This paper describes the surface modification effect of a Ti substrate for improved dispersibility of the cat-alytic metal. Etching of a pure titanium substrate was conducted in 50% H₂SO₄, 50˚C for 1h-12h to observe the sur-face roughness as a function of the etching time. At 1h, the grain boundaries were obvious and the crystal grains weredistinguishable. The grain surface showed micro-porosities owing to the formation of micro-pits less than 1 µm in diam-eter. The depths of the grain boundary and micro-pits appear to increase with etching time. After synthesizing the cat-alytic metal and growing the carbon nano tube (CNT) on Ti substrate with varying surface roughness, the distributiontrends of the catalytic metal and grown CNT on Ti substrate are discussed from a micro-structural perspective.

본 실험은 고온기 근권냉방이 파프리카의 배지온도 하강과 파프리카의 생리적 반응에 미치는 영향을 알아보고자 7월 16일부터 10월 15일까지 코이어 배지에서 재배 하였다. 냉방방식은 공기순환 덕트(지름 12cm, 미세구멍 (0.1mm)으로 찬 공기(7월~8월; 20 ± 2oC, 9월; 23 ± 2oC) 를 야간시간(오후 5시~오전 3시) 공급하였다. 고온기(7월 23일부터 8월 31일) 중 파프리카 배지의 일평균 온도가 냉방처리구는 24.7oC, 대조구는 28.2oC로, 냉방처리구에서 대조구보다 3.0~5.6oC 배지온도가 낮아 졌다. 하루 중 맑은 날(650~700W · m−2) 주간(오전 5시~ 오후 8시)/야간(오후8시~오전5시) 냉방처리구 배지 온도는 대조구보다 1.7oC/3.3oC 낮아졌다. 오후 6시에서 8시까지 초저녁 배지온도 하강속도가 냉방처리구에서는 평균 0.5oC/h, 대조구는 0oC/h였다. 배지 상부와 하부 간의 대조구 대비 냉방처리구의 온도차도 각각 1.3oC, 0.6oC 였다. 냉방처리는 고온(28~32oC) 배지 온도 노출율을 대조구 대비 32.5% 감소시켰다. 냉방처리구의 파프리카 광합성, 증산율 및 수분포텐셜은 대조구보다 높았다. 첫 개화시기도 대조구보다 4일 앞당겨지고, 착과수도 증가하였다. 냉방처리구의 엽장은 짧아졌으나, 초장, 경경, 분지수, 엽폭 등은 차이가 없었다. 야간 근권냉방으로 배지 온도가 3.0~5.6oC를 낮추었으나, 고온기 온실 온도가 고온에서는 파프리카 착과가 지연되므로, 지상부 온도 하강 방법을 병행하면 파프리카 생육과 착과에 효과적이라 판단된다.

표고 톱밥재배시 LED광파장에 따른 생육특성을 분석한 결과, 파장이 긴 적색광과 황색광에서 대길이가 길어지고 갓색이 연해지며, 파장이 짧은 청색광과녹색광에서는 대길이가 짧아지고 갓색이 진해지는현상을 보였다. 자실체 항산화활성은 광파장에 따른큰 차이를 보이지 않았으며, 2주기까지 배지당 자실체 수량은 녹색에서 159g으로 형광등 121g 대비31% 증수효과가 있었다.

