본 연구는 캐살 블랙의 다큐드라마 『중력을 배우다』에 나타난 아이리시 포스트메모리 세대의 감응 탐구를 목적으로 한다. 아일랜드계 미국 시인이자 장례지도사인 토마스 린치의 삶을 추적하는 블랙의 연출기법은 세 가지 관점에서 조명된다. 첫째, 블랙은 린치가 포스트메모리 세대의 정체성을 형성하는 과정에서 아일랜드 민족주의 이데올로기로 환원되지 않는 자신의 내러티브를 가족사진 이미지로 구축했음을 보여준다. 둘째, 블랙은 사실주의적 다큐멘터리 스타일과 시적 시간관을 결합하여 시적 진실을 추구하는 린치의 열망을 표현한다. 마지막으로, 블랙은 린치의 멜랑콜리 정서가 자연풍경과 버려진 사물들의 이미지에서 드러나는 존재와 부재 사이의 긴장에서 연유함을 보여준다.

게임을 포함한 가상환경 및 현실의 문제를 해결하기 위한 현대의 강화학습에서는 근사 함수로써 인공신경망을 사용한다. 하지만 이는 통계 기반이기 때문에 대량의 데이터가 필요해서 시뮬레이터가 없는 경우는 사용 및 적용에 애로가 있다. 이때문에 인공신경망은 아직 일상에서 자주 접할 수가 없는데, 대부분의 환경은 시뮬레이터를 만들기 힘들거나 데이터와 보상은 희소하기 때문이다. 이에 메모리 구조를 활용해서 적은 데이터와 희소한 보상을 가진 환경에서 빠른 학습을 할 수 있는 모델을 만들었다. 실험에서는 기존의 policy gradient와 메모리를 기반으로 open AI CartPole 문제에 도전했다. 이때 이득을 평가하는 함수인 Advantage function을 메모리구조를 변형하여 구현하였다. 이후 실험에 서 모델의 학습 시 편차가 커서 평균적으로는 저조한 성적을 보였다. 하지만 다른 알고리즘과의 학습 속도 비교를 통해 100회 이내의 작은 에피소드 내에서 상위 10개, 5개의 성적이 타 알고리즘들 보다 더 높은 점수를 획득한 것을 확인하였다. 결론적으로 연구를 통해 메모리구조를 사용하는 방법이 적은 데이터에 효과적일수 있다는 가능성을 발견했으며, 향후에는 학습의 편차를 줄이는 기술들에 대한 연구가 필요하다.

The computing environment has changed rapidly to enable large-scale finite element models to be analyzed at the PC or workstation level, such as multi-core CPU, optimal math kernel library implementing BLAS and LAPACK, and popularization of direct sparse solvers. In this paper, the design considerations on a parallel finite element code for shared memory based multi-core CPU system are proposed; (1) the use of optimized numerical libraries, (2) the use of latest direct sparse solvers, (3) parallelism using OpenMP for computing element stiffness matrices, and (4) assembly techniques using triplets, which is a type of sparse matrix storage. In addition, the parallelization effect is examined on the time-consuming works through a large scale finite element model.

We developed the memory storage type instrumentation device for measuring trajectory of small flying object. The instrumentation device is small enough to install into the flying object and has a 6-axis MEMS sensor and 3 AD channels for measuring flying data of object. In this paper, we specially focused on the measuring of flying trajectory of the sabot using developed device. The sabot which supports missile during carriage breaks away from missile by mechanical and aerodynamic force when missile gets out of canister. The flying trajectory of sabot should be designed not to collide with any equipments around the launcher. In order to find out the flying trajectory of sabot, the developed instrumentation device was adopted in experiment. We have proved effectiveness of the developed instrumentation device by comparing acquired results using the hi-speed camera.

Most users lose their interests when game users interactively play with characters to feel unfriend and unrealistic. In this thesis, we present a scene management memory model for autonomous game characters, which manages the recognized information by visual attention. The scene management memory of autonomous game character is comprised of visual memory. Scene management memory stores the recognized information at the physical structure embodied by Quadgraph structure. Game characters take adaptive actions for the situation by utilizing the stored information in the memory system. To use the capacity of memory effectively, we devise the algorithm of quick visual attention, well suited to game environment. We have implemented our memory system for the experiment to confirm its feasibility and availability. As a result of the experiment, we positively verify that autonomous game character perceives the static and dynamic object of 3D game world by visual attention mechanism with about 2 times improvement of time complexity.

