Resistance switching memory cells were fabricated using atomically dispersed Pt-SiO2 thin film prepared via RF co-sputtering. The memory cell can switch between a low-resistance-state and a high-resistance-state reversibly and reproducibly through applying alternate voltage polarities. Percolated conducting paths are the origin of the low-resistance-state, while trapping electrons in the negative U-center in the Pt-SiO2 interface cause the high-resistance-state. Intermediate resistance-states are obtained through controlling the compliance current, which can be applied to multi-level operation for high memory density. It is found that the resistance value is related to the capacitance of the memory cell: a 265-fold increase in resistance induces a 2.68-fold increase in capacitance. The exponential growth model of the conducting paths can explain the quantitative relationship of resistance-capacitance. The model states that the conducting path generated in the early stage requires a larger area than that generated in the last stage, which results in a larger decrease in the capacitance.

본 연구는 ‘궁중비화’를 소재로 하고 있는 사극영화의 서사발화와 재현방식의 변화를 분석하여 사극영화의 장르적 관습을 살펴보고자 하였다. 연구를 위해 시대를 대표하는 세 편의 영화 <영원한 제국>, <왕의 남자>, <광해, 왕이 된 남자>를 선정하여 채트먼의 서사이론을 활용하여 분석하였다. 분석결과 서사발화에 있어서는 ‘사건’과 ‘시간’에 중점을 둔 서사에서 ‘인물’ 즉 캐릭터에 중점을 둔 서사구조로 변화했다. 이러한 변화는 최근 들어 두 가지 구조의 장점을 흡수하며 서사에 커다란 사건과 매력적인 인물을 동시에 발화시키는 방식의 전환을 통해 좀 더 복잡한 구조를 보이는 것으로 나타났다. 한국 사극영화의 이 같은 서사구조의 변화는 시대적 요청에 의해 관객들의 수용형태를 고려한 영화장르의 전략적 변화라 할 수 있다. 영화에서 보이는 재현양식들을 살펴 본 결과 한국 사극영화의 서사는 다양한 담화적 방식을 통해 구체화되었다. 화면비율의 변화에 따라 영화는 영상미학적 발전을 이루었으며, 카메라 연출, 촬영기법의 변화, 감각적이고 세련된 영상미, 그래픽을 활용한 다양한 기술적 요소들은 사극영화의 서사와 이미지의 재현을 사실적 묘사를 통해 관객과 소통하고자 시도하였다. 결국 사극영화에서 보이는 서사와 재현양식의 변화는 역사적 사실성과 영화적 리얼리티를 구체화시키고 강화하기 위한 방식으로 양식체계의 발전을 이루었다. 나아가 변화를 통해 현실정치를 비판하고, 시대가 요구하는 정치적 견해를 작가적 메시지로 재현하며 영화의 예술적 창작기능과 사회적 기능을 발현시켰다.

We present an excellent detection for nitrogen monoxide (NO) gas using polycrystalline ZnO wire-like films synthesized via a simple method combined with sputtering of Zn metallic films and subsequent thermal oxidation of the sputtered Zn nanowire films in dry air. Structural and morphological characterization revealed that it would be possible to synthesize polycrystalline hexagonal wurtzite ZnO films of a wire-like nanostructure with widths of 100-150 nm and lengths of several microns by controlling the sputtering conditions. It was found from the gas sensing measurements that the ZnO wirelike thin film gas sensor showed a significantly high response, with a maximum value of 29.2 for 2 ppm NO at 200 oC, as well as a reversible fast response to NO with a very low detection limit of 50 ppb. In addition, the ZnO wire-like thin film gas sensor also displayed an NO-selective sensing response for NO, O2, H2, NH3, and CO gases. Our results illustrate that polycrystalline ZnO wire-like thin films are potential sensing materials for the fabrication of NO-sensitive high-performance gas sensors.

The feasibility of obtaining graphitic carbon films on targeted substrates without a catalyst and transfer step was explored through the pyrolysis of the botanical derivative camphor. In a horizontal quartz tube, camphor was subjected to a sequential process of evaporation and thermal decomposition; then, the decomposed product was deposited on a glass substrate. Analysis of the Raman spectra suggest that the deposited film is related to unintentionally doped graphitic carbon containing some sp-sp 2 linear carbon chains. The films were transparent in the visible range and electrically conductive, with a sheet resistance comparable to that of graphene. It was also demonstrated that graphitic films with similar properties can be reproduciblyobtained, while property control was readily achieved by varying the process temperature.

