고 J-3, J-1 순이었으며, 초기생육도 J-2 처리구에서 가장 좋았다. 개화 및 수확소요일수는 K-1 처리구에 비하여 J-2처리구에서 10일 정도 단축되었다. 과피의 색도 및 당도는 K-1에 비하여 J-3, J-1, J-2처리구에서 다소 높은 경향이었고 상품과 수량은 J-2, J-1, J-3 처리구 순으로 높았다.

Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400˚C on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O2 and N2O to improve the performance of polycrystalline Si thin film transistors. In conventional high-temperature N2O annealing, nitrogen can be supplied to the Si/SiO2 interface because a NO molecule can diffuse through the oxide. However, it was found that nitrogen cannot be supplied to the Si/SiO2 interface by plasma oxidation as the N2O molecule is broken in the plasma and because a dense Si-N bond is formed at the SiO2 surface, preventing further diffusion of nitrogen into the oxide. Nitrogen was added to the Si/SiO2 interface by the plasma oxidation of mixtures of O2/N2O gas, leading to an enhancement of the field effect mobility of polycrystalline Si TFTs due to the reduction in the number of trap densities at the interface and at the Si grain boundaries due to nitrogen passivation.

Single crystal ZnIn2S4 layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrateat 450oC with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating ZnIn2S4 source at 610oC. The crystalline structureof the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray rockingcurve (DCRC). The temperature dependence of the energy band gap of the ZnIn2S4 obtained from theabsorption spectra was well described by the Varshni’s relation, Eg(T)=2.9514eV-(7.24×10−4eV/K)T2/(T＋489K). After the as-grown ZnIn2S4 single crystal thin films were annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, theorigin of point defects of ZnIn2S4 single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence (PL)at 10K. The native defects of VZn, VS, Znint, and Sint obtained by PL measurements were classified as a donorsor acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted ZnIn2S4 singlecrystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in ZnIn2S4/GaAs did not form the nativedefects because In in ZnIn2S4 single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

참외 재배시설의 광 환경 개선을 위하여 필름두께, 자외선 차단율, 적외선 흡수율이 다른 polyolefin계 필름 3종(J-1, J-2, J-3), polyethylene계 필름(K-1, K-2 농가에서 관행으로 사용하는 폴리에틸렌 필름(K-3)을 대조구로 시험한 결과, 보온성은 K-3처리구에 비하여 J-2 처리구에서 가장 높았고 J-3, J-1 순이었다. 초기생육, 암꽃 개화 및 수확소요일수는 재배지역과 품종에 따라 다소 차이는 있으나 K-3 처리구에 비하여 J-1, J-2, J-3 처리구에서 초기생육이 촉진되었고 첫 수확소요 일수도 10일 이상 단축되었다. 10a당 상품수량은 K-3 처리구의 991kg에 비하여 J-1, J-2, J-3, K-1 및 K-2 처리구에서 각각 21%, 37%, 24%, 13%, 4%증가하였다. 특히 J-1, J-2, J-3 및 K-1 처리구는 초기, 중기, 후기의 수량 비율이 각각 50%, 40%, 10%로 초기 및 중기의 수량이 많았다. 이상의 결과로 볼 때 보온성이 강화된 polyolefin계 필름은 저온기 참외 시설재배 시 생육을 촉진시켜 수확소요 일수를 단축시키고 조기수량을 증가시키는 것으로 생각된다.

참외 재배시설의 광 환경 개선을 위하여 필름두께, 자외선 차단율, 적외선 흡수율이 다른 PO계 필름 3종(J-1, J-2, J-3), PE 필름(K-1, K-2, K-3)을 비교하여 참외를 재배한 결과는 다음과 같다. 재배지역과 품종에 따라 다소의 차이는 있으나 오복꿀참외의 경우, K-3의 당도는 14.3˚Brix이고 J-3, J-2에서는 이보다 각각 1.3˚Brix, 0.8˚Brix 정도 높은 경향이었다. 과피의 색도(a 값)는 K-3의 0.5에 비하여 J-3, J-1, J-2에서 각각 3.3, 2.3, 1.9 정도 더 높았다. 또한 J-1, J-2, J-3 처리구에서 발효과율 및 기형과율이 감소하였고 상품과 율은 증가하였다. 10a당 상품수량은 K-3의 1,622 kg에 비하여 J-1, J-3, J-2에서 각각 31.2%, 23.8%, 18.5%증가하였다. 이상의 결과로 볼 때 J-1, J-2, J-3등의 polyolefin계 필름은 필름두께가 두껍고 적외선 흡수율이 높아 보온효과가 우수하였으며 이로 인하여 과실의 당도가 증가하고 색도가 우수한 것으로 생각된다. 또한 발효과 발생이 감소하고 상품과율이 증가하는 등 품질이 향상되었고 수량도 증가되었다.