Several instances of synergistic interaction have been identified between alkyl amine oxide and long chain fatty acohol polyethoxylates in various surfactant formulation. The purpose of this study was examined whether these benefits could be observed within the framework of generic hand-surface cleaning formulations. Comparative evaluation were also carried out to determine the performance characteristics of low-and zero-phosphate systems in which amine oxide and alcohol ethoxylates are used. Best cleaning was observed with 1:1 mixtures of the subject surfactants, but substantial improvements over fatty alcohol ethoxylate alone also were noted with formulations that contained lower ratios of amine oxide

본 연구에서는 Si 미립자를 함유한 반도체 세정폐수의 관형막을 이용한 한외여과특성을 검토하였다. 관형막의 시간변화에 따른 투과유속의 감소현상은 막표면에 형성된 케익층의 증가 및 기공막힘에 기인하며, cross flow는 케익여과에 의한 막오염 형태를 보였으나 dead-end flow는 기공막힘과 케익여과에 의한 혼합형태를 보였다. Cross Flow의 케익저항의 크기는 3.16times1012 ~4.34times1012 m-1 였고, dead-end flow 는 6.6 times1012 ~12.19times1012 m-1였다. 운전초기의 흐름형태에 따른 투과유속은 cross flow 가 dead-end flow 의 약 7 배였다. Cross flow 투과유속은 약 42 ell/m2 hr, 용질배제율은 약 96 % 였으며, 분리막공정을 거친 투과수 중의 Si 입자의 평균크기는 20nm였다

본 연구는 반도체 공정중 습식세정시 사용되는 초순수내에서의 오존의 거동과 오존이 주입된 초순수와 실리콘 웨이퍼와의 반응성에 대해 연구하였다. 초순수내 오존의 용해도는 주입되는 오존의 농도와 초순수의 온도가 낮을수록 증가하였고 주입되는 오존의 농도에 정비례하여 증가하였다. 초순수내 오존의 반감기는 초순수내 오존의 용해농도와 초순수의온도가 낮을수록 증가함을 나타내었고 반응차수는 약 1.5로 계산되었다. 초순수의산화환원전위(redox potential)값은 오존 주입시 5분 이내에 포화되어 일정한 값을 나타내었고 주입되는 오존의 농도가 증가함에 따라 약간 증가하였다. HF처리된 실리콘 웨이퍼는 오존이 2ppm 이상 용해된 초순수에서 세정하였을 때 1분 이내에 접촉각이 10˚미만의 친수성 표면을 형성하였고 piranha 세정액(H2SO4과 H2O2의 혼합액)에 의해 형성된 자연산화막보다 오존이 주입된 초순수에 의해 형성된 산화막이 약간 더 두꺼움을 Spectroscopic Ellip-someter에 의해 관찰하였다. 오존의 농도가 1.5ppm에서 90초내에 계면활성제로 오염된 실리콘 웨이퍼를 piranha용액과 오존이 함유된 황산 그리고 오존이 함유된 초순수에서 세정시 오존이 함유된 초순수가 가장 탁월한 오염제거능력을 나타내었다.

본 연구는 Si 미립자를 함유한 반도체 세정폐수의 평판막을 이용한 한외여과특성을 검토하였다. 평판막의 투과유속은 시간이 경과함에 따라 점차 감소하는 경향을 나타냈으며, 이현상은 막표면에 형성된 케익층의 증가 및 기공막힘에 기인한다. 흐름형태에 따른 투과유속은 cross flow가 dead-end flow의 약 1.4배 높았다. Si 미립자에 의한 막오염을 제거하는데는 역세법이 sweeping법 보다 우수하였다. 막오염으로 인한 투과유속의 감소는 질소가스로 역세척하여 초기투과유속의 약 85% 정도 회복되었다. 평판막을 이용한 cross flow 공정의 용질배제율은 약 90%였으며, 투과수증의 Si 미립자의 크기는 평균 70 nm였다.

HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 400˚C일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 400˚C로 유지했을 때는 C54~TiSi2상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 100˚C정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 400˚C에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 μΩcm임을 확인하였다.