팽이버섯 포장필름의 국산화 및 동남아시아 지역 수출용 필름개발을 목적으로 개발중인 포장필름을 현재 시중에 유통 중인 포장필름과 수입산 포장필름과 함께 저장 중 팽이버섯에 적용하여 이화학적 특성변화를 검토하였다. 각 포장재 원단으로 포장된 팽이버섯을 저장 온도에 따라 중량 감소율을 측정하여 선도유지를 평가하였다. 4oC에 보관한 팽이버섯은 모든 포장필름에서 중량 변화가 거의 없었으며 15oC의 경우 수입 포장필름과 국내 유통중인 포장필름이 시험용 포장필름 보다 더 많은 중량 감소율이 보이는 것을 확인하였다. 신장률을 측정한 결과, 15oC에서는 수입 포장필름, 국내 유통 중인 포장필름, 실험용 포장필름 순으로 신장률 변화가 크게 측정되었으나, 나머지 온도조건에서는 세 가지 포장 조건 모두 자루 신장률 변화가 비슷하게 나타났다. pH의 변화는 25oC에서 수입포장필름, 국내유통 포장필름, 실험용 포장필름 순으로 pH가 낮게 나타났다. 색도의 경우 저장 온도 4~25oC에서 저장한 시료는 저장 기간 동안 명도가 약간 낮아졌으나 포장 필름의 종류는 팽이버섯 색도 변화에 큰 영향을 미치지 않았다. 총 6종의 유기산이 검출되었으며, 종류는 oxalic acid(수산), lactic acid(젖산), malic acid(사과산), citric acid(구연산), acetic acid(초산) 및 succinic acid(호박산)로 나타났다. 팽이버섯의 유기산 총 함량은 저장 전 5.58%, 4oC에서 저장 후 4.70~5.50%, 15oC에서 저장 후 4.51~5.48%, 25oC에서 저장 후 4.91~6.07%, 35oC에서 저장 후 4.96~8.34%로 나타났다. 팽이버섯의 주요 유기산은 oxalic acid(1.11~4.28%)와 malic acid(0.48~1.96%)로 나타났다. 저장 온도에 따라서는 4~25oC에서 저장한 시험구는 유기산 함량의 변화가 크지 않았으나, 35oC에서 저장한 시험구는 malic acid의 함량이 낮아짐과 동시에 acetic acid의 함량이 높아졌다. 각각의 온도 조건에서 저장성을 실험한 결과 포장용 필름 원단에 따라서는 유기산 함량 변화에 큰 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다.

이 논문은 국제불교영화제 상영작의 유형과 특성에 대한 연구를 시도한 것이다. 국제불교영화제는 불교영화재단이 주관하는 국제적인 이벤트로서, 불교적 주제의 영화 또는 불교적 영감이 반영된 영화에 초점을 맞추는 불교 영화 전문 영화제이다. 필자는 유형론적 분석을 통해 몇 가지 양상을 발견하였다. 첫째, 문학작품 을 소재로 하는 불교영화나 윤회사상을 구현한 불교영화는 없었다는 점이 다. 둘째, 자주 발견되는 유형으로는 불교적 가르침의 의미를 추구한 작품, 불교 관련 인물의 전기 성격의 작품, 수행과 깨달음의 세계를 다룬 작품이 있었다. 셋째, 티베트불교 관련 작품이 다수를 점한다는 점이다. 외국의 불교영화, 특히 서구의 불교영화가 높은 수준의 성취를 이루었다 고 말하기는 어렵다. 불교문학의 영화화나 심도 깊은 해석과 날선 관점에 입 각한 윤회사상의 영화화가 이루어진다면 불교영화의 진전이 이루어질 것이 다. 서구에서의 불교의 영화화가 티베트불교에 집중되고 있는 사실에 대한 진지한 성찰도 필요하다. 서구에서 만들어진 다수의 불교영화가 티베트불교 를 다루고 있다는 사실은 서구인들의 불교 이해가 여전히 정치·사회적 양 상에 제한되어 있음을 보여준다.