본 연구는 미생물 첨가가 느타리버섯 폐배지의 영양소 함량, 발효특성 및 미생물상에 미치는 영향을 조사하기 위해 수행하였다. 시험은 느타리버섯 폐배지에 미생물 무첨가구(CON), 고초균 첨가구 (Bacillus subtilis 2⨯1010 cfu/g; BS), 유산균 첨가구(Lactobacillus plantarum 2⨯1010 cfu/g; LP) 및 혼합균 첨가구(Bacillus subtilis : Lactobacillus plantarum = 1:1; BL)로 4 시험구를 설정하고 6일간 발효시켰다. 발효 직후 0, 1, 2, 4 및 6일에 시료를 채취하여 분석에 이용하였다. 발효 6일후 조단백질과 조지방 함량은 BS구에서 가장 높았다(P<0.05). NDF 함량은 LP구와 BL구에서, ADF 함량은 미생물을 첨가한 모든 시험구에서 높은(P<0.05) 반면, in vitro 건물소화율은 CON구가 높았다 (P<0.05). Lactate와 propionate 함량은 CON구와 BS구가 타 시험구에 비해 높았다(P<0.05). 한편 발효 0일에 유산균 함량은 BS구와 LP구에서 높았으며(P<0.05), 발효 1일에 유산균 함량은 LP구에서, 고초균 함량은 BL구에서 각각 높았다(P<0.05). 발효 2일에 lactate와 propionate 함량은 LP구와 BL구에서 타 시험구에 비해 높았다(P<0.05). 이상에서와 같이 BS 첨가는 발효과정 중 유기산 생성량 개선에는 유리하나 건물소화율에는 부정적인 영향을 미칠 것으로 사료된다.

본 연구는 토마토 수경재배에서 Frequency Domain Reflectometry(FDR) 센서를 활용한 무배액 시스 템에 적합한 코이어 배지의 chip과 dust 비율을 구명하기 위한 기초 실험으로 chip 함량에 따른 일일 급액량, 배액량, 배지의 용적당 수분함량 및 전기전도도, 식물생육, 과실 수량과 수분이용효율 측정을 목적으로 수행되었다. 시판 코이어 슬라브 중 chip과 dust 부피비율이 0 : 100%, 30 : 70%, 50 : 50%, 70 : 30%인 것과 대조구로 시판 rockwool 배지와 2층 슬라브, 즉 1층에 chip함량과 2층에 dust함량이 15 : 85%, 25 : 75%, 35 : 65%인 것을 사용하여 실험하였다. 실험에 사용된 배지 중 0 : 100%와 rockwool 배지는 전 생육기간 동안 배액이 배출 되지 않았고 나머지 모든 배지에서도 극소량의 배액이 배출되었다. 일일 평균 급액량은 시판 슬라브와 2층 슬라브 배지 모두에서 chip 함량에 따라 다르게 나타났다. 식물 생육, 상품과 수량 및 수분이용효율은 chip과 dust의 비율이 0 : 100%인 시판 슬라브에서 가장 높게 나타났다. 따라서, FDR센서에 의한 자동급액 방식으로 토마토 작물을 재배 할 때 chip과 dust 부피비율이 0 : 100%인 코이어 배지를 사용할 경우 식물이 더욱 효과적으로 수분을 이용하여 생산량이 증가되면서도 배액을 최소화하거나 배액을 창출하지 않아 환경오염을 감소시킬 수 있다. FDR 센서에 의해 자동 급액되는 시스템에서 1회 급액량과 급액간격 기능을 생육단계별로 조정하여 배지의 물리성에 따른 급액 일정에 대한 세밀한 실험이 앞으로 수행될 계획이다.

Carbon coils could be synthesized using C₂H₂/H₂as source gases and SF6 as an incorporated additive gas under thermal chemical vapor deposition (CVD) system. Prior to the carbon coils deposition reaction, two kinds of samples having different combination of Ni catalyst and substrate were employed, namely, a commercially-made Al₂O₃ceramic boat with Ni powders and a commercially-made Al₂O₃substrate with Ni layer. By using a commercially-made Al₂O₃ceramic boat, the synthesis of carbon coils could be enhanced as much as 10 times higher than that of Al₂O₃substrate. Furthermore, the dominant formation of the microsized carbon coils could be obtained by using Al₂O₃ceramic boat. The surface roughness of the supporting substrate of Al₂O₃ceramic boat was understood to be associated with the large scale synthesis of carbon oils as well as the dominant formation of the larger-sized, namely the microsized carbon coils.