The design of a memory control chip is described which is intended for embedded operation in VLSI Chip for 3D image application. It consists of two SRAMs and memory controller. The two memories section and their address counters are being swapped from the storage to the call clock. The systems offers improved accuracy, repeatability, portability, and flexibility not available in current commercial systems. To reduced a chip, 4T(4 transistors) SRAM cells are used instead of the standard SRAM cells 6T (6 transistors) by which the leakage current is drastically reduced and low power is achieved. The layout of the memory chip is realized using Electric layout editor, the DRC and LVS is verified using Electric and post layout simulated with LT SPICE tool of computer.

The Charge Trap Flash (CTF) memory device is a replacement candidate for the NAND Flash device. In this study,Pt/Al2O3/La2O3/SiO2/Si multilayer structures with lanthanum oxide charge trap layers were fabricated for nonvolatile memorydevice applications. Aluminum oxide films were used as blocking oxides for low power consumption in program/erase operationsand reduced charge transports through blocking oxide layers. The thicknesses of SiO2 were from 30Å to 50Å. From the C-Vmeasurement, the largest memory window of 1.3V was obtained in the 40Å tunnel oxide specimen, and the 50Å tunnel oxidespecimen showed the smallest memory window. In the cycling test for reliability, the 30Å tunnel oxide sample showed an abruptmemory window reduction due to a high electric field of 9~10MV/cm through the tunnel oxide while the other samples showedless than a 10% loss of memory window for 104cycles of program/erase operation. The I-V measurement data of the capacitorstructures indicated leakage current values in the order of 10-4A/cm2 at 1V. These values are small enough to be used in non-volatile memory devices, and the sample with tunnel oxide formed at 850oC showed superior memory characteristics comparedto the sample with 750oC tunnel oxide due to higher concentration of trap sites at the interface region originating from the roughinterface.

인공지능 캐릭터의 가장 초기 연구는 로보틱스(robotics) 분야에서 시작되었다. 로봇에 대한 연구는 실세계를 반영한 반면 게임이나 애니메이션과 같은 가상 환경을 인지하고 반응하게 하는 가상 캐릭터에 대한 연구가 현재 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 가상의 공간에서 캐릭터가 인지한 정보들 중에서 시각적으로 가장 중요하다고 생각되는 정보를 가진 사물을 주목하여 인지한 후 메모리에 단계적으로 저장하는 인공지능 엔진에 관해 기술하고자 한다. 특히 상향적 주목방식과 메모리를 이용한 하향식 주목 방법을 혼합하여 통합된 주목알고리즘을 적용하고 구현하였다. 본 연구에서 제시한 쿼드트리를 이용한 메모리 모듈을 이용해 실험한 결과 인공지능캐릭터는 빠르고 정확한 환경의 인지와 작업수행을 하였다.

In semiconductor memory, the kinds of voltage generator are high voltage generator, negative voltage generator, drain voltage generator and etc. The relevant circuits supported voltage generator, are clock generator, sense amplifier, voltage regulator and etc. The voltage generator consists of MOS diodes and MOS capacitors. To get the out voltage with sufficient charge, the MOS capacitors are big size. These MOS transistors can be adapted only on the EEPROM process. Thus, in this paper, we designed stacked metal capacitor. This capacitor is small size but can get much capacitance. This capacitor is designed to comb type using metal-line and poly-line. The size of designed capacitor is 208×52㎛2 and the capacitance is about 4㎊. The stacked metal capacitor can get much capacitance of 5～6 times than single plane capacitor. Also this capacitor will be easy adapted in sub-micro process technology of semiconductor memory. And this capacitor can be adapted on all memory process.

Composition element of power-up reset circuit is consisted with many PMOS and by capacitors, reduce number of used element to improve power-up reset circuit to secure stable early action of memory chip, and size of element decreases and consumption area of circuit itself could reduce about 10%. In this paper, when rise slowly existing circuit and circuit that improve by comparison simulation result and power rise time 200㎳ to confirm stability of circuit action, output voltage waveform peak of improved power-up reset circuit secures more than 2Vt, and displayed stabler circuit action than change width few existing circuit by temperature.

약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and SiO2/Si 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 900˚C까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 650˚C, 30분 열처리시 Ta23Si29N48의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. Ta23Si29N48 박막의 증착 후 비저항은 약 1,300μΩ-cm의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 700˚C 이상에서 급격히 증가하였다.