본 연구는 한국영화 <오아시스>(2002)와 <말아톤>(2005)에 나타난 장애재현과 담론을 관객수용분석의 관점에서 접근하여 질적 방법으로 분석하였다. 영화 속에서 다뤄진 장애와 장애인에 대한 관객의 인식과 수용과정을 파악하기 위해 19명의 비장애인 대학원생을 대상으로 포커스 그룹과 심층인터뷰를 실시하였다. 분석결과 장애학적 관점에서 중요한 세 가지 주제가 도출되었다: 1)복합적 현상으로서의 장애, 2)비장애 중심적 상징으로서 전유된 장애, 3)정상성에 동화·흡수된 장애. 첫째, 참여자들은 의료화된 관점과 함께 젠더화와 계층화된 시각으로 장애와 장애관련 등장인물들을 인식·수용했다. 둘째, 참여자들은 장애인의 스테레오타입화된 이미지와 상징을 차용하여, 장애인들이 아닌, 자신들의 사회적 어려움을 표현했다. 셋째, 참여자들은 영화 속에서 비장애와 남성중심적으로 묘사된 장애여성의 성과 사랑(오아시스)과 장애남성의 장애극복(말아톤)을 정상과 비장애 중심적 관점에서 이해하고 공감을 표시했다. 참여자들의 장애인물에 대한 인식과 수용은 <오아시스>와 <말아톤>이 장애에 대한 스테레오타입 뿐만 아니라 비장애중심적인 정상성을 확대·재생산할 수 있다는 점을 시사한다.

Sb-doped SnO2(ATO) thin films were prepared using electrospinning. To investigate the optimum properties of the electrospun ATO thin films, the deposition numbers of the ATO nanofibers(NFs) were controlled to levels of 1, 2, 4, and 6. Together with the different levels of deposition number, the structural, chemical, morphological, electrical, and optical properties of the nanofibers were investigated. As the deposition number of the ATO NFs increased, the thickness of the ATO thin films increased and the film surfaces were gradually densified, which affected the electrical properties of the ATO thin films. 6 levels of the ATO thin film exhibited superior electrical properties due to the improved carrier concentration and Hall mobility resulting from the increased thickness and surface densification. Also, the thickness of the samples had an effect on the optical properties of the ATO thin films. The ATO thin films with 6 deposited levels displayed the lowest transmittance and highest haze. Therefore, the figure of merit(FOM) considering the electrical and optical properties showed the best value for ATO thin films with 4 deposited levels.

We present the detection characteristics of nitrogen monoxide(NO) gas using p-type copper oxide(CuO) thin film gas sensors. The CuO thin films were fabricated on glass substrates by a sol-gel spin coating method using copper acetate hydrate and diethanolamine as precursors. Structural characterizations revealed that we prepared the pure CuO thin films having a monoclinic crystalline structure without any obvious formation of secondary phase. It was found from the NO gas sensin measurements that the p-type CuO thin film gas sensors exhibited a maximum sensitivity to NO gas in dry air at an operating temperature as low as 100 oC. Additionally, these CuO thin film gas sensors were found to show reversible and reliable electrical response to NO gas in a range of operating temperatures from 60 oC to 200 oC. It is supposed from these results that the ptype oxide semiconductor CuO thin film could have significant potential for use in future gas sensors and other oxide electronics applications using oxide p-n heterojunction structures.

생분해성 고분자인 셀룰로오스 아세테이트(CA)를 매트릭스로 용액 중합된 HCl이 50% 정도 도핑된 PAni를 첨가하여 도전성 PCA 복합 필름을 제조하여 기계적, 전기적 특성 및 표면 morphology를 고찰하였다. PCA 복합 필름의 인장강도는 PAni 함유량 5 wt% 인 경우 순수 CA 필름(377.1 kgf/cm2)에 비해 27% 정도 감소된 275.2 kgf/cm2를 나타내었으며, 신율도 7.65%에서 4.35% 정도로 감소하였다. 표 면저항은 PAni의 함량에 따라 감소하였으며, PAni 함유량이 5 wt%인 PCA05의 경우 7.0x109 Ω/sq로 정전기 방지용 필름으로 사용이 가능할 정도였다. 표면 정전기량의 소멸 속도도 PAni 함량에 따라 비례 하여 빨라짐을 확인하였다. PCA 복합 필름의 열적 안정성은 PAni 함량이 늘어남에 따라 분해온도가 낮 아졌으며, 최종 재(char)의 함량은 PAni의 함량에 비례하였다. 최종 재의 함량을 이용하여 미지의 PCA 복합 필름 중의 PAni의 분율을 계산할 수 있을 것으로 판단된다.