In order to produce size-controllable Ag nanoparticles and a nanomesh-patterned Si substrate, we introduce a rapid thermal annealing(RTA) method and a metal assisted chemical etching(MCE) process. Ag nanoparticles were self-organized from a thin Ag film on a Si substrate through the RTA process. The mean diameter of the nanoparticles was modulated by changing the thickness of the Ag film. Furthermore, we controlled the surface energy of the Si substrate by changing the Ar or H2 ambient gas during the RTA process, and the modified surface energy was evaluated through water contact angle test. A smaller mean diameter of Ag nanoparticles was obtained under H2 gas at RTA, compared to that under Ar, from the same thickness of Ag thin film. This result was observed by SEM and summarized by statistical analysis. The mechanism of this result was determined by the surface energy change caused by the chemical reaction between the Si substrate and H2. The change of the surface energy affected on uniformity in the MCE process using Ag nanoparticles as catalyst. The nanoparticles formed under ambient Ar, having high surface energy, randomly moved in the lateral direction on the substrate even though the etching solution consisting of 10 % HF and 0.12 % H2O2 was cooled down to -20˚C to minimize thermal energy, which could act as the driving force of movement. On the other hand, the nanoparticles thermally treated under ambient H2 had low surface energy as the surface of the Si substrate reacted with H2. That's why the Ag nanoparticles could keep their pattern and vertically etch the Si substrate during MCE.

We investigated the nanostructural, chemical and optical properties of nc-Si:H films according to deposition conditions. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) techniques were used to produce nc-Si:H thin films. The hydrogen dilution ratio in the precursors, [SiH4/H2], was fixed at 0.03; the substrate temperature was varied from room temperature to 600˚C. By raising the substrates temperature up to 400˚C, the nanocrystalite size was increased from ~2 to ~7 nm and the Si crystal volume fraction was varied from ~9 to ~45% to reach their maximum values. In high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) images, Si nanocrystallites were observed and the crystallite size appeared to correspond to the crystal size values obtained by X-ray diffraction(XRD) and Raman Spectroscopy. The intensity of high-resolution electron energy loss spectroscopy(EELS) peaks at ~99.9 eV(Si L2,3 edge) was sensitively varied depending on the formation of Si nanocrystallites in the films. With increasing substrate temperatures, from room temperature to 600˚C, the optical band gap of the nc-Si:H films was decreased from 2.4 to 1.9 eV, and the relative fraction of Si-H bonds in the films was increased from 19.9 to 32.9%. The variation in the nanostructural as well as chemical features of the films with substrate temperature appears to be well related to the results of the differential scanning calorimeter measurements, in which heat-absorption started at a substrate temperature of 180˚C and the maximum peak was observed at ~370˚C.

Magnetostrictive thin films can be applied in transmission system for the enhancement of energy efficiency. In this study, four kinds of substrates (Si, glass, Fe, polyimide) with the magnetostrictive thin film layers are prepared and investigated to characterize the magnetic and mechanical behaviors due to the substrates effects. The fabricated substrates have thicknesses of 50, 150 and 500um with cantilever shape. TbDyFe films are deposited by DC magnetron sputtering with 1～10m thick. The deposited film thicknesses are verified using X-ray diffraction. The magnetization of each sample is examined using VSM(Vibrating Sample Magnetometer) and magnetostriction is also measured using capacitance method to characterize magneto-mechanical behaviors. The magnetostriction results as deflections are compared and the results are discussed for micro actuator applications.