The field of printing use to pressurization ink using screen gassamer that is called screen printing. Existing cleaning solvent using screen printing are the organic solvents including aromatic compounds carried with poisonous and stench. Besides, cleaning method of current screen printing are for the most part mixed cleaning method of dipping and polish. Using 1,1,1-TCE, CFC-113 alternative system cleaning solvent be substituted for existing cleaning solvent against screen printing ink measured the cleaning efficiency according to gravimetric analysis method and property change of gassamer according to Image Analyzer. Also, Cleaning process system carry with excellent cleaning efficiency studied which was proposed new cleaning process including ultrasonic and vibration cleaning process be substituted for existing mixed cleaning method of dipping and polish.

The productivity of a hospital foodservice system has a significant implication in hospital management as costs for labor and material increase, competitions among hospitals increase, and patients' expectations as to the quality of hospital services increase. The foodservice is characterized by its labor intensiveness. The objective of this study was to examine associations between operational and managerial factors and the productivity of dishwashing work in hospital foodservice systems. The labor productivity in 20 conventional food service systems was assessed and related to a number of influencing variables within the system. The productivity measurement was based upon the total dish equivalents as a ratio of the total direct and non-direct labor hours required to wash these dishes. 20 hospitals with more than 500 beds located in Seoul were surveyed to obtain data for study variables. Questionnaire and a survey form were mailed. Statistical methods used in this study were descriptive analysis and Pearson product moment correlation analysis. Hospital system characteristic which was found to correlate significantly with productivity was the ratio of dish loss. As this increased, the productivity level increased.

반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 단위공정의 수가 증가하게 되었고 동시에 실리콘 기판의 오염에 대한 문제가 증가하였다. 실리콘 기판의 주 오염물로는 유기물, 파티클, 금속분순물 등이 있으며 특히, Cu와 Fe과 같은 금속불순물은 이온주입 공정, reactive ion etching, photoresist ashing과 같은 실 공정 중에 1011-1013atoms/㎤정도로 오염이 되고 있다. 그러나 금속불순물 중 Cu와 같은 전기음성도가 실리콘 보다 큰 오염물질은 일반적인 습석세정방법으로는 제거하기 힘들다. 따라서 본 연구에서는 Cu와 Fe과 같은 금속불순물을 제거할 목적을 건식과 습식 세정방법을 혼합한 UV/ozone과 HF세정을 제안하여 실시하였다. CuCI2와 FeCI2 표준용액으로 실리콘 기판을 인위적 오염한 후 split 1(HF-only), split 2 (UV/ozone+HF), split 3 (UV/ozone + HF 2번 반복), split 4(UV/ozone-HF 3번 반복)를 실시하였고 TXRF(Total Reflection X-Ray Fluorescence)와 AFM(Atomic Force Microscope)으로 금속불순물 제거량과 표면거칠기를 각각 측정하였다. 또한 contact angle 측정으로 세정에 따른 표면상태도 측정하였다. TXRF 측정결과 split 4가 가장 적은 양의 금속불순물 잔류량을 보였으며 AFM 분석을 통한 표면거칠기도 가장 작은 RMS 값을 나타내었다. Contact angle 측정 결과 UV/ozone 처리는 친수성 표면을 형성하였고 HF처리는 소수성 표면을 형성하였다.

Many alternatives to Trichlorothane & Trichlorotrifluoroethane mainly used as cleaning solvent for industrial parts are developed and commercialized because the solvent is scheduled to phaseout after 1996. Considering there are many kinds of parts and contaminants in all parts cleaning, It is essential to investigating the characteristics and performance of the alternatives prior to use. For the contaminant of a standard oil, waters, hydrocarbon and halogen parts which are the comercially available and promising alternatives were experimented at the same condition of Trichlorothane & Trichlorotrifluoroethane to check the cleaning performance. Overally, the removal efficiency of halogen solvent parts was better than that of hydrocarbon or waters parts for removing the standard oil used in this experiment.

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.

