This study investigated dry etching of acrylic in capacitively coupled SF6, SF6/O2 and SF6/CH4 plasma under a low vacuum pressure. The process pressure was 100 mTorr and the total gas flow rate was fixed at 10 sccm. The process variables were the RIE chuck power and the plasma gas composition. The RIE chuck power varied in the range of 25~150 W. SF6/O2 plasma produced higher etch rates of acrylic than pure SF6 and O2 at a fixed total flow rate. 5 sccm SF6/5 sccm O2 provided 0.11μm/min and 1.16μm/min at 25W and 150W RIE of chuck power, respectively. The results were nearly 2.9 times higher compared to those at pure SF6 plasma etching. Additionally, mixed plasma of SF6/CH4 reduced the etch rate of acrylic. 5 sccm SF6/5 sccm CH4 plasma resulted in 0.02μm/min and 0.07μm/min at 25W and 150W RIE of chuck power. The etch selectivity of acrylic to photoresist was higher in SF6/O2 plasma than in pure SF6 or SF6/CH4 plasma. The maximum RMS roughness (7.6 nm) of an etched acrylic surface was found to be 50% O2 in SF6/O2 plasma. Besides the process regime, the RMS roughness of acrylic was approximately 3~4 nm at different percentages of O2 with a chuck power of 100W RIE in SF6/O2 plasma etching.

We investigated dry etching of acrylic (PMMA) in O2/N2 plasmas using a multi-layers electrode reactive ion etching (RIE) system. The multi-layers electrode RIE system had an electrode (or a chuck) consisted of 4 individual layers in a series. The diameter of the electrodes was 150 mm. The etch process parameters we studied were both applied RIE chuck power on the electrodes and % O2 composition in the N2/O2 plasma mixtures. In details, the RIE chuck power was changed from 75 to 200 W.% O2 in the plasmas was varied from 0 to 100% at the fixed total gas flow rates of 20 sccm. The etch results of acrylic in the multilayers electrode RIE system were characterized in terms of negatively induced dc bias on the electrode, etch rates and RMS surface roughness. Etch rate of acrylic was increased more than twice from about 0.2μm/min to over 0.4μm/min when RIE chuck power was changed from 75 to 200 W. 1 sigma uniformity of etch rate variation of acrylic on the 4 layers electrode was slightly increased from 2.3 to 3.2% when RIE chuck power was changed from 75 to 200 W at the fixed etch condition of 16 sccm O2/4 sccm N2 gas flow and 100 mTorr chamber pressure. Surface morphology was also investigated using both a surface profilometry and scanning electron microscopy (SEM). The RMS roughness of etched acrylic surface was strongly affected by % O2 composition in the O2/N2 plasmas. However, RIE chuck power changes hardly affected the roughness results in the range of 75-200 W. During etching experiment, Optical Emission Spectroscopy (OES) data was taken and we found both N2 peak (354.27 nm) and O2 peak (777.54 nm). The preliminarily overall results showed that the multi-layers electrode concept could be successfully utilized for high volume reactive ion etching of acrylic in the future.

콘택트렌즈 소독제로 쓰이는 H2Û2올 중화용 백긁 판올 이용하여 수회 반복 중화한 용액이 배양 각막상피세포의 Apoptosis룰 유도하는지 여부룹 조사하기 위해 본 연구 를 시행하였다 3% H202(AOSept)를 6시간 동안 9회에 걸쳐 통일 백금 판으로 풍화 한 용액을 배양 각막 상피세포에 배양액의 25% 농도로 1--2 띤 동안 처리하여 처음 중화한 용액과 9번째 중화한 용액음 중심으로 세포독성과 Apoptosis를 조사하였다. 세포똑성은 MTT assay를 이용하였으며 lnverted pþase-contrast microscope로 형 태 를 확얀하고 Toluiclin blue 염 색으로 Apoptotic Cell올 확언하였으며 Hoechst 33342 로 형광 염색하여 Apoptotic Index를 조사하였다. 또한 Annexin V - FITC깨ropiclium Iodide(PDstaíning, DePsipher TM assay. M30 CytoDEATH. TUNEL (TdT-dUTP terminal nick-end labelling) assay를 통해 형태적인 변화될 확인하였다. 생화학적 변 화인 DNA Fragmentation은 Agarose gel electrophoresis룹 사 행하였으며 Fas Antigen 의 발현을 조사하기 위하여‘ Irnmunocytochemistry와 Westem blotting올 시 행하 였다. H20z의 독성올 약화시키기 위해 사용되는 백금 판을 수회 재사용하여 중화한 용액닫 25% 농도로 1-2 일간 처리하였을 때 각막 상피세포의 Apoptosis가 유도되는 것 이 형 광 염 색， DNA ladder. Irnmunocytochemistry. Westem blotting등의 방법 으로 확인되었다. 따라서 중화된 H써2룹 25% 농도로 1-2 일 동안 처리한 결과， 세포 증식 저해와 Apoptosis 가 유도되므로 중화용 백금 판의 이용 횟수활 세한하거나 중화시간 을 증가시킬 필요가 있는 것으로 사료된다. 또한 완전하게 중화된 소독용 H202는 더 이상 소독효파가 없으므로 장시간 동안 렌즈의 소쪽보관 용액으로 사용해서는 안 된 다는 교육이 반드시 펼요할 것으로 판단된다.