Aluminum nitride, a compound semiconductor, has a Wurtzite structure; good material properties such as high thermal conductivity, great electric conductivity, high dielectric breakdown strength, a wide energy band gap (6.2eV), a fast elastic wave speed; and excellent in thermal and chemical stability. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the aluminum nitride is similar to those of Si and GaAs. Due to these characteristics, aluminum nitride can be applied to electric packaging components, dielectric materials, SAW (surface acoustic wave) devices, and photoelectric devices. In this study, we surveyed the crystallization and preferred orientation of AlN thin films with an X-ray diffractometer. To fabricate the AlN thin film, we used the magnetron sputtering method with N2, NH3 and Ar. According to an increase in the partial pressures of N2 and NH3, Al was nitrified and deposited onto a substrate in a molecular form. When AlN was fabricated with N2, it showed a c-axis orientation and tended toward a high orientation with an increase in the temperature. On the other hand, when AlN was fabricated with NH3, it showed a-axis orientation. This result is coincident with the proposed mechanism. We fabricated AlN thin films with an a-axis orientation by controlling the sputtering electric power, NH3 pressure, deposition speed, and substrate temperature. According to the proposed mechanism, we also fabricated AlN thin films which demonstrated high aaxis and c-axis orientations.

본 논문에서는 헤테로 애피택시(heteroepitaxy) 박막의 표면확산계수를 국부적으로 제어하여 표면에서 형성되는 나노구조물이 정렬되는 과정을 수치해석적으로 연구하였다. 격자 불일치 물질계(lattice-mismatched materials system)의 탄성변형에너지와 표면자유에너지, 그리고 습윤에너지를 고려하여 박막의 변형거동에 대한 지배방정식을 도출하였으며, 확산계수의 활성화 조건이 성장에 미치는 영향을 살펴보았다. 해석결과는 주기함수 형식으로 표면확산계수를 제어하면 표면구조물이 배열형태로 정렬됨을 나타내며, 이는 노광 및 식각 과정을 거쳐야 하는 포토리소그래피(photolithography)로부터 탈피한 바텀업(bottom-up) 방식의 공정방법에 규칙성을 부여하여 차세대 나노기기의 개발에 일조할 것으로 기대된다.

The oxide films formed on etched aluminum foils play an important role as dielectric layers in aluminum electrolytic capacitors. Y2O3-doped ZrO2 (YZ) films were coated on the etched aluminum foils by sol-gel dip coating, and the electrical properties of YZ-coated Al foils were characterized. YZ films annealed at 450 oC were crystallized into a cubic phase, and as the Y2O3 doping content increased, the unit cell of ZrO2 expanded and the grain size decreased. The etch pits of Al foils were filled by YZ sol when it dried at atmospheric pressure after repeating for several times, but this step could essentially be avoided when being dried in a vacuum. YZ-coated foils indicated that the specific capacitance and dissipation factor were 2-2.5 μF/cm2 and 2-4 at 1 kHz, respectively, and the leakage current and withstanding voltage of films approximately 200 nm thick were 5 × 10−4A at 21 V and 22 V, respectively. After being anodized at 500 V, the foils exhibited a specific capacitance and dissipation factor of 0.6-0.7 μF/cm2 and 0.1-0.2, respectively, at 1 kHz, while the leakage current and withstanding voltage were 2 × 10−4 - 3 × 10−5 A at 400 V and 420-450 V, respectively. This suggests that YZ film is a promising dielectric that can be used in high voltage Al electrolytic capacitors.