Vanadium dioxide (VO2) is an attractive material for smart window applications where the transmittance of light can be automatically modulated from a transparent state to an opaque state at the critical temperature of ~68˚C. Meanwhile, F : SnO2 (F-doped SnO2, FTO) glass is a transparent conductive oxide material that is widely used in solar-energy-related applications because of its excellent optical and electrical properties. Relatively high transmittance and low emissivity have been obtained for FTO-coated glasses. Tunable transmittance corresponding to ambient temperature and low emissivity can be expected from VO2 films deposited onto FTO glasses. In this study, FTO glasses were applied for the deposition of VO2 thin films by pulsed DC magnetron sputtering. VO2 thin films were also deposited on a Pyrex substrate for comparison. To decrease the phase transition temperature of VO2, tungsten-doped VO2 films were also deposited onto FTO glasses. The visible transmittance of VO2/FTO was higher than that of VO2/pyrex due to the increased crystallinity of the VO2 thin film deposited on FTO and decreased interface reflection. Although the solar transmittance modulation of VO2/FTO was lower than that of VO2/pyrex, room temperature solar transmittance of VO2/FTO was lower than that of VO2/pyrex, which is advantageous for reflecting solar heat energy in summer.

This study is carried out to develop the new process for the fabrication of ultra-fine electrodes on the flexible substrates using superhydrophobic effect. A facile method was developed to form the ultra-fine trenches on the flexible substrates treated by plasma etching and to print the fine metal electrodes using conductive nano-ink. Various plasma etching conditions were investigated for the hydrophobic surface treatment of flexible polyimide (PI) films. The micro-trench on the hydrophobic PI film fabricated under optimized conditions was obtained by mechanical scratching, which gave the hydrophilic property only to the trench area. Finally, the patterning by selective deposition of ink materials was performed using the conductive silver nano-ink. The interface between the conductive nanoparticles and the flexible substrates were characterized by scanning electron microscope. The increase of the sintering temperature and metal concentration of ink caused the reduction of electrical resistance. The sintering temperature lower than resulted in good interfacial bonding between Ag electrode and PI film substrate.

As information-oriented industry has been developed and electronic devices has come to be smaller, lighter, multifunctional, and high speed, the components used to the devices need to be much high density and should have find pattern due to high integration. Also, diverse reliability problems happen as user environment is getting harsher. For this reasons, establishing and securing products and components reliability comes to key factor in company's competitiveness. It makes accelerated test important to check product reliability in fast way. Out of fine pattern failure modes, failure of Electrochemical Migration(ECM) is kind of degradation of insulation resistance by electro-chemical reaction, which it comes to be accelerated by biased voltage in high temperature and high humidity environment. In this thesis, the accelerated life test for failure caused by ECM on fine pattern substrate, 20/20μm pattern width/space applied by Semi Additive Process, was performed, and through this test, the investigation of failure mechanism and the life-time prediction evaluation under actual user environment was implemented. The result of accelerated test has been compared and estimated with life distribution and life stress relatively by using Minitab software and its acceleration rate was also tested. Through estimated weibull distribution, B10 life has been estimated under 95% confidence level of failure data happened in each test conditions. And the life in actual usage environment has been predicted by using generalized Eyring model considering temperature and humidity by developing Arrhenius reaction rate theory, and acceleration factors by test conditions have been calculated.

For fabricating silicon solar cells with high conversion efficiency, texturing is one of the most effective techniques to increase short circuit current by enhancing light trapping. In this study, four different types of textures, large V-groove, large U-groove, small V-groove, and small U-groove, were prepared by a wet etching process. Silicon substrates with V-grooves were fabricated by an anisotropic etching process using a KOH solution mixed with isopropyl alcohol (IPA), and the size of the V-grooves was controlled by varying the concentration of IPA. The isotropic etching process following anisotropic etching resulted in U-grooves and the isotropic etching time was determined to obtain U-grooves with an opening angle of approximately 60˚. The results indicated that U-grooves had a larger diffuse reflectance than V-grooves and the reflectances of small grooves was slightly higher than those of large grooves depending on the size of the grooves. Then amorphous Si:H thin film solar cells were fabricated on textured substrates to investigate the light trapping effect of textures with different shapes and sizes. Among the textures fabricated in this work, the solar cells on the substrate with small U-grooves had the largest short circuit current, 19.20 mA/cm2. External quantum efficiency data also demonstrated that the small, U-shape textures are more effective for light trapping than large, V-shape textures.