반도체 세정공정에서 염기성 세정액(SCI, Standard cleaning 1, NH4OH + H2O2 + H2O)은 공정상 발생되는 여러 오염물 중 파티클의 제거를 위해 널리 사용되고 있는데, SCI 조성중 NH4OH양에 따라 세정 중 실리콘의 식각속도를 증가시킨다. 이 연구에서는 SCI 세정이 CZ(Czochralski)와 에피 실리콘 기판 표면에 미치는 영향을 단순세정과 연속적인 산화-HF 식각-SCI 세정공정을 통해 관찰되었다. CZ와 에피 기판을 80˚C의 1 : 2 : 10과 1 : 1 : 5 SCI 용액에서 60분까지 단순 세정을 했을 때 laser particle scanner와 KLA사의 웨이퍼 검색장치로 측정된 결함의 수는 세정시간에 따라 변화를 보이지 않았다. 그러나 CZ와 에피 기판을 10분간 SCI 세정후 900˚C에서 산화 HF식각공정을 4번까지 반복하였을 때 에피 기판 표면의 결함수는 감소하는 반면에 CZ기판에서는 직선적으로 증가하였다. 반복적인 산화-HF 식각-XCI 세정공정을 통해 생성된 CZ기판 표면의 결함은 크기가 0.7</TEX>μm 이하의 pit과 같은 형상을 보여주었다. 이들 결함은 열처리 중 CZ 기판내와 표면에 산화 석출물들이 형성, 반복적인 HF 식각-SCI 세정공정을 통해 다른 부위에 비해 식각이 빨리 일어나 표면에 생성되는 것으로 여기어 진다.

A study on the fouling control by periodical ozone-scrubbing was conducted in a membrane filtration process for drinking water treatment. Hydrophilic hollow fiber polyethylene membrane with pore size of $0.1{\mu}m$ and its surface area of $0.42m^2$ was used. Dead-End filtration method was selected to obtain high efficiency of energy. Laboratory prepared synthetic raw water with kaolin was used and the membranes were scrubbed by ozone once in an hour and once in two hours. When the duration of ozone scrubbing was increased from 10 seconds to 20 seconds, the rate of membrane fouling was significantly decreased. Although the frequency of ozone-scrubbing was reduced from once in an hour to once in two hours. the effect of fouling control was unchanged. However, ozone-scrubbing was not effective after a membrane was fouled and washed with detergent for reuse. Among several possible working effects of ozone, bactericidal effect was confirmed to be the primary reason of fouling control.

각종 세정제의 난용 및 과대 사용으로 인한 수질오염이 날로 심각해지고 있으며 이 때 수질오염의 원인은 주로 계면활성제에 의해 발생한다. 본 연구는 이미 다졸린으로부터 유도된 9종의 양쪽성계면활성제와 석유 화학물질로부터 제조하여 대량 사용하고 있는 sodium lauryl sulfate(SLS)에 대한 세정성을 비교하여 보다 우수한 계면활성제를 선정하고자 한다. 또한 세정성의 비교는 세정력의 측정과 세정에 관한 물리화학적 측면에서 그 원인을 규명하고자 한다. 1-(2-hydroxyethyl)-1-(3-sulfonatedropy)-2-undecyl-2-imidazolinum [IV]는 세정성 및 다른 기초적 물성이 우수하여 세정제에 응용할 경우 세정성이 우수한 계면활성제 일수록 오염 부착에 필요한 일이 적게 나타나 오염이 쉽게 제거될 수 있음을 증명하였으며 그로 인한 공업적 응용성에 기대가 크다.

본 연구의 목적은 병원급식소의 세정작업의 효율적 관리를 위하여 위탁 전과 후의 비용효과를 비교하고 자가운영과 위탁운영체제의 세정담당 종업원들의 직무만족도를 비교하여 그 비용효율성을 분석하는데 있다. 본 연구의 결과에 의하면, 세정작업의 위탁관리로 다음과 같은 잇점을 기대할 수 있었다. 첫째, 호봉이 낮고 적은 수의 종업원 이용으로 인건비의 절감을 기대할 수 있었으며, 둘째, 봉급에 관한 항목을 제외한 다른 항목에 관해서는 자가운영과 위탁운영 체제의 세정담당 종업원들의 직무만족도에 유의적 차이가 없는 것으로 나타났으며, 세째, 작업일정이나 인사배치에 있어서의 용이함으로 나타났다. 이 연구 결과를 기초로 병원급식소의 위탁관리 프로그램에 관한 지속적인 평가와 개발에 관한 연구가 이루어져야 할 것이다.