소형 비닐하우스에 2종류의 기능성 필름과 관행의 PE 필름을 피복하고 청치마, 적치마, 치커리 등 3종의 엽채류를 재배하여 기능성필름의 특성을 검토하였다. 2종류의 기능성 필름은 PO(polyorefine)계수지로 만들어졌으며, 엽채류는 흙과 펄라이트를 혼합한 배지에서 육묘하였다. 필름의 광학적 특성에 있어서 기능성 필름은 관행의 PE 필름과 비교하여 광합성 유효광(400-700nm)의 투과율이 높고 자외선(300-400nm)의 흡수율이 높았다. 피복 3개월 후의 광합성 유효광 투과율의 감소 수준은 기능성필름이 PE필름보다 작았다. 이 같은 요인으로 인해 엽채류의 생육과 수량이 기능성 필름을 피복한 하우스에서 높았다.

목 적: 본 연구는 SnO2를 모체로 하는 투명전도성 박막을 제조하기 위하여, 가용성 염인 Sn-Chloride와 H3PO4를 출발물질로 사용하였으며, 졸-겔법으로 박막을 제조하여 특성평가를 연구함이다. 방 법: Spin coating기를 이용하여 코팅용액을 기판에 떨어뜨린 후 공기분위기에서 2000 rpm으로 10초간 기판을 회전하여 박막을 도포하며, 500℃로 10분간 열처리하여 P-doped SnO2 박막을 제조하였다. 결 과: 박막의 표면에는 코팅 횟수가 5회, 10회의 경우에는 기공이나 크랙이 나타나지 않았으나 15회 및 20회로 증가함에 따라 미세한 기공들이 관찰되었다. 가시영역에서의 투과율은 5회 및 10회 코팅한 박막의 경우 약 85~90%을 나타내고 있으나, 코팅횟수가 15회 및 20회로 증가함에 따라 박막의 투과율은 80% 이하로 급격히 감소하였다. 4-probe법을 이용한 전기저항은 박막의 코팅횟수가 10회일 경우에 2.7×10-4Ω·cm-1이었으며, 코팅회수가 15회 및 20회로 증가함에 따라 9.8×10-3Ω?cm-1 및 8.3×10-2Ω·cm-1으로 박막의 저항값은 급격히 증가하였다. 결 론: 10회 코팅한 박막의 가시영역에서의 투과율은 85~90%로 매우 높았으며, 저항 값은 2.7×10-4Ω?cm-1로 투명 전도막으로 사용하기에 충분한 특성을 나타냈다.

목 적: 곡률이 없는 고 굴절률 안경렌즈위에 발수 막을 코팅하여 발수 막의 성분과 특성에 관한 연구를 하였다. 방 법: 전자빔 증착 장치를 이용하여 곡률이 없는 고 굴절률 안경렌즈위에 발수 막을 5 nm, 10 nm, 20nm, 30 nm, 40 nm로 두께로 코팅하였다. 발수 막의 성분을 관찰하기 위해 ATR-FTIR 장비를 사용하였고, 분광 타원 법을 이용하여 발수 막의 굴절률과 두께를 측정하였다. 또한 발수 발유 성을 알기위해 물과 CH2I2 를 사용하여 접촉각을 구했으며, 비부착성을 알기위해 마찰계수를 구했다. 결 과: FTIR 측정 장치를 이용하여 발수 막의 성분을 관찰한 결과, 유기불소를 포함한 유기화합물이라는 알 수 있었다. 그리고 분광 타원 법에 의한 계산한 발수 막의 굴절률은 d선인 587.56 nm에서 1.6026이며 아베수 49이었다. 물에 대한 접촉각은 발수코팅을 안한 고 굴절률렌즈 표면에서 78.1°이고 발수 코팅 막의 두께가 20 nm일 때 109.9°이며, 그 이후 두께가 두꺼워짐에 따라 조금씩 증가한다. CH2I2에 대한 접촉각은 코팅을 안 한 고 굴절률렌즈 표면에서 34.1°이고 코팅 막의 두께가 20 nm에서 93.7°이며, 그 이후 코팅 막의 두께가 커짐에 따라 접촉각이 포화되는 것을 알 수 있었다. 발수 막의 마찰계수는 코팅을 안한 고 굴절률렌즈 표면에서는 0.410이고 코팅 막의 두께가 5 nm에서 0.626으로 커진 후, 두께가 두꺼워짐에 따라 점점 작아져 40 nm에서 0.167이었다. 결 론: 고 굴절률렌즈위에 코팅한 발수 막은 유기불소를 포함한 유기화합물이며, 굴절률은 1.6026이었다. 발수 발유 접촉각은 코팅막이 20 nm일 때 각각 109.9°과 93.7°이며, 발수 막의 동마찰계수는 코팅막의 두께가 40 nm에서 0.167이었다.