Graphene has been synthesized on 100- and 300-nm-thick Ni/SiO2/Si substrates with CH4 gas (1 SCCM) diluted in mixed gases of 10% H2 and 90% Ar (99 SCCM) at 900˚C by using inductively-coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). The film morphology of 100-nm-thick Ni changed to islands on SiO2/Si substrate after heat treatment at 900˚C for 2 min because of grain growth, whereas 300-nm-thick Ni still maintained a film morphology. Interestingly, suspended graphene was formed among Ni islands on 100-nm-thick Ni/SiO2/Si substrate for the very short growth of 1 sec. In addition, the size of the graphene domains was much larger than that of Ni grains of 300-nm-thick Ni/SiO2/Si substrate. These results suggest that graphene growth is strongly governed by the direct formation of graphene on the Ni surface due to reactive carbon radicals highly activated by ICP, rather than to well-known carbon precipitation from carbon-containing Ni. The D peak intensity of the Raman spectrum of graphene on 300-nm-thick Ni/SiO2/Si was negligible, suggesting that high-quality graphene was formed. The 2D to G peak intensity ratio and the full-width at half maximum of the 2D peak were approximately 2.6 and 47cm-1, respectively. The several-layer graphene showed a low sheet resistance value of 718Ω/sq and a high light transmittance of 87% at 550 nm.

In this study, the influence on the surface passivation properties of crystalline silicon according to silicon wafer thickness, and the correlation with a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell performances were investigated. The wafers passivated by p(n)-doped a-Si:H layers show poor passivation properties because of the doping elements, such as boron(B) and phosphorous(P), which result in a low minority carrier lifetime (MCLT). A decrease in open circuit voltage (Voc) was observed when the wafer thickness was thinned from 170μm to 50μm. On the other hand, wafers incorporating intrinsic (i) a-Si:H as a passivation layer showed high quality passivation of a-Si:H/c-Si. The implied Voc of the ITO/p a-Si:H/i a-Si:H/n c-Si wafer/i a-Si:H/n a-Si:H/ITO stacked layers was 0.715 V for 50μm c-Si substrate, and 0.704 V for 170μm c-Si. The Voc in the heterojunction solar cells increased with decreases in the substrate thickness. The high quality passivation property on the c-Si led to an increasing of Voc in the thinner wafer. Short circuit current decreased as the substrate became thinner because of the low optical absorption for long wavelength light. In this paper, we show that high quality passivation of c-Si plays a role in heterojunction solar cells and is important in the development of thinner wafer technology.

유기물 코이어 배지를 이용한 절화장미 수경재배시 유묘기 급액농도가 장미의 생육에 미치는 영향을 구명하기 위하여 배양액을 0.6, 1.0, 1.4, 1.8dS·m-1로 다른 농도로 공급하였다. 배지 추출액의 EC와 무기이온은 정식 22일까지는 높은 농도로 양액을 공급하여도 처리간에 큰 차이가 없었다. 이후 급액농도가 높을수록 빠른 속도로 배지내 양분농도도 높아졌다. 신초의 발생량은 정식후 30일째에 해당하는 2차 신장기에는 1.8dS·m-1로 급액한 처리구에서 가장 많았고, 3차와 4차에는 0.6dS·m-1 처리구를 제외하고 처리간 차이가 없었으나, 급액농도가 높을수록 신초의 발생량이 많은 경향을 나타내었다. 따라서 장미 유묘기(수체형성기간 약 6개월 정도)의 급액농도는 기존의 무기배지를 이용한 수경재배에서는 3~4월에 정식한 이후 고온기로 갈수록 급액농도 점진적으로 낮추어 1.0dS·m-1 내외로 낮게 관리하는 것이 일반적이지만, 코이어 배지를 이용한 수경재배에서는 코이어 배지가 양분을 흡착하기 때문에 정식 후 약 3개월은 EC 1.8dS·m-1로, 이후에는 약 3개월은 1.4dS·m-1 정도로 관행적인 농도보다 높게 관리하는 것이 바람직 할 것으로 판단되었다.