One-step System으로 6시간 동안 중화된 H202의 배양 각막상피 세포에 대한 세 포독성과 Apoptosis를 조사하기 위해 세포에 15분간 직접 처리하여 세포의 형태적 변화， 생화화적 변화 그리고 면역화학적 발현 여부 등올 확인하였다. 세포독성은 형 태적 변화와 MTT Assay률 시행하였고 Apoptosis는 Hoechst 잃342의 형광염색으로 산 정 한 Apoptotic index, DePsipher™ assay를 이 용한 mitochondria 활성 과 변화를 확인하였으며 immunocytochemistry로 각막 상피세포 막의 수용체인 FAS 의 발현 여 부도 조사하였다. 중화된 H202를 15분간 처리 후 세포독성을 조사한 결과， 같은 디스크로 중화를 반 복한 경우 독성이 높게 나타났으며 세포증식도 느리게 나타났다.24시간 동안 세포를 정상 배양액으로 환원시켜 조사한 결과， 세포 독성에서 회복효과가 거의 없고 Apoptotic index도 높게 나타났다. 또한 미토콘드리아 활성과 초기 Apoptosis 에 대 한 검증도 모두 양성으로 나타났다. 그리고 Apoptosis 유도의 가장 중요한 경로인 FAS-FAS ligand system에 대 한 조사에 서 중화된 H20z를 처 리 한 세 포의 FAS 가 정 싱세포에서 보다 강하게 발현되는 것을 immunocytochemistry로 확인할 수 있었다. 이상의 결과로 강력한 apoptosis 유도 물질인 H202를 콘태트렌즈 소독을 위해 One-step system으로 중화한 경우에도 불완전하게 중화된 Hz02에 의해 각막상피세 포의 Apoptosis가 유도되 므로 중화용 백금 디 스크의 반복된 사용올 금지 하거 나 반복 사용 시에는 시간을 더 늘려야 할 것으로 사료된다.

RF magnetron sputtering법으로 초미세결정 Fe-Sm-O계의 박막을 상온에서 제작하여 산소분압에 따른 포화자화, 보자력, 고주파에서의 투자율(100MHz)을 조사하였다. 최적조건인 5%의 산소분압에서 제조한 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막은 포화자속밀도 18kG, 보자력 0.82 Oe, 실효투자율 (0.5~100MHz) 2,600 이상의 우수한 연자성을 나타내었다. 산소분압이 증가함에 따라 α-Fe 결정립의 크기가 감소하여 10%이상의 산소분압에서는 FeO가 생성되어 연자기적 성질이 열화되었다. Fe-Sm-O계 박막의 전기비저항은 산소분압이 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타내었으며 우수한 연자기적 성질을 가지는 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막의 경우, 전기비저항은 130 μΩcm이었다. 따라서 미세하게 형성된 α-Fe 결정립과 높은 전기비저항 때문에 초미세결정 Fe(sub)83.4Sm(sub)3.4O(sub)13.2박막이 고주파에서 우수한 연자기적 성질을 가지는 것으로 판단된다.

4NH(sub)3+3O2→2N2+6H2O 의 화학반응식을 가지며 O2 및 H2O를 산화제로 하는 NH3/O2산화의 성장모델을 세웠으며, 그 결과 Fick의 제 1 법칙을 기초로 하는 건식 및 습식 산화메카니즘으로 이해되는 Deal-Grove의 산화막 성장모델과 유사한 결과가 도출되었다. 이 성장모델에 의하면 산화제 O2 및 H2O가 상호보완적으로 산화에 영향을 미치므로 산화온도 뿐 아니라 NH3/O2의 유량비도 산화율을 결정한다. rapid thermal processing(RTP)에 의한 산화막 성장실험으로 본 연구에서 제안하는 성장모델을 확인하였으며, NH3분자의 분해에 의해 발생하는 N 원자의 산화막 내부확산을 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)로 확인하였으며, Auger electron spectroscopy (AES) 측정결과 N 원자의 존재는 무시할만한 수준이었다.