연구는 지난 10년간 해외로 수출된 한국영화의 특성별(수출지역, 영화장르, 판권유형) 현황을 파악하고, 이를 바탕으로 해외수출영화의 위치화를 실시함으로써 한국영화산업에 실무적인 함의를 시사하는데 그 목적이 있다. 분석을 위해 영화진흥위원회에서 조사된 한국영화 해외통계 자료를 사용하였으며, 2004년 부터 2013년 동안 해외로 수출된 한국영화 총 626편을 수집하였다. 수출지역에 따라 영화장르와 판권유 형이 다를 수 있다는 연구문제 하에, 해외수출영화의 ‘수출지역’, ‘영화장르’, ‘판권유형’의 3개 변수가 포함 되었다. 대응일치분석을 통해 ‘수출지역’과 ‘영화장르’, ‘수출지역’과 ‘판권유형’ 간의 공간적 위치화를 실시 한 결과, 해외수출영화의 특성별 공간적 위치의 차이가 있음을 확인하였다. 본 연구는 실제 데이터에 의한 실증적 분석을 통해 한국영화의 해외수출시장에 대한 이해를 넓히고, 해외수출전략 수립단계에서 실질적 인 도움이 되는 시사점을 제공하는데 의의를 가진다.

Amorphous (a-Si) films were epitaxially crystallized on a very thin large-grained poly-Si seed layer by a silicide-enhanced rapid thermal annealing (SERTA) process. The poly-Si seed layer contained a small amount of nickel silicide whichcan enhance crystallization of the upper layer of the a-Si film at lower temperature. A 5-nm thick poly-Si seed layer was thenprepared by the crystallization of an a-Si film using the vapor-induced crystallization process in a NiCl2 environment. Afterremoving surface oxide on the seed layer, a 45-nm thick a-Si film was deposited on the poly-Si seed layer by hot-wire chemicalvapor deposition at 200oC. The epitaxial crystallization of the top a-Si layer was performed by the rapid thermal annealing(RTA) process at 730oC for 5 min in Ar as an ambient atmosphere. Considering the needle-like grains as well as thecrystallization temperature of the top layer as produced by the SERTA process, it was thought that the top a-Si layer wasepitaxially crystallized with the help of NiSi2 precipitates that originated from the poly-Si seed layer. The crystallinity of theSERTA processed poly-Si thin films was better than the other crystallization process, due to the high-temperature RTA process.The Ni concentration in the poly-Si film fabricated by the SERTA process was reduced to 1×1018cm−3. The maximum field-effect mobility and substrate swing of the p-channel poly-Si thin-film transistors (TFTs) using the poly-Si film prepared by theSERTA process were 85cm2/V·s and 1.23V/decade at Vds=−3V, respectively. The off current was little increased underreverse bias from 1.0×10−11 A. Our results showed that the SERTA process is a promising technology for high quality poly-Si film, which enables the fabrication of high mobility TFTs. In addition, it is expected that poly-Si TFTs with low leakagecurrent can be fabricated with more precise experiments.

포화지방산(C12, C14, C16, C18) 단분자층 LB막의 전기화학적 특성을 통하여 그 안정성을 순환전압전류법으로 조사하였다. 포화지방산 단분자층 LB막은 ITO glass에 LB법을 사용하여 제막하였 다. 전기화학적 특성은 0.1 N NaClO4 용액에서 3 전극 시스템으로 순환전압전류법에 의해 측정하였다. 측정범위는 연속적으로 1650 mV로 산화시키고, 초기 전위인 -1350 mV로 환원시켰다. 주사속도는 각 각 50, 100, 150, 200 및 250 mV/s로 설정하였다. 그 결과 포화지방산 LB막은 순환전압전류곡선으로 부터 산화전류로 인한 비가역공정으로 나타났다. 포화지방산 LB막의 확산계수(D)를 산출한 결과 각각 라우르산, 2.223x10-3 cm2/s, 미리스트산, 2.461x10-4 cm2/s, 팔미트산, 7.114x10-4 cm2/s 및 스테아르 산, 2.371x10-4을 얻었다.