버섯수확후배지는 버섯을 수확한 후 남겨진 배지를 말하며 버섯배지의 주원료는 가축 사료원료인 콘코브, 미강, 밀기울, 면실피, 비트펄프 등이고 버섯재배과정에서 배지영양원의 약 15-25% 정도만 버섯에 의해 이용되고 나머지 75-85% 정도는 버섯수확후배지에 남아있기 때문에 버섯수확후배지는 사료자원으로써 활용가치가 매우 높은 농산부산물이다. 버섯수확후배지 중 사료자원으로 이용할 수 있는 것은 새송이, 팽이, 느타리버섯 수확후배지이며 새송이버섯 수확후배지는 난분해성 물질인 톱밥이 함유되어 있기 때문에 섬유소 함량은 높고 가소화양분 함량은 낮다는 단점이 있지만 cellulase와 xylanase 활성이 높은 미생물을 가축사료 첨가용 생균제로 이용하여 버섯수확후배지 발효사료를 제조하면 버섯수확후배지의 섬유소 함량은 낮아질 수 있다. 그러나 새송이버섯 수확후배지는 가소화양분 함량이 낮기 때문에 새송이버섯 수확후배지 발효사료를 단독으로 급여하기보다는 버섯수확후배지 발효사료를 일정량 첨가한 배합사료를 제조하여 급여하는 것이 영양학적인 측면에서 바람직하며 발효과정에 의해 기호성과 저장성이 개선된 새송이버섯 수확후배지 발효사료의 급여는 축우의 사료비 절감과 고급육 생산 효과를 기대할 수 있다.

느타리버섯은 우리나라 국민에 기호성이 매우 높으며, 가장 많이 생산 소비되는 대표적인 버섯이다. 소비적 측면에서의 영양학적 가치 증진과 생리대사적인 측면에서의 흡수기작에 대한 특성을 확인하기위하여 배지내 당첨가에 따른 자실체의 당성분 변화를 조사하였다. 느타리버섯 톱밥 배지에 4종의 당을 첨가한 배지에 수한1호, 여름느타리, 춘추2호를 재배하여 자실체를 분석한 결과 단당류로는 Fructose, Glucose, Ribose, Xylose, 이당류는 α-Lactose, Tre-halose, 당알콜류는 Glycerol, Mannitol, myo-Inositol, Sorbitol의 성분이 검출 되었다. 모든 처리에서 발견되는 성분으로는 Trehalose, Mannitol, α-Lactose, Fructose, Glucose, Ribose, myo-Inositol 등이며, 나머지 성분은 일부 처리에서만 발견되고, 많은 함량의 순서는 품종에 따라 약간 차이가 있었다. 자실체 내의 단당류는 함량 자체가 낮고, 공시품종 중에서 수한1호가 다른 품종에 비하여 약간 높았다. 처리된 당종류 및 처리함량의 증가에 따라 자실체의 성분함량이 뚜렷이 증감되는 경향은 확인되지 않았다. 배지에 처리된 성분중 Lactose는 처리량의 증가에 따라 모든 품종에서 뚜렷이 증가하였으며, 자실체의 Trehalose 함량은 품종에 따라 차이를 나타내었으나, 배지의 첨가량에 따른 영향은 보이지 않았다. 자실체 내의 당알코홀류는 수한과 춘추2호에서는 높은 편이나 여름느타리버섯에서는 낮아 품종간 차이가 있었다. 자실체의 Mannitol 함량은 배지의 당첨가량에 따른 일정한 경향은 없었으며, myo-Inositol은 수한과 춘추2호에서 처리량에 따라 서서히 증가하는 경향을 보였으나 여름느타리에서는 일정한 경향을 확인 할 수 없었다. 배지에 처리한 당류중에 처리량 증가에 따라 자실체의 함량이 품종에 관계없이 증가하는 것은 α-Lactose 뿐이었으며, 자실체에서 발견되는 성분들은 배지성분의 흡수보다는 자실체 내의 대사기작 내에서 합성 또는 전환되는 것으로 추정되며, 앞으로 더 관련 연구가 필요할 것으로 사료된다.