세라믹 타겟인 Ta2O(sub)5을 장착한 rf-마그네트론 스퍼터를 이용하여 Ta2O(sub)5 완충층을 증착하고, Sr(sub)0.8Bi(sub)2.4Ta2O(sbu)9 용액을 사용하여 MOD 법에 의해 SBT 막을 성장시킨 metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MFIS) 구조인 Pt/SBT/Ta2O(sub)5/Si 구조의 Ta2O(sub)5 완충층 증착시의 O2유량비, Ta2O(sub)5 완충층 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. 그리고 Ta2O(sub)5 박막의 완충층으로써의 효과를 확인하기 위해 Pt/SBT/Ta2O(sub)5/Si 구조와 Pt/SBT/Si 구조의 전기적 특성을 비교하였다. Ta2O(sub)5 완충층 증착시의 O2유량비가 0%일 때는 전형적인 MFIS 구조의 C-V 특성을 얻지 못하였으며, 20%의 O2유량비일 때 가장 큰 메모리 윈도우 값을 얻었다. 그리고 O2유량비가 40%, 60%로 증가할수록 메모리 윈도우는 감소하였다. Ta2O(sub)5 완충층의 두께의 변화에 대한 C-V 특성에서는 36nm의 Ta2O(sub)5 두께에서 가장 큰 메모리 값을 얻었다. Pt/SBT/Si 구조의 메모리 윈도우 값과 누설전류 특성은 Pt/SBT/Ta2O(sub)5/Si 구조의 값에 비해 크게 떨어졌으며, 따라서 Ta2O(sub)5 막이 우수한 완충층으로써의 역할을 함을 알았다.

컴퓨터의 제한된 코어메모리로 대형문제를 해결하기 위하여 디스크를 마치 메모리처럼 사용할 수 있는 가상 메모리 데이타베이스 기법을 개발하였다. 이 기법과 아울러 최대 가용코어메모리를 작동시키는 방식을 사용하여 유한요소 해석시 흔히 발생하는 스카이라인 형태로 저장된 대칭통산행예(Sparse Symmetric Matrix)에 대한 매우 효과적인 코어 내 및 코어 외 직립방정식의 해법을 개발하였다. 제안된 방법은 다른 코어 외 해법에 비해 알고리즘 및 코딩이 매우 간단하여 계산효율을 상당히 향상시켰다. 해석예에서는 제안된 방법을 사용하여 대규모 구조해석 문제를 메모리 용량이 작은 소형컴퓨터에서 대단히 효율적으로 해결하였음을 보여주었다.

본 논문에서는 모바일 기기의 프로세서 처리 능력과 메모리 용량의 제한에 관계없이 거대 크기의 이미지를 게임의 배경으로 사용하기 위한 타일화된 이미지 압축 기법을 제안한다. 실험을 통하여 제안한 기법이 압축 효율 측면에서는 하나의 PNG 파일로 압축하는 방법과 유사하나 모바일 단말기의 메모리 제한으로 인한 디코딩 가능한 이미지의 크기 제한 문제를 해결할 수 있음을 보였다. 또한 실행 시 부분 디코딩 기법을 적용하여 단말기 화면에 출력되는 이미지 부분만 디코딩하여 출력함으로 초기의 대규모 이미지의 로딩 시간을 줄일 수 있음을 보였다.

프로그램된 정보를 사용하는 자율 가상 캐릭터는 항상 반복된 패턴 행동을 하기 때문에 사용자가 흥미를 잃는 경우가 많고 현실성도 떨어진다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 자율 가상캐릭터가 자율적으로 인지한 정보를 저장하고 저장한 정보를 활용하여 상황에 맞는 행동을 수행할 수 있는 메모리 체계를 제안한다. 본 논문은 자율 가상 캐릭터가 시각 주목으로 인지한 정보를 저장하고 관리하는 메모리 체계의 모델을 제시한다. 메모리 용량을 효율적으로 사용할 수 있도록 게임 환경에 적합한 빠른 시각 주목 알고리즘을 연구하여 중요하고 눈에 띄는 정보만 저장한다. 자율 가상 캐릭터의 인지 메모리를 크게 시각 기억와 공간 관계 기억 구조로 구성한다. 시각 기억은 쿼드그래프로 구현된 저장 구조에 인지한 정보를 저장한다. 공간 관계 기억은 공간 관계 그래프 이론을 기반으로 객체들간의 방향과 거리 정보를 저장한다. 본 논문의 제안 방법을 가상 환경에서 실험한 결과, 자율 가상 캐릭터는 시각 주목 기능으로 3차원 가상 환경의 동적 객체까지 감지하여 자율적으로 정보를 주목하여 저장하고 있음을 확인했다. 자율 가상캐릭터는 메모리 정보를 활용하여 목표 객체를 빠르게 탐색하며 길찾기에 필요한 경로 계획을 수립한다. 성능면에서는 주목맵만들기 위한 특징맵으로 가장 주목할 수 있는 특징들로 구성하여 처리속도가 1.6배 이상 향상됨을 확인했다.