Gate oxide의 특성은 세정공정에서 사용된 last세정용액에 큰 영향을 받는다. Standard RCA, HF-last, SCI-last, and HF-only 공정들은 gate oxidation하기 전 본 실험에서 행해진 세정공정들이다. 세정공정을 마친 Si기판들은 oxidation furnace에서 900˚C로 thermal oxidation공정을 거치게 된다. 100Å의 gate oxide를 성장시킨 후 lifetime detector, VPD, AAS, SIMS, TEM, 그리고 AFM고 같은 분석장비를 이용하여 oxide의 특성을 평가했다. HF-last와 HF-only 공정에 의해 금속 불순물들이 매우 효과적으로 제거됐음을 알 수 있었다. Oxide의 표면 및 계면 형상은AFM과 TEM 측정을 통하여 관찰하였다. 표면거칠기는 SCI 세정용액을 사용한 splits 실험에서 불균일함이 관찰되었고 HF-only세정공정을 거친 시편 및 계면이 가장 smooth했다.

Alkaline cleaning agent(ACA) was prepared by blending of POE(4)octadecylmine(S-204), Na2CO3, sodium orthosilicate(Na-OSi). Tetronix T-701(T-701), and MJU-100A. The physical properties of ACA tested with steel specimen showed the following results. The cleaning powers of ACA-6(S-204 80g/Na2CO3, 160g/Na-OSi, 80g/T-701, 60g/MJU-100A, 20g mixture) for press-rust preventing oil was 98% and 99% degreasing at 2wt%, 70℃ and 90℃, respectively : for quenching oil, the cleaning power of ACA-6 was 95% degreasing at 2wt% and 70℃. From these results, it was ascertained that ACA-6 exhibited a good cleaning power. Foam heights measured immediately after foaming by Ross & Miles method and Ross & Clark method at 3wt%. 60℃ were 17mm and 40mm, respectively. As the result, ACA-6 was proved a good low foaming cleaning agent.

최근 미세조류를 에너지원으로 활용하는 기술이 많은 관심을 받으면서 미세조류 고액분리 기술에 대한 연구가 진행 중이다. 미세조류 분리 기술에는 미세조류의 밀도차를 이용하여 분리하는 방법인 원심 분리법, 중력･응집 침전법, 부유선별법과 막 여과법이 있다. 그 중 막 여과법은 다른 공정에 비해 거의 모든 미세조류를 여과 할 뿐만 아니라 가장 간단한 구조로 초기비용이 적게 발생한다는 장점이 있다. 그러나 고밀도의 미세조류는 막오염(fouling)을 야기한다는 단점이 있다. 막 오염(fouling)은 처리수의 투과 수량을 감소시킬 뿐만 아니라 2차 적인 수질오염을 야기시킬 수 있다. 이에 따라 온도가 높은 유입수와 상대적으로 온도가 낮은 처리수의 온도차이로부터 발생하는 증기압 차이를 사용하는 막 증발법을 이용하고자 하였다. 막 증발법은 압력을 구동력으로 사용하는 일반적인 분리막 공정에 비해 온도차를 구동력으로 사용하기 때문에 유입수 중 입자성 물질의 막 표면으로의 물리적인 이송(convection)이 없으므로 막 오염(fouling)이 상대적으로 적게 발생한다는 장점이 있다. 따라서 본 연구에서는 선행연구에서 도출한 공정인자를 이용하여 미세조류를 고액 분리에 따른 투과 성능 및 막 세정 효과를 분석하고자 하였다. 이를 위하여 세정 주기와 세정 방법이 막 회복 및 제거율에 미치는 영향을 살펴보고자 한다.