In crystalline solar cells, the substrate itself constitutes a large portion of the fabrication cost as it is derived fromsemiconductor ingots grown in costly high temperature processes. Thinner wafer substrates allow some cost saving as morewafers can be sliced from a given ingot, although technological limitations in slicing or sawing of wafers off an ingot, as wellas the physical strength of the sliced wafers, put a lower limit on the substrate thickness. Complementary to these economicaland techno-physical points of view, a device operation point of view of the substrate thickness would be useful. With this inmind, BC-BJ Si and GaAs solar cells are compared one to one by means of the Medici device simulation, with a particularemphasis on the substrate thickness. Under ideal conditions of 0.6µm photons entering the 10µm-wide BC-BJ solar cells atthe normal incident angle (θ=90o), GaAs is about 2.3 times more efficient than Si in terms of peak cell power output:42.3mW·cm−2 vs. 18.2mW·cm−2. This strong performance of GaAs, though only under ideal conditions, gives a strongindication that this material could stand competitively against Si, despite its known high material and process costs. Within thelimitation of the minority carrier recombination lifetime value of 5×10−5 sec used in the device simulation, the solar cell poweris known to be only weakly dependent on the substrate thickness, particularly under about 100µm, for both Si and GaAs.Though the optimum substrate thickness is about 100µm or less, the reduction in the power output is less than 10% from thepeak values even when the substrate thickness is increased to 190µm. Thus, for crystalline Si and GaAs with a relatively longrecombination lifetime, extra efforts to be spent on thinning the substrate should be weighed against the expected actual gainin the solar cell output power.

목적: Al2O3 기판위에 Ge/ZnS 다층박막을 이용하여 중심파장 3450nm에서 반치폭이 약 150nm이고 투과율이 약 95%인 중 적외선 투과필터를 제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하였다. 방법: 설계에 있어 기판의 한 면은 장파장 투과 필터로,다른 면은 단파장 투과 필터로 코팅한 후 한개의 기판을 중심으로 전면에는 장파장 투과 필터를 후면에는 단파장 투과 필터를 합성하여 중적외선 대역투과 필터를 설계하였다.또한 전자빔 증착장비를 이용하여Ge/ZnS 다층박막 중적외선 대역 투과 필터를 제작한 후, FTIR을 이용하여 투과율을 측정하였고, XRD 데이타로부터 박막의 구조를 분석하였으며, XPS분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결과: 장파장 투과 필터는 기준파장 2700nm에서 [air/0.490H 0.904L 0.952H 1.086L 1.747H 0.489L (HL)9 H 0.350L 1.616H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 이때 고굴절률(H)과 저굴절률(L) 물질은 각각 Ge과 ZnS이였다. 또한 단파장 투과필터는 기준파장 4200nm에서 [air/1.261H (LH)7 0.921L 1.306H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 장파장 투과필터와 동일하였다. 설계를 바탕으로 제작한 적외선 투과 필터의 최대파장피크가 제작조건의 변화에 의거하여 이론치에 비해 약 30nm 오른쪽 이동되어 있는 것을 확인하였다. 제작된 필터의 ZnS층이 cubic (111) 결정구조를 가지고 있는 것을 XRD분석으로 확인하였으며, XPS분석에 의해 Ge층이 맨 위층이며 ZnS층과 교번인 다층막으로 형성돼 있다는 것을 확인할 수 있었다. 결론: Al2O3 기판위에 Ge와 ZnS를 교번으로, 한 면은 27층의 장파장 투과필터로 구성되고, 다른 면은 17층의 단파장 투과 필터의 다층박막을 제작하여, 3450nm 중심파장에서 150nm 반치폭을 갖으며 투과율은 약 95%인 중적외선 대역 투과 필터를 제작하였다.